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机械与工业工程 .pdf
摘要 — 本文介绍了一种使用 Abaqus 对新型建筑起重机进行设计和 FEM 分析的方法。其目的是研究目前使用的传统建筑起重机，并用廉价、安全、可靠的建筑起重机取而代之。这些传统起重机由桉树脚手架制成，用于建造塔架，塔架上装有用于引导小车和吊钩组的悬臂部分。吊钩组在悬臂小车臂上移动，不旋转。悬臂小车臂是起重机的一部分，用于承载重量。带有滚筒的电机通过钢缆输送建筑材料。在 Solid Works 建模软件中创建了三维实体零件，并将其导出到 Abaqus 进行应力分析。在运行过程中，迫使进行静态和动态载荷的最危险条件单词 - 建筑塔起重机，乳房钻头，副吉布起重机，FEM分析
纳米级力传感的超导动力学电感设备
在本文中，我们为基于空腔光学原理的原子力显微镜提供了力传感器。我们解释了力传感器的功能，设计，工具和表征。力传感器的机械部分由一个非常细的尖端组成。在悬臂底座附近是一个LC电路，其共振频率在4 - 5 GHz范围内。电感器由超导蜿蜒的纳米线组成，该纳米线在紧张时会改变其电感。因此，可以通过测量LC电路的谐振频率如何变化来检测到可以检测到的瓷砖的机械运动。机械运动产生了微波频谱中的边带。一种检测方法是基于由两个微波色调驱动的电路，而悬臂则由安装在传感器附近的压电振荡器附近靠近其质量共振。测量信号的幅度取决于悬臂运动和微波色调的相位差。制造中的关键步骤包括释放悬臂的释放，通过将基板从前侧和后侧蚀刻出来，以及在悬臂的自由端上沉积尖端。制造是在整个半导体晶圆上进行的，并具有高产量。在几毫升的温度下，以几个赫兹的顺序测量了光力耦合强度G 0。然而，由于存在非热波动力，因此无法对悬臂与LC电路的共振频率移动的耦合恒定机械运动进行准确的校准。我们还介绍了LC电路中的微波损耗在范围1中的变化。7 - 6 K.我们的电路表现出比热平衡准粒子预期的更高的损失，我们将其归因于电路介电。准粒子损失设定了我们电路可以达到的质量因素的上限，而不管拓扑是什么。此外，LC电路在电流和动力学之间表现出非线性关系，从而实现了机械边带的参数扩增。因此，提出的力传感器将力传感器（悬臂），检测器（LC电路）和参数信号放大器（通过LC电路的非线性）集成在一个和同一组件中。
一种新颖的深钢筋学习启用泵存储的代理，用于泵存储水力系统电压控制
抽象的压电能量收集系统在通过低频操作为微电动设备供电方面起着至关重要的作用。在这里，已经为低功率电子设备开发了一种新型的压电能量收集设备。开发的压电能量收集系统由一个悬臂向外投射，悬臂一端连接到风圈，另一端连接到扭转弹簧。开发的压电能量收集系统在通电的微电器设备中的应用。悬臂向内放在压电电晶体堆栈中。当风击中时，会在防线器中产生涡流，该涡流振荡并在压电晶体堆栈中产生压力，以开发电能。从压电能量收集系统获得的输出电压不会影响压电晶体的任何输入频率。获得的结果表明，开发的压电能量收集系统会产生120-200 eV，为2.9×10 16 –4.84×10 16 Hz频率，考虑到基本电荷单元为40，对于4-9 m/s的可变风流。这项研究旨在开发用于低功率微电动设备的有效风能的压电能量收集系统。
使用二氟化氙蚀刻绝缘体上的硅对芯片边缘硅微悬臂进行表面微加工
Thomas Lerond、Dmitri Yarekha、Vanessa Avramovic、Thierry Melin、S. Arscott。使用氙二氟化物蚀刻绝缘体上的硅，对芯片边缘硅微悬臂进行表面微加工。《微力学与微工程杂志》，2021 年，31 (8)，第 085001 页。�10.1088/1361- 6439/ac0807�。�hal-03411474�
膜蛋白质 - 含量的定量，时间分辨测量
图。5：用酪蛋白钝化的悬臂背面的AFM图像在0.5pm T5溶液的溶液中孵育1.5h（箭头标记T5噬菌体或可能的酪蛋白聚集体）请注意，这里的条件与手稿中呈现的原位实验不同。
范德华异质结构的超干净装配
图1：VDW异质结构的无机组装。（a）几个从硅芯片伸出的悬臂的SEM显微照片。（b）示意图和（c）横截面高角环形暗场（HAADF）扫描透射电子显微镜（STEM）图像，显示了悬臂的多层金属涂层，可容纳2DM标本（样品中显示了多层MOS 2晶体中的样品）。（d）使用能量色散X射线光谱法在（c）中显示的区域的元素映射。（E）涂层过程后悬臂表面的AFM显微照片。均方根粗糙度值（r rms）在图像e上指示。 （F-H）采用的步骤将HBN晶体拾起到制造的悬臂上：（f）对齐，（g）接触和（h）升降。sem（l）和悬臂的光学（M）显微照片，拾取了厚（约40 nm）HBN晶体后。（i，j）拾取石墨烯晶体的步骤：对齐（I），接触和升降（J）。（n）光学显微照片显示了SIO 2上与石墨烯接触的悬臂（用虚线突出显示）。悬臂的灵活性可以准确控制层压过程。（k）石墨烯/HBN堆栈沉积在底部HBN晶体上。在整个底部HBN晶体被悬臂覆盖以选择性释放堆栈而不是将其捡起之前，层压过程要停止。（O）光学显微照片显示了氧化硅晶片上产生的异质结构，显示了较大的均匀区域。可以在补充第2节中找到有关其他样本的更多数据。