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World File Search System性能增强
基于面部肌电图的性能增强......
摘要 最近的研究表明，基于面部肌电图 (fEMG) 的面部表情识别 (FER) 系统是虚拟现实 (VR) 环境中基于传统摄像头的 FER 系统的有前途的替代品，因为它们经济实惠、不依赖于环境光，并且可以很容易地合并到现有的 VR 耳机中。在我们之前的研究中，我们将基于黎曼流形的特征提取方法应用于记录在眼睛周围的 fEMG 信号，并证明仅需一次训练就可以以 85.01% 的高精度对 11 种面部表情进行分类。然而，传统的基于 fEMG 的 FER 系统的性能还不足以应用于实际场景。在本研究中，我们开发了一种新方法，通过对其他用户的标记数据集进行线性判别分析 (LDA) 自适应来提高 FER 性能。我们的结果表明，使用 LDA 自适应方法可以将平均分类准确率提高到 89.40%（p < .001，Wilcoxon 符号秩检验）。此外，我们展示了独立于用户的 FER 系统的潜力，该系统无需任何训练课程即可对 11 种面部表情进行分类，分类准确率达到 82.02%。据我们所知，这是首次以跨学科方式采用 LDA 自适应方法的研究。预计所提出的 LDA 自适应方法将作为一种重要方法，提高基于 fEMG 的 FER 系统在社交 VR 应用中的可用性。
多域作战的认知性能增强
比敌人更有优势。它甚至在最近的几份出版物中占据突出地位，包括 2019 年陆军现代化战略 (AMS) 和美国陆军多域作战 (MDO) 2028 概念。1 尽管认知科学取得了进步，并且认识到认知优势在多域作战中的重要性，但美国陆军尚未完全接受认知性能优化的概念。在过去十年中，美国国立卫生研究院已在脑研究上投资超过 535 亿美元，但士兵和领导者在“永远在线”的多任务和连接文化中进行训练和行动，这种习惯最终会降低认知能力。2 无论是在驻地还是在部署时，领导者都试图过滤数十条信息流并做出快速决策，同时睡眠不足，对认知性能优化原理的理解有限。3
生物库的性能增强...
BioBattery是一种使用无危险化学物质的有机废物的替代能量装置。进一步报道，热带杏仁（末端catappa L.）富含葡萄糖含量，使其成为生物材料设备的潜在电解质，尽管功率性能不是最佳的。因此，这项研究旨在通过添加乙酸来改善热带杏仁糊的性能。生物材料细胞，而热带杏仁糊作为电解质的电解质存储在盒子容器中，体积为600cm³，然后用铜和锌金属板作为阴极和阳极连接。用各种酸浓度为0％，10％，20％，40％和80％的生物材料制成了五个典型的生物库，这些设备被添加到电解质中。结果显示，功率性能的显着增强，从0.25 MW，没有任何酸到1.62 mW，并添加酸。添加20％乙酸的热带杏仁糊的生物库的性能最佳。基于结果，该设备的表征的开放式电池电压为0.93 V，功率曲线在电流为3.29 mA时的峰值为1.62 MW，稳定电流持续200小时。
Mg3+xSb1.5Bi0 的热电性能增强...
完整作者列表：Ozen，Melis；科克大学科学与工程研究生院；科克大学硼与先进材料应用与研究中心 Yahyaoglu，Mujde；科克大学科学与工程研究生院；科克大学硼与先进材料应用与研究中心 Candolfi，Christophe； Jean Lamour 研究所，Veremchuk，Igor；马克斯普朗克固体化学物理研究所，凯撒，菲利克斯；马克斯普朗克固体化学物理研究所、化学金属科学 Burkhardt，Ulrich； MPI CPfS，化学冶金学 Snyder，G.；西北大学，材料科学 Grin，Yuri； MPI CPfS，化学金属科学 Aydemir，Umut；科克大学化学系，化学；科克大学硼与先进材料应用与研究中心
19 单栅极 MOSFET 性能增强，
本研究通过采用高介电常数电介质材料来提高19nm单栅极MOSFET的性能。通过采用高K电介质材料代替SiO2，可以满足MOSFET器件尺寸缩小趋势的要求。因此，实现了具有不同高K电介质材料的19nm n沟道MOSFET器件，并分析了其性能改进。通过Silvaco TCAD工具中的ATHENA模块进行虚拟制造。同时，使用ATLAS模块利用器件特性。还对上述材料进行了模拟，并与相同结构的传统栅极氧化物SiO2进行了比较。最后，结果证明，氧化钛（TiO2）器件是金属栅极钨硅化物（WSix）组合的最佳介电材料。该器件 (WSix/TiO2) 的驱动电流 (ION) 在阈值电压 (VTH) 为 0.534 V 时为 587.6 µA/um，而预测的目标值为 0.530 V，并且 IOFF 相对较低，为 1.92 pA/µm。该 ION 值符合国际半导体技术路线图 (ITRS) 2013 年对低性能 (LP) 技术预测的最低要求。
