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World File Search System扩散电容
SUIIT B.Tech ECE.pdf
模块 I：电子学简介 [12 小时] 电子设备及其应用、信号、模拟和数字信号、放大器。线性波形整形电路：RC LPF、积分器、RC HPF、微分器。半导体特性、固体分类、硅能带、本征和非本征半导体、半导体电流、霍尔效应、扩散电流、漂移电流、迁移率和电阻率。模块 II：半导体二极管 [12 小时] pn 结理论、V-I 特性、负载线分析、二极管等效电路、二极管电路分析、过渡电容和扩散电容。二极管电路的应用；整流器、限幅器、钳位器。滤波电路、特殊用途二极管：齐纳二极管、LED、光电二极管、隧道二极管、变容二极管、肖克利二极管。激光基础知识。模块 III：BJT 和 FET [12 小时]
温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
方案和详细的教学大纲
单位 - i引言，半导体中的运输现象，p-n结的形成，p-n连接的性质，p-n结二极管；半导体二极管，V-I特征，温度对V-I特征的影响，理想二极管，二极管方程，二极管电阻，二极管电容：过渡和扩散电容。单元 - II整流电路和直流电源：二极管电路的负载线分析，半波整流器：电压调节，波纹因子，整流比率，更新的比率，变压器利用率。全波整流器，桥梁整流器。电源过滤电路：电感过滤器，电容器过滤器，LC滤波器，多LC滤波器，CLC或P滤波器。Zener二极管：使用Zener二极管分解机制，特性，规格，电压调节器电路。单元-III晶体管：简介，构造，类型：NPN和PNP，当前组件。晶体管作为放大器，晶体管特性，晶体管电路配置：共同基座（CB）配置，公共发射极（CE）配置，公共收集器配置（CC），早期效果。ebers-moll模型，最大电压评级。单位 - IV晶体管偏置和热稳定：工作点，偏置稳定性，稳定性因子，发射极偏置，收集器 - to - 基本偏见，电压分隔符，发射极偏置，发射器旁路电容器。偏见补偿。单元 - V场效应晶体管（FET）：引言，构造，操作，V-I特征，转移特性，漏液特征，小信号模型。教科书的名称：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：简介，结构，操作和特征，耗尽MOSFET，增强MOSFET。