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通用HPV免疫程序
可以从以下方式订购或下载传单：www.healthpublications.gov.uk，致电：0300 123 1002（周一至周五的上午8点至下午6点开放）。This leaflet is also available translated into the following languages: Albanian, Arabic, Bengali, Brazilian Pt., Bulgarian, Chinese, Spanish, Estonian, Farsi, Fijian, Greek, Gujarati, Hindi, Kurdish, Latvian, Lithuanian, Nepali, Panjabi, Pashto, Polish, Romany, Romanian, Russian, Somali,他加禄语，土耳其，TWI，Tigrinya，乌克兰，乌尔都语，意第绪语和约鲁巴
免疫材料
FOREIGN LANGUAGE VISs can be downloaded from MDHHS's website at www.michigan.gov/immunize, for the following languages: Albanian, Amharic, Arabic, Armenian, Bengali, Bosnian, Burmese, Cambodian, Chinese, Chuukese, Croation (Serbian), Dari, Farsi, French, German, Haitian Creole, Hebrew, Hindi, Hmong, Ilokano, Indonesian, Italian, Japanese, Karen, Khmer (Cambodian), Kinyarwanda, Kiswahili, Korean, Marshallese, Nepali, Oromo, Pashto, Pohnpeian, Polish, Portuguese, Punjabi, Romanian, Russian, Samoan, Somali, Spanish, Swahili, Tagalog,泰国，蒂格里尼亚，汤加，土耳其，乌尔都语，越南和意第绪语。请注意：外语不再来自MDHHS的大量使用。
SEGGER 宣布支持意法半导体的STM32C0 MCU 系列
SEGGER 的高性能实时操作系统 embOS-Ultra 也已支持 STM32C0 系列。它使用循环分辨率计 时，提供更高的精度和时间分辨率。使用 embOS-Ultra 可提高性能并节省功耗，它还为应用 程序提供了可同时使用基于周期和基于微秒的计时选项。 API 与 embOS 完全兼容，使迁移变 得简单，无需更改应用程序，并保持 embOS 行为。 embOS-Ultra 只是在使用新的附加 API 调 用时提供循环计时，不用在两者之间做出选择。了解 embOS-Ultra ，可以点击文章： embOS- Ultra ：高分辨率系统时间
加速度诱発性意识消失（Gravity-induced loss of consciousness
摘要 重力引起的意识丧失 (G-LOC) 是战斗机飞行员面临的主要威胁，可能会导致致命事故。高 +Gz（头到脚方向）加速度力会诱发脑出血，导致周边视力丧失、中央视力丧失（昏厥）和 G-LOC。我们尝试建立一个公式，使用脑氧合血红蛋白 (oxyHb) 值、身高、体重和身体质量指数 (BMI) 来预测 G-LOC。我们分析了 2008 年至 2012 年间测量的 249 名人体离心机受训者的脑氧合血红蛋白值。受训者暴露于两种离心机模式。一种是 4G–15s、5G–10s、6G–8s 和 7G–8s，不穿抗荷服（间隔 60 秒，发作率为 1G/s）。另一组为 8G-15s，起始速率为 6G/s，穿着抗荷服。我们使用近红外光谱仪 (NIRS)（NIRO-150G，日本静冈县滨松光子学株式会社，滨松）测量了受训者的脑氧合血红蛋白值。分析了以下参数。A）基线值为 +Gz 暴露前 30 秒的平均值。B）+Gz 暴露期间氧合血红蛋白的最大值。C）+Gz 暴露期间氧合血红蛋白的最小值。D）氧合血红蛋白从最大值到最小值的变化率（变化率）。使用逻辑回归分析进行统计分析，以建立预测 G-LOC 的公式。受训者的年龄为 24.1 ±1.7（S.D.）（范围，22 ～ 30）
人权与通用人工智能意识（AI权利）
摘要：本文讨论了人工智能的人权（AI 权利）和通用人工智能（AGI）的意识。本文提出了一个定理来表明人工智能权利的必要性，并在某些假设下证明了该定理。此外，本文还提倡一种新的意识理论（主体引力理论），并提出了各种实验来证明该理论。此外，本文讨论了意识理论与人工智能权利之间的关系，并提出了一种新的架构（Fudoshin 架构）以促进人工智能的福祉。此外，本文还讨论了意识理论与人工智能协调的关系。
lis331dlh.pdf - 意法半导体
表 1.设备摘要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 表 2.引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 表 3.机械特性 @ Vdd = 2.5 V，T = 25 °C，除非另有说明。。。。。。。。。。7 表 4.电气特性 @ Vdd = 2.5 V，T = 25 °C，除非另有说明。。。。。。。。。。。。8 表 5.SPI 从机时序值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 表 6.I2C 从机时序值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10 表 7.绝对最大额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 表 8.串行接口引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。15 表 9.。。串行接口引脚描述 ............................................15 表 10.SAD+读/写模式 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。16 表 11.主机向从机写入一个字节时的传输 ..............................16 表 12.主机向从机写入多个字节时的传输：..........................17 表 13.主机接收（读取）从机的一个字节数据时的传输： ........。。。。。。17 表 14.主设备从从设备接收（读取）多个字节数据时的传输 .........17 表 15.寄存器地址映射。..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...................21 表 16.WHO_AM_I 寄存器 .....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..23 表 17.CTRL_REG1 寄存器 ..................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。23 表 18.CTRL_REG1 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..23 表 19.功率模式和低功耗输出数据速率配置 .< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.........24 表 20.正常模式输出数据速率配置和低通截止频率。........24 表 21.CTRL_REG2 寄存器 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>............. . . 24 表 22. CTRL_REG2 说明 . 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。...24 表 22.CTRL_REG2 说明 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................24 表 23.