金属半导体性能增强... - DR-NTU
AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构具有出色的电气和材料特性，使其成为制造高性能紫外光电探测器 (UV PD) 的理想选择，尤其是使用金属-半导体-金属 (MSM) 配置时。然而，MSM 设计的金属布局和多堆栈 HEMT 中的晶体缺陷会降低光电流并降低器件性能。具有不同纳米特征的 AlGaN/GaN 表面纳米结构化是一种很有前途的方法，可以提高光吸收效率并增加器件响应。在这项工作中，我们展示了通过使用周期性纳米孔阵列设计表面来增强性能参数的 AlGaN/GaN HEMT MSM 紫外光电探测器。光学模拟用于优化纳米孔周期性和深度的设计。我们制造了具有不同纳米孔深度的无图案化和纳米孔图案化器件，并且随着纳米孔的加入，它们的性能得到了显着增强。具有 40 nm 深纳米孔和 230 nm 阵列周期的器件在光电流 (0.15 mA)、响应度 (1.4 × 10 5 AW − 1 )、紫外/可见光抑制比 (≈ 10 3 ) 和比探测率 (4.9 × 10 14 Jones) 方面表现出最高的性能。这些发现提出了一种与 HEMT 兼容的策略来增强紫外光电探测器在电力光电应用中的性能，突出表明纳米孔图案化对于紫外光电检测技术的进步具有良好的前景。
具有最小时钟周期的性能增强计数器
摘要。同步二进制计数器是 VLSI 设计中常用的基本组件。同步二进制计数器速度快，可用于许多应用，因为它支持宽位宽。由于扇出量大和进位链长，许多以前的计数器在计数器尺寸较大时计数率较低。提出了一种新的同步二进制计数器快速结构，计数器尺寸从 8 位到 128 位，延迟非常低。为了降低硬件的复杂性，使用了 1 位约翰逊计数器，然后复制它以最大限度地减少大扇出引起的传播延迟。建议的设计是用少量的触发器实现的，使用一个后进位传播计数器和一个基于状态前瞻逻辑的计数器，从而降低了功耗和延迟。
相变材料热物理性能增强在储热领域的新进展
PCM 在潜热存储应用中的主要问题之一是提高热导率。已经进行了一些理论和实践研究来检查各种潜热存储系统的传热过程 [30]。目前，提高 PCM 热导率的主要方法是添加高热导率基质和化学改性添加剂的表面。这些包括表面和接枝功能团改性，以及添加多孔三维 (3D)、二维 (2D)、一维 (1D) 和零维 (0D) 结构添加剂。虽然改性和接枝功能团可以增加材料相容性并降低界面热阻，但改性的成功率较低且操作更复杂。加入导热基质可以形成导热链，从而减少声子散射并加快热量传输。另一方面，较高的添加剂质量含量将大大限制 PCM 的储热能力。因此，在选择提高 PCM 热导率的技术时，应考虑适当的添加量和实验条件。
基于拉伸试验的索桥结构先进复合材料粘结性能增强
摘要：结构钢和混凝土是社会基础设施建设不可或缺的材料。然而，这些材料会随着时间的推移而发生降解，从而导致钢筋腐蚀。为了解决这个问题，人们使用纤维增强聚合物 (FRP) 进行加固。在本研究中，进行了拉伸试验，以评估 FRP 应用于缆索桥结构的材料特性。这些测试旨在研究提高粘结性能的各种参数。基于不同参数的实验，如果满足以下条件，则可以实现足够的粘结性能：砂浆水 ≤ 16%（无论制造商如何）；劈裂深度与钢管长度比 ≥ 75%；砂浆注入方向向上/向下；以及使用纤维板加固。此外，试验中使用的钢管（长度为 410 mm，外径为 42.7 mm）在可加工性和成本效益方面表现最佳。通过进行更精确的测试来研究材料的基本特性，有可能实现更精确的条件以实现足够的粘结性能。这将有助于提高碳纤维增强塑料电缆在电缆桥架结构中的成本效益和安全性。
研究论文 PtSn 4 中磁热导率大幅抑制和磁热电性能增强
近年来，热电效应引起了材料科学、固体物理和化学领域的广泛关注。实际上，固态热电转换为能量收集和冷却提供了一种有前途的解决方案[1]。此外，研究热电现象对于理解固体材料中准粒子的基本传输行为也很重要[2]。材料的热电效率用性能系数zT=S2T/ρκ来衡量，其中S、T、ρ和κ分别是热电势、绝对温度、电阻率和热导率。S2/ρ称为热电功率因数。虽然表达式很简单，但获得高zT是一项具有挑战性的任务，因为这些传输参数是相互关联的。作为一项艰巨的任务，我们需要计算材料的热电效率，以确定材料的热电效率。