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亚微米玻璃碳作为ESD和EMI应用的基于HDPE的导电聚合物复合材料
玻璃碳（GC）是一种独特的碳，具有广泛的有用特性，包括高热稳定性，低热膨胀和出色的电导率。这使其成为热塑性复合材料中加强的有前途的候选人。在这项工作中，使用微米GC粉（µGC）和亚皮平GC粉末（SµGC）制造高密度聚乙烯（HDPE）基础复合材料。通过两种不同的方法将GC钢筋引入聚合物基质中，以形成随机和隔离的增强分布。检查了GC体积含量（φ）和复合结构对电导率的影响。证明，虽然玻璃碳可以比石墨更有效地增强HDPE的电导率，但它与碳Na- Notubes的出色性能相匹配，碳Na- Notubes的性能弥补了它们之间的间隙。研究表明，GC的添加增加了HDPE的电导率，并且在φ≈4％时可以实现渗透阈值（φC）。GC的隔离分布导致渗透阈值的值（φC≈1％）低于随机分布。
相对论激光-固体相互作用产生的均匀微米级高能量密度物质
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观察由数百微米表面声子极化子传播距离介导的热传输
微纳米电子器件中的有效散热需要在室温以上运行的热载体长距离传播。然而，热声子（介电纳米材料中的主要热载体）仅在几百纳米之后就会耗散热能。理论预测表面声子极化子 (SPhP) 的平均自由程可达数百微米，这可能会改善纳米材料的整体散热。在这项工作中，我们通过实验证明了 SPhP 的这种长距离热传输。使用 3 x 技术，我们测量了不同加热器-传感器距离、膜厚度和温度下 SiN 纳米膜的平面内热导率。我们发现薄纳米膜支持 SPhP 的热传输，这可以通过热导率随温度升高而增加来证明。值得注意的是，距离加热器 200 lm 处测得的热导率始终高于距离加热器 100 lm 处测得的热导率。这一结果表明，SPhP 的热传导至少在数百微米范围内呈准弹道形式。我们的研究结果为室温以上宏观距离的相干热操控铺平了道路，这将影响热管理和极化子学的应用。
使用两微米激光雷达进行大气剖面测量的 MCT APD 探测系统
美国宇航局兰利研究中心研制出了一种机载三脉冲积分路径差分吸收 (IPDA) 激光雷达 [1- 3]。该仪器可同时测量大气中的二氧化碳 (CO 2 ) 和水蒸气 (H 2 O)。IPDA 发射器产生波长为 2 µ m 的高能激光脉冲，重复率为 50 Hz。每次激光发射由三个 50 ns 脉冲组成，间隔 200 µ s，每个脉冲的波长设置不同 [4]。相对于 CO 2 R30 线中心，三个脉冲的工作波长选择为第一、第二和第三个脉冲分别针对 H 2 O 吸收、CO 2 吸收和最小吸收（离线）[1]。IPDA 接收器由一个 0.4 m 牛顿望远镜组成，可将返回辐射聚焦到 300 µ m 的光斑大小上。返回辐射经过准直和滤波，然后被分离（90%-10%）到高信号通道和低信号通道。高信号通道聚焦于直径 300 µ m 的商用扩展范围 InGaAs PIN 光电探测器。低信号通道用于扩展检测动态范围，以获得高回报而不会饱和。此外，低信号通道可用于测试其他 2 µ m 检测技术 [3]。
间隙定向的化学升降光刻纳米构造用于任意亚微米图案
摘要我们引入了独特的软标志操作，该操作利用了邮票屋顶塌陷引起的间隙，以选择性地去除AU上的烷烃 - 硫醇自组装单层（SAM），以生成表面图案，这些表面图案比原始弹性邮票上的结构小。使用化学升降光刻（CLL）过程中的千分尺尺度结构邮票实现的最小特征维度为5 nm。分子图案保留在邮票特征及其周围或铭文圆之间的差距中，遵循数学预测，可以通过更改邮票结构尺寸（包括高度，音高和形状）来调整它们的尺寸。这些生成的表面分子模式可以用作生物识别阵列，也可以将其转移到下方的Au层以进行金属结构创造。通过将CLL过程与此差距现象相结合，以前被认为是使用的柔软的属性属性，可用于在简单的草图中实现低于10 nm的特征。