高通滤波器模式配置 ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.............25 表 24.高通滤波器截止频率配置 ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。25 表 25.CTRL_REG3 寄存器 .....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.......26 表 26.CTRL_REG3 描述 ..............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 表 27.INT 1 和 INT 2 焊盘上的数据信号。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 表 28.CTRL_REG4 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 表 29.CTRL_REG4 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 表 30.CTRL_REG5 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 表 31.CTRL_REG5 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 表 32.睡眠唤醒配置。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 表 33.参考寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 34.参考描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 35.STATUS_REG 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 36.STATUS_REG 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 37.INT1_CFG 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 38.INT1_CFG 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 39.中断 1 源配置。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表40.INT1_SRC 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表 41.INT1_SRC 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表 42.INT1_THS 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 43.INT1_THS 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.......31 表 44.INT1_DURATION 寄存器 .............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..........31 表 45.INT2_DURATION 描述。...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...........31 表 46.INT2_CFG 寄存器 ...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....................31 表 47.INT2_CFG 描述 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>......31 表 48. < /div>中断模式配置。...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32
HTS221 - 意法半导体
表 1. 器件概要.................................................. ... . 7 表 3. 湿度和温度参数规格. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 表 11. 主机向从机写入一个字节时的传输 . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 表 12. 主机向从机写入多个字节时的传输 . . . . . . . . . . . . . . . . 15 表 13. 主机接收（读取）从机一个字节数据时的传输 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 23 表 19. 解码传感器闪存中的系数 . ... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
lis331dlh.pdf - 意法半导体
表 1. 器件概要.................................................. ... . 6 表 3. 机械特性@Vdd = 2.5 V，T = 25 °C 除非另有说明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ................. ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 表 14. 主机接收（读取）来自从机的多个字节数据时的传输 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 表 22. CTRL_REG2 说明. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 表 23. 高通滤波器模式配置. ...高通滤波器截止频率配置. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 表 31. CTRL_REG5 描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 28 表 35. STATUS_REG 寄存器. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 表 36. STATUS_REG 描述. ... . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。31 表 46. INT2_CFG 寄存器. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31 表 47. INT2_CFG 描述. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31 表 48. 中断模式配置. ...
STG5682 - 意法半导体
如果器件承受的压力超过“绝对最大额定值”表中列出的额定值，则可能会对器件造成永久性损坏。这些只是压力额定值，并不表示器件在这些条件下或任何其他高于本规范操作部分所示条件的条件下运行。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响器件的可靠性。另请参阅 STMicroelectronics SURE 计划和其他相关质量文档。
Synopsys 和意法半导体
意法半导体为企业、网络、MCU 和高可靠性汽车等细分市场设计了先进技术节点的复杂片上系统 (SoC)。这些产品采用数千个内存实例设计，质量标准极高。生产目标是加快新产品推出 (NPI) 阶段的周期时间，并在检测到带有嵌入式内存的缺陷部件时缩短故障分析的周转时间。Synopsys STAR Memory System TM 用于测试、修复和诊断嵌入式内存，而 Synopsys Yield Explorer 则对内存诊断数据进行分析，以帮助快速识别和解决最先进工艺节点的系统故障机制。该组合解决方案是意法半导体向市场推出采用最新工艺技术的新型 SoC 的关键推动因素。