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库仑激发截面
人们对 229 Th 核中低能级同质异能态 3 / 2 + （ E < 10 eV）产生了浓厚的兴趣，因为可以设计超精密核钟 [1, 2, 3, 4]、光学范围的核激光器 [5, 6] 和 VUV 范围的核发光二极管 [7]，以及研究许多不寻常的过程：激光辐射通过电子桥处的电子壳层激发和衰变 229 m Th [8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15]，通过边界条件 [16] 或化学环境 [17, 18] 控制同质异能能级 γ 衰变，229 m Th 异构体的 α 衰变 [19] 及其伴随的轫致辐射 [20]，精细结构常数和强相互作用参数变化的相对影响 [21, 22, 23]、长时间衰变定律的指数性检验 [24] 等。229 m Th 同质异能态的激发能量是所有已知原子核中最低的。根据最新数据 [25]，它的能量 E is 为 8.19±0.12 eV。这个结果与文献 [26] 中获得的 E is = 8.28±0.17 eV 值接近，也与文献 [27] 测量的 E is = 8.10±0.17 eV 和文献 [28] 中的 E is = 7.8±0.5 eV 接近。在此之前，在 1990 年至 2007 年的相当长的一段时间内，人们认为 E is < 5 eV [29, 30]。目前，233 U 的 α 衰变实际上是获得 229 m Th 异构体的唯一方法。目前无法通过激光辐射有效激发 229 m Th，因为这需要比现在更精确地了解跃迁能量。因此，在工作 [7] 中，提出通过非弹性电子散射激发 229 m Th。事实证明，在束流能量区域 E ≈ 10 eV 内，激发截面达到 10 − 25 cm 2 的值。如此大的截面表明，使用带负电的粒子束获得 229 m Th 的方法是有前途的。作为工作 [7] 的延续，我们在此考虑低能μ子与 229 Th 核的非弹性散射过程。此类工作的先决条件可能是以下考虑。在 Born 近似中，核激发到能量为 E 的同质异能态的截面在文献 [31] 中通过分析获得，在文献 [32] 中通过分析获得。磁偶极子 ( M 1) 跃迁和电四极子 ( E 2) 跃迁的截面形式为 [31, 32]
校正到截面-48-props-proped-propulation-tefinition
仅根据要求加快治疗的首字母中包含的信息加急处理的请求。OCC征求加急处理请求时，OCC将在可行的情况下尽快处理记录。（v）如果OCC拒绝加急处理请求，请求者可以根据本节（d）段对拒绝提出上诉。如果请求者在纸上提出上诉，则必须明确标记信封和上诉本身，‘呼吁加快加工。''（vi）OCC将迅速考虑上诉，并将裁定的请求通知请求。* * * * * *（d） * * * *（1）过程。请求者可以提出不利的确定，包括拒绝记录请求，根据本节（c）（5）款的加急处理请求，以及根据§4.17（b）（4）的费用豁免或减少的请求。所有上诉必须在初始确定日期后的90个日历日内以书面形式提交。上诉必须包括支持披露请求记录的情况和论点。对拒绝加急处理的初步决定的上诉也必须遵循本节（c）（5）（v）款中规定的程序。（2）上诉确定。主计长或审计长的代表确定是否授予拒绝的上诉：（i）OCC记录请求； （ii）加快处理的请求；或（iii）放弃或减少费用。* * * * *■3。修订和重新发布如下：修订第4.16条作者：■a。修改和重新发布（a）（1）段； ■b。修订（b）（1）（i）和（ii）款；和■c。在第（b）（2）（v）款中删除“’”一词，除非OCC有实质性的理由相信信息披露将导致竞争危害''。
任意截面轴向应力监测策略...
任意横截面的轴向应力监测是一项具有挑战性的任务。桁条是飞机蒙皮结构的主要轴向承载部件，具有典型的复杂横截面。本文研究了基于声弹性导波的压电锆钛酸铅 (PZT) 传感器的任意横截面轴向应力监测策略。为了选择对任意横截面轴向应力监测敏感的适当导波频率和模式，使用声弹性理论结合半解析有限元法研究特征导波。推导出模态形状，表明这些纵向模态对轴向应力更敏感。还考虑使用 PZT 换能器阵列来最大化所需模式。压电传感器用于在实验中激发和检测导波。给出了 T 型桁条的声弹性测量结果，表明该方法用于轴向应力监测的可行性。
229 m Th低能μ子库仑激发截面*
Th 核中的低能同质异能态 (eV) 已引起人们的广泛兴趣，因为它可以用于设计超精密核钟[1-4]、光学范围的核激光器[5,6]和 VUV 范围的核发光二极管[7]，也可以用于研究许多不寻常的过程：Th 在激光辐射下通过电子桥处的电子壳层激发和衰变[8-15]，通过边界条件 [16]或化学环境 [17,18]控制同质异能能级衰变，Th 异构体的衰变[19]及其伴随的轫致辐射[20]，精细结构常数和强相互作用参数变化的相对效应[21-23]，长时间内衰变定律的指数性检验[24]，等等。
10 keV 至 100 GeV 的光子截面、衰减系数和能量吸收系数
合作。咨询小组每个都关注一个技术领域，定期开会审查计划的主要部分，分配相对优先级，并确定需要进一步关注的具体关键问题。对于选定的特定主题，咨询小组会赞助子小组，这些小组会对用户需求、当前知识状态和现有数据资源进行详细研究，并以此为基础推荐一项或多项数据汇编活动。本次大会
使用三次参数曲线段和黄金分割生成 NACA 四位数翼型截面
Charles W. Haines 博士、Panchapakesan Venkataraman 博士、Mark H. Kempski 博士、Chris Nilsen 博士（他不知不觉地引导我走上了贝塞尔曲线的道路）、George Komorowski 先生和 David Hathaway，均为 RTT 机械工程系的教职员工。
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
图 11 不同配置层偏压下 CSOI 器件瞬态电流典型曲线 （ a ） 和 CSOI SRAM 电路的单粒子翻转截面变化 （ b ） Fig. 11 Typical transient current curve of CSOI device (a) and single event upset cross-section variation of CSOI SRAM circuit (b) under different configuration layer biases
YP28U2，图3形的带有可调垫片的铝连接器
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