在生长过程中,腔体压力和晶圆温度分别保持在 5.0 托和 800 o C。我们采用脉冲注入策略来调节二次成核并实现逐层生长模式。每个反应循环包括 2 分钟所有前体共注入,然后中断前体并清洗 1 分钟,循环时间为 3 分钟。通过五个生长循环获得了晶圆级多晶 MoS 2 薄膜;因此,总生长时间为 15 分钟。
二维(2D)材料具有非凡的特性,使它们在下一代电子,光学,能量和传感器相关的应用中具有吸引力的纳米材料。要实现2D材料(例如过渡金属二核苷)(TMDC)的技术潜力,需要高度可控和可扩展的途径。尽管已经为TMDC开发了多种合成材料,但生产大规模的高质量晶体层仍然具有挑战性。与自上而下的方法相比,合成2D材料的自下而上的方法具有更大的应用范围。化学蒸气沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)途径表现出巨大的希望,因为它们能够构成大面积,产生出色的均匀性,无与伦比的保融性和原子尺度的可控性,除了行业兼容。对于TMDC的CVD和ALD,前体对形成的层的性质起着关键作用。在本演讲中,将突出显示代表性TMDC(MOS 2和WS 2)的金属有机前体,沉积条件和物质特性之间的相互作用。将讨论与经典CVD过程相关的高温的措施。对不同底物上层成核和生长的研究揭示了不同的生长模式和成核密度。新的前体组合为TMDC在中等至低温下的大面积结晶生长的直接生长铺平了道路,这对于广泛的应用是一个重要的优势。
使用功能性选择性的固体电解质相(SEI)作为阳极保护层,可以有效地避免随后用于锂硫(Li-s)持续的不平坦锂电沉降。解决了传统刚性LIF SEI的单个功能,机械粉碎和剥离的问题,这是一种独特的功能选择的刚性刚性固化耦合偶联的Lif插入式涂纸(LIF-GN)sei,作为一个构建的保护,是由In-Operando X-RayChipRoscrospry(Xpsprace)(Xpsprace)构建的。由于LIF和石墨烯层的协同作用,这种插入功能性的SEI体系结构表现出巨大的弹性模量(刚性 - 可易加的耦合与浅的年轻人的模量(〜430 MPA)(约430 MPA),并且可以伴随〜20 gpa的模量,并且可以与〜20 gpa的模量),并且是机械强度的强度,并且是机械的强度李离子的前所未有的可行性。因此,通过原点内的/相对的拟合,有效地排除了从Lif-gn SEI中排除的,li 2 s成核测试和视觉渗透实验,这是有效的能力,可以有效地保护li and-li and-seprorchem deceled cormecor cormecor,li 2 s成核测试和视觉渗透实验具有深刻的能力。在300个循环中,在1 c和0.5 c时的高排放能力为1092 mAh/g)。2020年,由Elsevier B.V.和Science Press代表科学出版社和中国科学院化学物理学院发表。
我们采用了 Torigoe 和 Ono [ J. Appl. Phys. , 121 , 215103 (2017)] 的方法来研究直拉硅中氧化物沉淀过程中 β 的动力学,β 是每个沉淀氧原子发射的自间隙子数量。为此,我们使用了具有埋入式高 B 掺杂外延层的 pp 外延晶片,并在 950 °C 下进行和未进行热预处理进行退火。根据结果,我们得出结论,在没有热预处理的氧化物沉淀的初始阶段,β 非常高,然后下降到较低的值。在 800 °C 下进行 2 小时的热预处理后,β 的初始值会稍低,然后也会下降。如果在 950 °C 热处理之前进行成核退火,β 值从一开始就很低。所有这些结果都通过实验证实了我们之前发表的理论预测。这项研究还表明,晶体拉制过程会影响初始 β 值,因为生长的氧化物沉淀物核可以通过空位吸收来降低其应变。因此,在氧化物沉淀物成核时晶体冷却过程中的高空位过饱和会导致初始 β 值略低。© 2024 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章,根据知识共享署名 4.0 许可条款分发(CC BY,http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/ ),允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品,前提是对原始作品进行适当引用。[DOI:10.1149/ 2162-8777/ad670d ]
高重力技术解决了与常规方法相关的关键挑战,例如溶胶 - 凝胶,水热和化学还原,这通常会导致由于次优混合和传质而导致的异质粒径和分布。高重力合成中使用的RPB反应器会产生离心力,从而产生高效的混合区,从而确保均匀的反应物分布并减少成核和生长所需的时间。这种受控的环境促进了具有一致的大小和形态的纳米颗粒的合成,这是需要高精度的应用的先决条件,例如药物输送和光电子。
在上法学院之前,Wen获得了博士学位。德克萨斯大学奥斯汀分校的化学工程专业,她的研究重点是推进电子设备中的纳米技术和半导体。她的论文“控制化学蒸气沉积中超薄氟芬膜的成核和生长”,涉及开发用于超薄和光滑扩散屏障的沉积方法,以防止铜扩散并减少电子散射。她还具有聚合物合成的经验,并定向块共聚物,可以在当前纳米光刻工具的分辨率限制之外创建化学图案表面。
摘要在纳米材料力学实验室和俄罗斯科学学院机械工程学研究所的纳米材料力学和缺陷理论中对研究活动进行了简要综述。它涵盖了旨在解释和理论描述这些材料机械行为的以下特征:与错位的经典Hall-Petch法律,同质和异构的成核的偏差,晶粒边界滑动,其适应性的机制以及其适应性,旋转变形,旋转变形,变形二,变形的晶粒和范围的机制,以及相互作用的范围和相互作用。讨论了一些最重要且最有趣的结果,并将其与实验研究和计算机模拟的可用数据进行了比较。
空洞和空位环形成的概率几乎相等。空洞或空位环在何种条件下形成尚待推测;一般认为,除非有空洞成核位点且杂质原子稳定,否则不会形成空洞。如果不满足这些条件,原本会形成空洞的空位(或空洞胚胎)要么迁移到稳定的缺陷凹陷,即空位环,要么保持亚稳态瞬态配置。虽然后一种情况发生的概率较小,但本研究结果似乎支持其发生。当样品在辐照后冷却至室温时,这种配置可以保留,随后在相对较低的温度下重新加热时退火。
项目涉及制造工艺(铸造/焊接/表面重熔/熔覆等)中凝固过程的多尺度数值研究。宏观模型为连续尺度,将基于有限体积法,在求解质量、动量和能量方程后获得温度场。获得的温度场与低尺度模型(中尺度/微尺度)耦合,以模拟中尺度结构(晶粒结构)或微观结构。低尺度模型包括两种现象 1. 成核 2. 生长,并基于细胞自动机算法。多尺度、多物理模拟将用于执行参数研究,以将工艺参数与微观结构联系起来并表征形态转变。
在小小的不良方向引起的2D材料中有序的中尺度结构允许探索各种各样的电子,铁电和量子现象。到目前为止,唯一诱导这种周期性排序的机制是通过层之间的机械旋转,而所得的Moire模式的周期性与扭角直接相关。在这里,我们报告了通过电子束引起的多层含硫的金属磷酸元素的MNPS 3的介观周期模式出现的根本不同的机制。在周期性的六角形图案的光束下形成,这些图案具有多个特征长度尺度,成核和相之间的跃迁以及局部动力学。