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SM2597.PDF-传感器和材料
我们研究了50 Gy（H 2 O）对辐射敏感的P通道金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 磁性晶体效应晶体管，其栅极（RADFET）具有400和1000 nm的氧化物氧化物厚度（RADFETS），并具有0和5 V的栅极。辐照后（ir），在室温下进行自发退火（SA），而在门口没有电压。我们介绍了由MIDGAP技术确定的固定陷阱和开关陷阱的行为，以及在IR和SA期间由电荷泵送技术确定的快速开关陷阱的行为。剂量晶体管的一个非常重要的特征是褪色，它代表了SA期间辐射辐射的阈值电压的恢复。9100小时后的最大褪色约为15％，除了磁氧化物厚度为1000 nm，栅极电压为5V的RADFET，其含量约为30％。提出了一个用于褪色的拟合方程，它很好地拟合了实验褪色值。
viologen -Immobilized 2D聚合物膜，为太阳能智能窗口启用高效的电致色素设备
在智能窗口/镜子，电池充电传感器和显示器中的应用。[1]特别是，随着对有效能源使用的需求不断增长，使用EC智能窗口省电的建筑物吸引了最大的关注。这是因为EC智能窗口能够在潜在偏见下调节可见光和近红外光的传输，从而使建筑能源使用节省高达40％。[1A，2]为了满足此应用的需求，开发高效的ECD的需求是很大的需求。到目前为止，近年来已经探索了各种各样的EC材料，包括金属氧化物（WO 3，V 2 O 5和NIO），[3]金属络合物（Prussian Blue），[4]小痣（Viologen及其衍生物），[5]和电导聚合物（polypypyrypyrole，多酚，硫酚，多酚，多酚和多酚）。[6]通常，由于其出色的稳定性，快速开关速度，高色素对比度和低能消耗，因此WO 3已被广泛研究为已知的无机EC材料。[7]在过去几十年中，性能的显着改善是产生无定形和纳米结构的WO 3的结果
Power MOSFET可靠性：基于LTSpice的交界处...
摘要：电源开关系统的重要特征之一是使用快速开关电源半导体设备。MOSFET用于快速开关应用程序，包括无线电源传输开关系统。基于热时间常数的热模型对于准确预测MOSFET设备功率耗散和特性是必要的。文献中讨论的许多热模型都是基于线性近似的，而不是旨在结合动态MOSFET特性和散热器模型。在本文中，我们介绍了现有热模型的文献调查。为MOSFET R DS（ON）开发了一个模型，以及平均功率计算，散热器温度和连接至案例温度。使用LT Spice Simulation工具将R DS（ON）的瞬态热模型（ON）合并到完整的桥梁谐振模型中。计算半导体装置内的MOSFET功率耗散和连接温度。提出的模型具有动态功能，根据模拟时间调节设备电阻。因此，该模型非常适合根据流经设备的谐振电流预测MOSFET连接温度。通过模拟结果，我们提供了连接温度升高和平均功率耗散的估计，从而验证了拟议方法的有效性。索引项 - MOSFET，可靠性，LT香料，功率，温度，高压。
水热形成的氧化铜（CUO）薄膜用于电阻开关存储器
通常可以观察到，已将回忆设备视为非挥发性半导体记忆（NVSM）设备，逻辑操作或神经形态计算的合适结构[1]。与典型的NVSM设备相比，已经选择了具有简单设备体系结构，快速开关属性，低功耗级别或出色的可扩展性的将来的内存应用程序的电阻随机存储器（RRAM）设备[2-4]。到目前为止，已经提出了基于几种介电和导电材料的不同Ar散布[5-7]。但是，所有这些设备的瓶颈都是大型操作电压或固定率变质。过渡金属氧化物，例如氧化钛（Tio X）[8]，氧化镍（Nio X）[9]，氧化锌（ZnO）[10]或氧化物（HFO X）[11,12]，已被广泛检查用于记忆应用。在这些材料中，氧化铜（CUO）也可以表现出出色的电阻转换（RS）特征[13]。作为一种无毒的，互补的金属氧化物半导体（CMOS）兼容和丰富的地球材料，铜（CU）已被广泛用于超大级构成（ULSI）设备中。因此，作为集成电路处理序列中最常见的导电膜之一，基于CU的设备被视为在半导体设备制造中是相关的候选者。CUO膜可以使用几种方法，例如分子束外延（MBE）[14]，化学蒸气沉积
基于平面封装技术的全SiC集成功率模块，适用于飞机应用的高效功率转换器
紧凑、轻便、高效和可靠的电源转换器是未来全电动飞机 (MEA) 的基础。支持航空航天工业电气化的核心要素是采用 SiC MOSFET 的电源模块 (PM)。为了充分利用 SiC 实现的高开关速度，并应对功率器件并联带来的挑战，必须研究新颖的 PM 概念。本文探索了高度对称的布局、低电感平面互连技术和集成缓冲电容器，以实现高效、快速开关和可靠的全 SiC PM 用于 MEA 应用。与最先进的全 SiC PM 相比，对多项性能指标的全面评估证明了所提出的设计方法和制造技术的优势。此外，通过集成温度和电流传感器，在开发的 PM 中添加了智能功能，这对于 MEA 中电力电子的安全应用至关重要。在此背景下，演示了如何使用 MOSFET 的温度敏感电气参数进行在线结温估算，从而实现非侵入式（即无需专用传感器）热监控。此外，还设计了一个高度紧凑的栅极驱动器，以减少整个系统的体积和复杂性，并将其集成在 PM 的外壳中。最后，在 PM 以 500V 和 200A 运行时测量开关波形，证明了低电感布局、集成缓冲器和栅极驱动器所带来的性能改进。
基于平面的全 SiC 集成功率模块...
