绝缘盖的顶部衬里被扩散的开膜取代。这种类型的膜是从建筑物中的屋顶设计中知道的,并使水从绝缘层中扩散出来。膜可防止水积聚。让水从专利的水积累中扩散出来。
对于成人和儿童患者的 SpO 2 、PR 和 PCO 2 监测,使用 SenTec 的一次性耳夹将传感器贴在患者的耳垂上。对于 PCO 2 的监测,使用 SenTec 的一次性多部位连接环 (MAR) 将传感器贴在传统的 PCO 2 测量部位上:型号 MAR-A/P/N 适用于新生儿以及皮肤脆弱敏感的成人和儿童患者;型号 MAR-A/P 适用于皮肤正常完整的成人和儿童患者。贴上传感器后,一滴传感器凝胶(或一滴干净的自来水)可确保患者皮肤与 V-Sign™ 传感器充分接触:从皮肤中扩散出来的 CO 2 会被形成的液体层捕获,而不会扩散到周围环境中。
Si 24 是一种新型开放框架硅同素异形体,在环境条件下处于亚稳态。与间接带隙半导体金刚石立方硅不同,Si 24 具有接近 1.4 eV 的准直接带隙,为光电和太阳能转换设备带来了新机遇。先前的研究表明,Na 可以从高压 Na 4 Si 24 前体的微米级颗粒中扩散,在环境条件下生成 Si 24 粉末。值得注意的是,我们在此证明 Na 在大型 (~100 µm) Na 4 Si 24 单晶中保持高度移动性。在真空条件下轻轻加热 (10 -4 mbar,125 °C),Na 很容易从 Na 4 Si 24 晶体中扩散出来,并可进一步与碘反应生成大型 Si 24 晶体,经波长色散 X 射线光谱测量,该晶体的硅含量为 99.9985 at%。 Si 24 晶体在 1.51(1) eV 处显示出尖锐的直接光学吸收边,带边附近的吸收系数明显大于金刚石立方硅。温度依赖性的电输运测量证实了从金属 Na 4 Si 24 中除去 Na 可得到 Si 24 的单晶半导体样品。这些光学和电学测量提供了对关键参数的深入了解,例如来自残留 Na 的电子供体杂质水平、减少的电子质量和电子弛豫时间。在块体长度尺度上有效除去 Na 和单晶 Si 24 的高吸收系数表明这种材料有望以块体和薄膜形式使用,并有望应用于光电技术。