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World File Search System截止频率
信一种采用 InP DHBT 工艺的高带宽利用率 ECL 静态分频器
高速宽带分频器广泛应用于正交信号产生[1, 2]、时间交织THA和ADC系统[3, 4, 5]以及其他高速通信领域[6]。目前，已有多种基于不同拓扑和工艺的分频器被报道。特别地，InP DHBT在相同尺寸的器件下具有更高的击穿电压和更好的频率性能[7, 8]，这意味着InP DHBT是高速分频器电路的更好选择。但是，电路的工作频率范围不能超过与器件工艺有关的截止频率ft的几分之一[9]，这限制了电流型逻辑 (CML) 分频器的工作频率[9, 10]。为了提高分频器电路的高频性能，应努力提高相同ft 的器件的工作频率的利用率。已经发表了许多增强技术来扩展分频器的工作频率范围，例如电感峰值[9, 11, 12, 13]，分流电阻负载[14, 15, 16]，非对称锁存器[17]，动态分频器[18, 19, 20, 21, 22]和双射极跟随器[23, 24]。然而，在电路设计中最大限度地利用器件ft的报道很少。本信
飞秒激光构建分级铂铱电极的电化学和生物性能
摘要 神经电极接口对于各种生物电子治疗的刺激安全性和记录质量至关重要。最近提出的由飞秒激光制备的分级铂铱 (Pt-Ir) 电极在体外表现出优异的电化学性能，但其在体内的性能仍不清楚。在本研究中，我们通过在成年大鼠脑内植入 1、8 和 16 周来探索分级 Pt-Ir 电极的电化学性能、生物反应和组织粘附性。以普通光滑 Pt-Ir 电极作为对照。结果表明，两种电极的电化学性能在植入过程中下降并趋于平稳。然而，16 周后，分级电极的电荷存储容量稳定在~16.8 mC/ cm 2 ，是光滑对照电极 (1.1 mC/cm 2 ) 的 15 倍。此外，高度结构化的电极具有更低的阻抗幅度和截止频率值。与光滑电极相似的组织学反应表明分层结构的 Pt-Ir 电极具有良好的生物相容性。鉴于其卓越的体内性能，飞秒激光处理的 Pt-Ir 电极在神经调节应用方面表现出巨大的潜力。
具有小尺寸的超高阻伪电阻...
摘要 —本文介绍了一种由工作在亚阈值区域的串联 PMOS 器件组成的新策略和电路配置，用于实现极低频有源 RC 滤波器和生物放大器所需的超高值电阻器。根据应用不同，例如生物放大器中的信号带宽可能从几 mHz 到最高 10 kHz 不等。提出了三种不同的电阻结构来实现超高阻值。虽然提出的超高阻值伪电阻器的阻值在几 T Ω 的数量级，但它们占用的片上硅片面积很小，这是超低功耗可植入生物医学微系统中模拟前端电路设计的主要问题之一。此外，这些超高阻值电阻器导致使用小电容来产生非常小的截止频率。因此，实现电容所需的大面积也大大减少。所提出的电阻结构在宽输入电压范围（-0.5 V~+0.5 V）内变化很小，约为7%和12%，从而显著改善了生物放大器的总谐波失真和系统的模拟前端。在180nm CMOS工艺中设计的不同电路的仿真结果证明了所提出的超高阻值伪电阻的优势。
MEMS 数字输出运动传感器超低功耗高满量程 3 轴“纳米”加速度计
表 1.设备摘要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 表 2.引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 表 3.机械特性 @ Vdd = 2.5 V，T = 25 °C，除非另有说明。。。。。。。。。。9 表 4.电气特性 @ Vdd = 2.5 V，T = 25 °C，除非另有说明。。。。。。。。。。。10 表 5.SPI 从机时序值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 表 6.I2C 从机时序值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 表 7.绝对最大额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 表 8.串行接口引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。17 表 9.串行接口引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。17 表 10.SAD+读/写模式。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 表 11.当主机向从机写入一个字节时传输。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18 表 12.当主机向从机写入多个字节时传输：。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。19 表 13.当主机从从机接收（读取）一个字节的数据时传输： 。。。。。。。。。。。。。19 表 14.。主设备从从设备接收（读取）多个字节数据时的传输 。.......19 表 15。寄存器地址映射。...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。................23 表 16.CTRL_REG1 寄存器 .......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。24 表 17.CTRL_REG1 说明 .....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....24 表 18.功率模式和低功耗输出数据速率配置 .......................24 表 19.正常模式输出数据速率配置和低通截止频率 ........25 表 20.CTRL_REG2 寄存器 ..............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..............25 表 21.CTRL_REG2 描述 ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................25 表 22.高通滤波器模式配置 ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...26 表 23.高通滤波器截止频率配置 ...............................26 表 24.CTRL_REG3 寄存器 .........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。......................26 表 25.CTRL_REG3 描述 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.26 表 26.INT 1 和 INT 2 引脚上的数据信号 ..................。。。。。。。。。。。。。.........27 表 27.CTRL_REG4 寄存器 ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................27 表 28.CTRL_REG4 描述 .......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....................27 表 29.CTRL_REG5 寄存器 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...28 表 30.CTRL_REG5 描述 .........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>.........28 表 31.睡眠唤醒配置 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>............28 表 32.参考寄存器。....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 33.参考说明 ....< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 34.STATUS_REG 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 35.STATUS_REG 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 36.INT1_CFG 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表 37.INT1_CFG 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表 38.中断 1 源配置 ..........< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 39.INT1_SRC 寄存器 ....< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>...31 表 40.INT1_SRC 描述 .。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 41.INT1_THS 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 42.INT1_THS 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 表 43.INT1_DURATION 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 表 44.INT2_DURATION 说明。....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 表 45.INT2_CFG 寄存器 .....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.........32 表 46.INT2_CFG 描述 ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...............32 表 47.中断模式配置。.......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。33 表 48.INT2_SRC 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。33
lis331dlh.pdf - 意法半导体
表 1.设备摘要。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 表 2.引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 表 3.机械特性 @ Vdd = 2.5 V，T = 25 °C，除非另有说明。。。。。。。。。。7 表 4.电气特性 @ Vdd = 2.5 V，T = 25 °C，除非另有说明。。。。。。。。。。。。8 表 5.SPI 从机时序值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 表 6.I2C 从机时序值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10 表 7.绝对最大额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 表 8.串行接口引脚描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。15 表 9.。。串行接口引脚描述 ............................................15 表 10.SAD+读/写模式 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。16 表 11.主机向从机写入一个字节时的传输 ..............................16 表 12.主机向从机写入多个字节时的传输：..........................17 表 13.主机接收（读取）从机的一个字节数据时的传输： ........。。。。。。17 表 14.主设备从从设备接收（读取）多个字节数据时的传输 .........17 表 15.寄存器地址映射。..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...................21 表 16.WHO_AM_I 寄存器 .....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..23 表 17.CTRL_REG1 寄存器 ..................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。23 表 18.CTRL_REG1 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..23 表 19.功率模式和低功耗输出数据速率配置 .< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.........24 表 20.正常模式输出数据速率配置和低通截止频率。........24 表 21.CTRL_REG2 寄存器 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>............. . . 24 表 22. CTRL_REG2 说明 . 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。...24 表 22.CTRL_REG2 说明 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................24 表 23.高通滤波器模式配置 ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.............25 表 24.高通滤波器截止频率配置 ..........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。25 表 25.CTRL_REG3 寄存器 .....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.......26 表 26.CTRL_REG3 描述 ..............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 表 27.INT 1 和 INT 2 焊盘上的数据信号。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 表 28.CTRL_REG4 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 表 29.CTRL_REG4 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 表 30.CTRL_REG5 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 表 31.CTRL_REG5 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 表 32.睡眠唤醒配置。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 表 33.参考寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 34.