紧凑、轻便、高效和可靠的电源转换器是未来全电动飞机 (MEA) 的基础。支持航空航天工业电气化的核心要素是采用 SiC MOSFET 的电源模块 (PM)。为了充分利用 SiC 实现的高开关速度，并应对功率器件并联带来的挑战，必须研究新颖的 PM 概念。本文探索了高度对称的布局、低电感平面互连技术和集成缓冲电容器，以实现适用于 MEA 应用的高效、快速开关和可靠的全 SiC PM。对多项性能指标与最先进的全 SiC PM 的全面评估证明了所提出的设计方法和制造技术的优势。此外，通过集成温度和电流传感器，为开发的 PM 添加了智能功能，这对于 MEA 中电力电子的安全应用至关重要。在此背景下，展示了使用 MOSFET 的温度敏感电气参数进行在线结温估算，从而实现非侵入式（即无需专用传感器）热监测。此外，还设计了一个高度紧凑的栅极驱动器，减少了整个系统的体积和复杂性，并将其集成在 PM 的外壳中。最后，在 500V 和 200A 下测量 PM 运行时的开关波形，证明了低电感布局、集成缓冲器和栅极驱动器带来的性能改进。
研究论文：超临界流体驱动的无滞后、高性能聚合物电介质有机场效应晶体管
有机场效应晶体管 (OFET) 是有机电子电路的核心单元之一，OFET 的性能在很大程度上取决于其介电层的特性。有机聚合物，如聚乙烯醇 (PVA)，由于其固有的柔韧性和与其他有机成分的天然兼容性，已成为 OFET 备受关注的介电材料。然而，诸如滞后、高亚阈值摆幅和低有效载流子迁移率等不尽人意的问题仍然大大限制了聚合物介电 OFET 在高速、低压柔性有机电路中的实际应用。这项工作开发了一种使用超临界 CO 2 流体 (SCCO 2 ) 处理 PVA 介电体的新方法，以获得性能卓越的聚合物介电 OFET。 SCCO 2 处理可以完全消除 OFET 传输特性中的滞后现象，同时还可以显著降低器件亚阈值斜率至 0.25 V/dec，并将饱和区载流子迁移率提高至 30.2 cm 2 V − 1 s − 1 ，这两个数字对于柔性聚合物电介质 OFET 来说都是非常可观的。进一步证明，与有机发光二极管 (OLED) 耦合后，SCCO 2 处理的 OFET 能够在快速开关速度下运行良好，这表明通过这种 SCCO 2 方法可以实现聚合物电介质 OFET 的优异开关行为。考虑到 OFET 的广泛和重要应用，我们预见这种 SCCO 2 技术将在有机电子领域具有非常广泛的应用，尤其是对于高刷新率和低压柔性显示设备。
无铅储能多层陶瓷电容器的前景与挑战
摘要：随着对高功率密度电气和电子系统的需求不断增长，促进了具有高能量密度、高电容密度、高电压和频率、低重量、高温可操作性和环境友好性等特性的储能电容器的发展。与电解电容器和薄膜电容器相比，储能多层陶瓷电容器 (MLCC) 具有极低的等效串联电阻和等效串联电感、高电流处理能力和高温稳定性等特点。这些特性对于电动汽车、5G 基站、清洁能源发电和智能电网中的快速开关第三代宽带隙半导体等应用非常重要。目前已有大量关于最先进的 MLCC 储能解决方案的报道。然而，无铅电容器通常具有较低的能量密度，而高能量密度电容器通常含有铅，这是阻碍其广泛应用的关键问题。在这篇综述中，我们介绍了无铅储能 MLCC 的前景和挑战。首先介绍储能机理和器件特性；然后，从成分和结构优化等方面对储能用介电陶瓷进行总结；在详细介绍电极的制备工艺和结构设计后，讨论了储能用多层陶瓷电容器的最新进展；然后，从理论和技术的角度讨论了储能用多层陶瓷电容器在先进脉冲电源和高密度功率转换器方面的新兴应用；最后，讨论了实验室规模无铅储能用多层陶瓷电容器工业化的挑战和未来前景。关键词：多层陶瓷电容器（MLCC）；无铅介电陶瓷；储能；高
fe3gate2/wse2/fe3gate2 van der wa der waals异质结构
