人类的大脑可以通过动态变化的环境不断地获取和学习新技能和知识,而不会忘记以前学习的信息。这样的能力可以选择性地将一些重要且最近看到的信息转移到大脑的持续知识区域。受到这种直觉的启发,我们提出了一种基于内存的新方法,用于持续学习中的图像重建和重构,由临时和不断发展的记忆组成,并具有两种不同的存储策略,涉及临时和永久记忆。临时内存旨在保留最新信息,而不断发展的内存可以动态增加其功能,以保留永久的知识信息。这是通过提出的内存扩展机械性来实现的,该机构有选择地将这些数据样本从临时存储器转移到根据信息新颖性标准在进化存储器中罚款的新群集。这种机制促进了进化记忆中群集之间的知识多样性,从而通过使用紧凑的mem-ory容量来捕获更多多样化的信息。此外,我们提出了一种两步优化策略,用于训练变分自动编码器(VAE)以实现生成和表示学习任务,该策略使用两个优化路径分别更新了生成器和推理模型。这种方法导致了一代和重建性能之间的取舍。源代码和补充材料(SM)可在https://github.com/dtuzi123/demc上找到。我们从经验和理论上表明,所提出的方法可以学习有意义的潜在表示,同时从不同领域产生各种图像。
人类的大脑可以通过动态变化的环境不断地获取和学习新技能和知识,而不会忘记以前学习的信息。这样的能力可以选择性地将一些重要且最近看到的信息转移到大脑的持续知识区域。受到这种直觉的启发,我们提出了一种基于内存的新方法,用于持续学习中的图像重建和重构,由临时和不断发展的记忆组成,并具有两种不同的存储策略,并涉及临时和永久记忆。临时内存旨在保留最新信息,而不断发展的内存可以动态增加其功能,以保留永久的知识信息。这是通过提出的内存扩展机制来实现的,该机构有选择地将这些数据样本从临时存储器转移到根据信息新颖性标准在演变的存储器中删除的新群集。这种机制促进了进化记忆中群集之间的知识多样性,从而通过使用紧凑的mem-ory容量来捕获更多多样化的信息。此外,我们提出了一种两步优化策略,用于培训变分自动编码器(VAE)以实现生成和表示学习任务,该策略使用两个优化路径分别更新了生成器和推理模型。这种方法导致了一代和重建性能之间的取舍。源代码和补充材料(SM)可在https://github.com/dtuzi123/demc上找到。我们从经验和理论上表明,所提出的方法可以学习有意义的潜在表示,同时从不同领域产生各种图像。
最近,人们投入了大量精力来开发用于模拟凝聚相环境中量子力学过程动态的精确方法。这种兴趣主要受到量子信息理论的进步、1,2 对高效太阳能收集和传输的追求、3 以及对具有目标功能的纳米级设备进行优化设计的需求的推动。4 量子相干性在与多原子或凝聚相环境接触的系统动力学中的作用至关重要。由于量子力学相的微妙性质,评估干涉效应及其破坏需要有高精度、完全量子力学的模拟工具。在涉及孤立分子组装体或晶体介质中的自旋、电荷或能量传输的过程中,以及在高斯响应占主导地位的其他情况下,5 与可观测系统耦合的环境可以通过二次自由度很好地近似,从而产生系统浴哈密顿量 6
通常,MCU被设计为具有足够的芯片内存以满足目标应用程序的需求。较大的MCU可能具有更多的处理能力,并且相应的片上SRAM或视频RAM可以运行更强大的算法并处理大量数据。相反,较小的MCU将带有较小的芯片内存。如果需要其他RAM,设计人员将使用外部RAM来补充系统,以充当扩展内存。人机界面(HMIS)可能需要大量的缓冲存储器来渲染图形。压缩技术有时用于在数据传输过程中克服此问题,以减少本地存储要求或系统带宽要求。这意味着将这些文件解压缩可能需要大量的刮擦记忆。在显示器上渲染这些高分辨率图像也需要额外的内存来缓冲图像。大
1. DDR5 架构包括效率改进,即使在相同的理论速度 3200MT/s 下,由于 DDR5 技术具有高总线效率,系统带宽也比 DDR4 多 36%。结合每个模块的较低电压,此设计可提供卓越(更好)的性能。2. 在内存密集型工作负载下,由于突发长度增加一倍,存储体和存储体组增加一倍,并且速度明显高于 DDR4,DDR5 可提供 1.87 倍的带宽。它不仅在测试期间,而且在实际条件下,都支持以更高的通道效率扩展内存性能,即使在更高的速度下也是如此,这由为微电子行业制定开放标准的独立标准化机构 JEDEC 确定。3. 计算机必须具有支持 DDR5 的 CPU 和主板。Crucial DDR5 台式机内存与 DDR4 主板不兼容。 4. DDR5 的发布速度为 4800MT/s,可与极限性能 DDR4 内存速度相媲美,比标准 DDR4 的最大速度 3200MT/s 快 1.5 倍(50%)。DDR5 的发布速度为 4800MT/s,可提供标准 DDR4 的最大速度 3200MT/s 的 1.87 倍带宽。5. DDR5 的发布数据速率为 4800MT/s,传输的数据量比标准 DDR4 的最大数据速率 3200MT/s 多 1.5 倍(50%)。6. 发布时的密度和计划中的密度由 JEDEC 针对 DDR5 一代内存的使用寿命进行定义。7. DDR5 模块 (DIMM) 通过电源管理集成电路 (PMIC) 在模块上引入电压调节,从而实现更好的电源调节并减少主板上 DRAM 电源输送网络 (PDN) 管理的范围,从而提高效率。 8. Crucial DDR5 台式机内存是非 ECC 内存。ECC 适用于 RDIMM、LRDIMM、ECC UDIMM 和 ECC SODIMM,它是一种需要模块级额外 DRAM 的功能,以便服务器和工作站等平台可以纠正单个模块 (DIMM) 上的错误。但是,片上 ECC (ODECC) 是 DDR5 组件规范的一项功能,不应与模块级 ECC 功能混淆。Crucial DDR5 台式机内存采用包含 ODECC 的 DDR5 组件构建,但这些模块不包含系统级 ECC 所需的额外组件。9. 有限终身保修在除德国和法国以外的所有地区有效,在这两个国家,保修有效期为自购买之日起十年。