必需宿主基因MMS21的自然变体限制了酿酒酵母中的2-微米质粒
抽象的迷幻药物是有意识状态的有效调节剂，因此是研究其神经生物学的强大工具。n，n，二甲基丁胺（DMT）可以迅速诱导以生动且精致的视觉图像为特征的极端身临其境的意识状态。在这里，我们研究了DMT诱导的改变状态的电生理相关性，这些参与者接受了DMT和（分别）安慰剂（盐水），同时指示闭上眼睛。与我们的假设一致，结果表明，皮质激活的时空模式（即行进波）类似于视觉刺激引起的。此外，闭合眼静止的典型自上而下的α波段节奏显着下降，而底部向前波则显着增加。这些结果支持最近的模型，该模型建议迷幻药减少“先验的精确加权”，从而改变自上而下的信息与自下而上信息的平衡。这些发现的强大假设征服性质意味着发现了一个重要的机械原理，基于迷幻诱导的改变状态的基础。
厕所
DS 50 0.50 - 0.60 微米 (2.0 - 2.3) 米²/克 0.40% 0.08% DS 60 0.60 - 0.70 微米 0.40% 0.08% DS 70 0.70 - 0.80 微米 0.30% 0.06% DS 80 0.80 - 0.90 微米 0.25% 0.06% DS 90 0.90 - 1.00 微米 0.25% 0.06% DS 100 1.00 - 1.20 微米 0.25% 0.06% DS 120 1.10 - 1.30 微米 0.12% 0.06% DS 130 1.20 - 1.40 微米 0.12% 0.06% DS 150 1.40 - 1.60 微米 0.12% 0.06% DS 180 1.70 - 1.90 微米 0.12% 0.06% DS 200 1.90 - 2.10 微米 0.12% 0.06% DS 250 2.30 - 2.70 微米 0.10% 0.06%
Si/SiGe QuBus，用于具有内存和微米级连接功能的单电子信息处理设备
单载流子信息处理设备内的连接需要传输和存储单个电荷量子。单个电子在被限制在移动量子点中的短小、全电 Si/SiGe 穿梭设备（称为量子总线 (QuBus)）中被绝热传输。这里我们展示了一个长度为 10 μ m 且仅由六个简单可调的电压脉冲操作的 QuBus。我们引入了一种称为穿梭断层扫描的表征方法，以对 QuBus 的潜在缺陷和局部穿梭保真度进行基准测试。单电子穿梭穿越整个设备并返回（总距离为 19 μ m）的保真度为 (99.7 ± 0.3) %。使用 QuBus，我们定位和检测多达 34 个电子，并使用任意选择的零电子和单电子模式初始化一个由 34 个量子点组成的寄存器。 28 Si/SiGe 中的简单操作信号、与工业制造的兼容性以及低自旋环境相互作用，有望实现自旋量子比特的长距离自旋守恒传输，从而实现量子计算架构中的量子连接。
亚微米量表的晶格变形：电子穿梭设备中弹性应变的X射线纳米膜测量
金属电极诱导的晶格应变会损害用电子或孔自旋运行的高级量子设备的功能。在这里，我们通过nanobeam扫描X射线di效果显微镜很好地研究了由埋入10 nm厚的SI / SI 0.66 GE 0.34量子孔的晶状体上的CMOS制造钛电极引起的变形。我们能够测量2-8×10-4范围内的锡电极诱导的应变张量成分的局部调制，并具有约60 nm的横向分辨率。我们评估这些应变流动在局部调制中反映在SI传导带的最小值大于2 MeV的电势中，该电池的最小值大于2 MeV，该调制带接近静电量子点的轨道能。我们观察到，在量子孔层的给定深度处应变调制的符号取决于电极的横向尺寸。由于我们的工作探讨了设备几何形状对应变诱导的能量景观的影响，因此它可以进一步优化缩放CMOS加工的量子设备的设计。