磁性隧道连接点（MTJ）是非挥发性随机访问记忆（MRAM）技术的领先存储成分。1,2它由夹在两个磁层层之间的薄隧道屏障层组成，提供快速开关速度，高耐力和低功耗。3，随着大数据和物联网的不断增长，优化了MTJ的运营，以实现较低的能源消耗以获得高密度记忆，并且更快的数据处理变得至关重要。4一种有效且易于访问的方法来操纵MTJ，正在使用电场，该电场在铁磁/铁电力多性异质结构中实现。5 MTJ Spintronic设备的行为和性能受到异质结构之间的界面的显着影响。4因此，实现MTJ的高质量接口对于充分利用其功能并增强数据处理速度至关重要。二维（2D）范德华（VDW）磁铁的出现为结构VDW异质结构提供了有前途的途径，与原子尖锐的互相互相互相互相耦合，6 - 14，这使得它使IT可以探索MTJ Pertronic设备的新颖电子控制。4,15近年来，在全VDW MTJ中，在带有隧道屏障HBN，MOS 2和INSE的全VDW MTJ中，在自旋阀设备中进行了显着的前进。16 - 21个最近的研究在低温下通过VDW异质结构中的电子均值报道了TMR。23 - 2516然而，在室温下实现TMR操作的电气控制仍然是一个持续的挑战，迄今为止，VDW异质结构尚未实现室温可调TMR。永远，发现2D VDW铁磁（FM）金属Fe 3 Gate 2，22，其在室温高于室温（居里温度≈350 - 380 K）上表现出强烈的铁磁作用，并稳健的大型垂直磁性各向异性，可以打开VDW旋转器件中房间温度旋转操作的可能性。
同志创新培训网络 - 2024年10月8日至10日...
jbokor@berkeley.edu Spintronics领域涉及对固态设备中的旋转和电荷运输的研究。超快磁性涉及使用飞秒激光脉冲来操纵子秒时尺度上的磁性，包括无螺旋性无依赖性的全光开关。我们通过使用超快光电传输（Auston）开关使用Picsecond电荷电流脉冲结合了这些现象（图1）诱导铁磁GDFECO薄膜磁化的确定性，可重复的超快逆转[1]。使用9 ps持续时间电流脉冲，磁化强度在〜10 ps中反转，比任何其他电气控制的磁开关都要快一个数量级，并且展示了不需要旋转偏光电流或旋转旋转转移/Orbit/Orbit torques的根本新的电气开关机制。（图2）此外，开关所需的能量密度较低，投影仅需4 fj即可切换A（20 nm）3个单元。通过非平衡热激发的这种超快磁化逆转现象主要限于基于GD的Ferrimagnet，例如在图2所示的实验中使用的GDFECO合金。1和2。为了将这种快速开关与读数集成，需要具有高隧道磁力电阻（TMR）的磁性隧道连接。然而，对于使用GDFECO的设备报告的TMR值太小（≈0.6％），用于实际应用[2]。在存在面内对称性磁场的情况下，将电流脉冲应用于重金属/铁磁性薄膜异质结构。因此，切换具有独立光学脉冲的铁磁铁非常有趣，然后可以在高TMR存储器单元中作为存储层实现。We have shown how to transfer the ultrafast switching of GdFeCo to a ferromagnet (in our case Co/Pt multilayers) using Ruderman–Kittel–Kasuya– Yosida (RKKY) exchange coupling mediated HI- AOS of the ferromagnet layer driven by the HI-AOS of the ferrimagnet layer [3, 4].该技术通常适用于其他铁磁体，然后可用于使用高TMR的开关磁性结构状态进行MTJ读数。我们还表明，6-10 ps持续时间电流脉冲可用于直接和确定性地切换通过自旋 - 轨道扭矩（SOT）[5]的铁磁薄钴膜的平面外磁化。取决于相对电流