参考描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 35.STATUS_REG 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 36.STATUS_REG 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 表 37.INT1_CFG 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 38.INT1_CFG 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 表 39.中断 1 源配置。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表40.INT1_SRC 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表 41.INT1_SRC 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 表 42.INT1_THS 寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 表 43.INT1_THS 描述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.......31 表 44.INT1_DURATION 寄存器 .............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..........31 表 45.INT2_DURATION 描述。...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...........31 表 46.INT2_CFG 寄存器 ...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....................31 表 47.INT2_CFG 描述 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>......31 表 48. < /div>中断模式配置。...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32
双Si平面掺杂提高InP基HEMT的辐射抗力
提出一种采用双Si掺杂平面优化的InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)抗辐照结构,在沟道层下方增加Si掺杂平面,使InP基HEMT的沟道电流、跨导、电流增益截止频率和最大振荡频率均有较大提升。此外,详细比较了单Si掺杂和双Si掺杂结构在75keV质子辐照(剂量分别为5×10 11 cm − 2、1×10 12 cm − 2和5×10 12 cm − 2)后的直流(DC)和射频(RF)特性及其降低率。两种结构的DC和RF特性均随着辐照剂量的增加而逐渐下降,尤其在5×10 12 cm − 2剂量下下降最为显著。此外，双硅掺杂结构的特性退化程度明显低于单硅掺杂结构，尤其是在较大的质子辐照剂量下。通过插入另一个硅掺杂平面来提高质子辐射耐受性可能是由于本征载流子大幅增加，这必然会大大削弱辐照诱导缺陷对载流子去除的影响。
特刊“环境中的多种耐药细菌，它们的抵抗和转移机制”
摘要：随着民用和军事领域的通信技术的快速发展，电磁波引起的电磁辐射污染问题变得特别突出，并带来了巨大的伤害。迫切需要探索有效的电磁波吸收材料来解决电磁辐射污染的问题。因此，各种吸收材料已经迅速发展。中，具有出色磁性特性的铁（Fe）磁吸收颗粒材料，高Snoek的截止频率，饱和磁化和居里温度，表现出极好的电磁波损失能力，是吸收吸收材料的一种承诺。然而，铁磁颗粒的阻抗匹配，易于氧化，高密度和强烈的皮肤作用的缺点。通常，形态结构设计和多组分材料复合材料的两种策略用于改善基于Fe的磁吸收剂的微波吸收性能。因此，在微波吸收中已广泛研究了基于Fe的微波吸收材料。在这篇综述中，通过近年来对基于Fe的电磁吸收材料的报告摘要进行了审查，从详细讨论了基于Fe和Fe的复合吸收器的不同方面的详细讨论基于Fe的吸收材料的研究进度，并进行了基于Fe的吸收材料的研究进度，并进行了制备方法，吸收培养基和基于铁的吸收材料的吸收机制。同时，还阐述了基于Fe的吸收材料的未来开发方向，为有效的电磁波吸收材料的研究和开发提供了参考，具有较强的吸收性能，频率带宽，轻质重量和较薄的厚度。
环绕栅极无结渐变通道MOSFET（SJLGC MOSFET）的模拟/Rf和稳定性研究
摘要：本文利用ATLAS TCAD器件模拟器从模拟、RF性能的角度探讨了环绕栅极无结渐变通道 (SJLGC) MOSFET 的潜在优势。系统地研究了横向渐变通道对电位、电场、载流子速度、通道能带的影响。本研究主要强调了 SJLGC MOSFET 的优越性能，表现出更高的漏极电流 (ID )、跨导 (gm )、截止频率 (f T )、最大振荡频率 (f max )、临界频率 (f K )。由于通道渐变的影响，SJLGC MOSFET 的漏极电流提高了 10.03%。SJLGC MOSFET 的 f T、f max 和 f K 分别提高了 45%、29% 和 18%，表现出更好的 RF 性能。 SJLGC MOSFET 相对于 SJL MOSFET 的优势进一步得到阐明，其固有电压增益 (gm / g ds ) 提高了 74%，表明其在亚阈值区域具有更好的应用。但在亚阈值区域，SJLGC MOSFET 的跨导产生因子小于 SJL MOSFET。由于较低的栅极间电容 (C GG ) 的影响，SJLGC MOSFET 的固有栅极延迟 (ζ D ) 与 SJL MOSFET 相比较小，表明其数字开关应用更好。模拟结果表明，SJLGC MOSFET 可以成为下一代 RF 电路的有力竞争者，该电路涵盖了 RF 频谱中的广泛工作频率。
PEDOT的电化学研究：人造汗液中的PSS/石墨烯老化
摘要：在本文中，我们研究了由PEDOT：PSS/石墨烯组成的复合材料的潜在应用，该复合材料通过喷雾涂层沉积在柔性底物上，作为一种自动导电膜，用于在可穿戴生物传感器设备中应用。PEDOT：PSS/石墨烯的稳定性通过电化学障碍光谱（EIS），环状伏安法（CV）和线性极化（LP）进行评估，而在人造汗液电解质中暴露于人造汗液中，而扫描电子显微镜（SEM）则用于调查以下这些层中的文学变化。结果表明，层在-0.3至0.7 V相比Ag/agCl的电势范围内表现出主要的电容性行为，截止频率约为1 kHz，在500个周期后保持90％的容量。在暴露于空气中的衰老6个月仅导致阻抗的略有增加，这表明在不需要的条件下存储潜力。然而，对人造汗液的长时间暴露（> 48 h）会导致明显的降解，从而导致阻抗增加超过1个数量级。观察到的降解引发了这些层在可穿戴生物传感器应用中的长期生存能力的重要考虑因素，从而促使在长时间使用过程中需要采取其他保护措施。这些发现有助于持续的努力，以增强医疗保健和生物技术应用中生物传感器的稳定性和可靠性。
低通滤波器仿真模型的开发
摘要 本研究将讨论低通滤波器这一主题。研究范围将包括研究人员在整个实验过程中获得的数据、低通滤波器的样本图、理论和背景介绍以及数据和结果的分析。此外，研究还将研究一个名为 Multisim 的软件程序，以更准确地观察低通滤波器的行为。选择这个主题是因为这是研究人员最熟悉的滤波器类型。此外，这种类型的滤波器用于许多音频应用中，它可以消除背景噪音、消除数据分析中的特定频率、无线电调谐等等。因此，这种类型的滤波器被称为高切或高音切滤波器。这种熟悉是每个小组成员在整个课程中的先前经验和学习的结果。关键词：低通滤波器、截止频率、RC 低通滤波器、RL 低通滤波器、频率响应。1. 简介低通滤波器是只接受低频信号通过并阻止高频信号的滤波器 [1]。低频信号被定义为频率值低于截止频率的信号 [2]。此外，它分离输入信号，并根据频率值接受或拒绝信号。此外，它由与电感器或电容器连接的电阻器组成。只有两种类型的低通滤波器，即电感式和电容式低通滤波器 [3,4]。电容滤波器是电阻器和电压源串联连接。电容器两端的阻抗与频率成反比关系，而电容器的阻抗会随着频率值的增加而减小 [5]。这意味着电容器对低频具有高电阻，从而阻止其通过电容器。它对高频信号的电阻也很低。高频信号将通过电容器，因为它对它的电阻很低，而电容器将拒绝低频信号。因此，它将通过输出电压。由于电容器的反应性，电容器倾向于将高频信号与低频信号分开 [6]。