最近在扭曲双层中进行的扫描隧道显微镜实验[K。 P. Nuckolls等。,自然(伦敦)620,525(2023)]和三层[H. Kim等。,自然(伦敦)623,942(2023)]石墨烯已经揭示了魔法 - 角石墨烯中Kekulé电荷密度波顺序的无处不在。大多数样品都适度紧张,并显示出与理论预测相一致的“kekulé螺旋”(IKS)订单,涉及对Moiré超距离的规模单次调制的石墨烯级电荷密度失真。但是,超级应变双层样品相反,在莫伊尔尺度上显示了石墨烯尺度的kekulé电荷顺序。通过理论预料到了这个秩序,特别是在填充因子ν= -2附近突出的序列,该理论预测了低应变处的时间反转破裂的kekulé电流阶。我们表明,包括Moiré电子与石墨烯尺度光学区 - 角色(ZC)声子的耦合,可以稳定在|处的均匀的Kekulé电荷有序状态。 ν| = 2具有量化的拓扑(自旋或异常大厅)响应。我们的工作清楚地表明,这种语音驱动的电子顺序的选择如何出现在Moiré石墨烯的强耦合方案中。
扭曲的系统已成为具有广泛潜在应用的冷凝物理物理学中最迷人的平台之一。这些系统表现出一系列新型特性,包括相关的绝缘状态,磁性和超导性。通过操纵层之间的扭角,可以精确调整系统的电子特性。超越扭曲的双层石墨烯,例如石墨烯/HBN超级晶格,扭曲的单层双层石墨烯,扭曲的双重双层石墨烯和交替的扭曲石墨烯,也证明了许多独特的相关相图和带拓扑。这些系统提供了一个独特的平台,用于研究相关现象,并在电子和量子计算等领域具有潜在的应用。持续研究扭曲的石墨烯系统将产生许多令人兴奋的发现和进步。
抽象的认知扭曲是负偏见的思维模式和错误的自我污点,这是由于自己的内部推理而导致并导致逻辑错误。认知畸变会对心理健康产生不利影响,并可能导致心理健康障碍。本文属于一个更大的项目,该项目旨在提供用于检测和分类文本中认知扭曲的应用程序。由于没有用于该任务的公共数据集,因此拟议的工作的首次贡献在于提供一个开源标签的数据集,该数据集的14个认知畸变,该数据集由34370个条目组成,该数据集由34370个条目通过人群来源,用户调查表和从社交媒体中重新播放情绪数据集收集。数据集是与持牌心理学家合作收集的。我们使用幼稚的贝叶斯和count vectorizer以及不同的CNN,LSTM和DNN分类器实现了基线模型,以基于数据集对认知失真进行分类。我们使用表现最好的模型研究了不同单词嵌入的用法。依靠CNN的表现最好的模型,其嵌入式句子嵌入,F1得分为84%,用于分类认知扭曲。表现最佳的模型是在C- Journal中内置的,这是一种免费的日记帐和心情跟踪移动应用程序,可指出向用户的潜在思维扭曲。
在可安全的核心处是一对扭曲的极低电阻(.05 ohm/ft。[.164欧姆/m]扭曲的电缆)三级金属导体,采用新的高级热聚合物。这些聚合物经过化学设计,可在特定的固定温度下分解,从而使扭曲的导体能够在控制面板上进行接触并发出警报,而无需进行任何校准,以改变环境温度。距离定位选项允许控制面板识别并显示距离面板的脚或米的位置,热源与检测电缆相互作用。
Rashba自旋轨道耦合是一种典型的自旋相互作用,几乎在任何电子异质结构中都出现。在动量空间中其范式旋转纹理形成切向量矢量场。使用第一原理调查,我们证明在扭曲的同型和异性恋者中,Rashba耦合可能主要是径向,平行于动量。具体而言,我们研究了四个实验相关的结构:扭曲的双层石墨烯(GR),扭曲的双层WSE 2和扭曲的多层WSE 2/GR/WSE 2和WSE 2/GR/GR/GR/GR/WSE 2。我们表明,此类结构中的Rashba旋转轨道纹理可以通过电场控制,从而使其从径向调整为切线。这种自旋轨道工程对于设计新型的自旋荷尔格转换和自旋轨道扭矩方案以及控制范德华材料中的相关相位和超导性应该很有用。
带有曲折的分层系统最近由于发现了许多FAS量子阶段的发现,例如Mott绝缘体1-5,超导性6、7和拓扑阶段8-10。的含义,而Hubbard模型则用于研究各种有趣的阶段,包括Mott绝缘体11,轨道选择性阶段12-15,键订购的绝缘体16、17,超导性18、19,抗fiferromagnetism 20-22等,已经对十十年代感兴趣。因此,在哈伯德模型中引入曲折可能会引起新的阶段,目前是热门话题。到目前为止,已经花费了很多努力,这些模型在描述了扭曲的过渡金属二进制二色元23 - 27或扭曲的双层石墨烯28上,预测了相关阶段的数量。此外,一些著作研究了扭曲的双层方形晶格上的哈伯德模型,但主要是在超导相变的基础上29,30。然而,在扭曲的双层方格晶格上,莫特绝缘子,带绝缘子和金属之间的相变保持未探索。
我们报告了Millikelvin绝热去磁性消防制冷(MK-ADR)候选材料Naybgeo 4的合成,表征,低温磁和热力学测量值,该候选物质Naybgeo 4表现出扭曲的YBO 6磁性单元的平方晶格。磁化强度和特定热量表明弱相互作用的有效自旋1 /2低于10 K的有效自旋1 /2矩,质量 - 韦斯温度仅为15 mk,可以通过1 t级的磁场进行偏振。对于ADR性能测试,我们启动了从5 t的温度下的5 t启动〜2 k的温度,并达到〜2 k的温度,并达到150毫克的最低温度。变暖曲线表明在210 MK处的热容量中的磁性急剧过渡,这仅表示磁性弱弱。与在相似条件下研究的沮丧的ytterbium-Ox-odr ADR材料相比,S GS≃101MJ K-1 cm-3的熵密度并保持低于2 k的2 k的时间是竞争性的,而最小温度则更高。
为每个电流变压器使用扭曲的对电缆,以防止信号干扰。避免尽可能多地路由AC Power电缆旁边的扭曲的一对电缆。将每根S1橙色电线连接到其专用的主相位。连接以及每个黑色S2连接到每个专用的主相com连接。
摘要:扭曲的石墨烯单和双层系统的超晶格产生了按需多体状态,例如Mott绝缘子和非常规的超导体。这些现象归因于平坦带和强库仑相互作用的组合。然而,缺乏全面的理解,因为当电场应用以改变电子填充时,低能带的结构会发生强烈的变化。在这里,我们通过应用微型注重角度分辨的光发射光谱光谱光谱光谱光谱传递到位于原位门配,我们可以直接访问扭曲的双层石墨烯(TBG)和扭曲的双重双层石墨烯(TDBG)的填充相关的低能带。我们对这两个系统的发现处于鲜明的对比:可以在简单模型中描述掺杂的TBG的掺杂依赖性分散体,将依赖于填充的刚性带转移与多体相关的带宽变化相结合。在TDBG中,我们发现了低能带的复杂行为,结合了非单调带宽变化和可调间隙开口,这取决于栅极诱导的位移场。我们的工作确立了在扭曲的石墨烯超晶格中低能电子状态的电场可调节性的程度,并且可以支持对所得现象的理论理解。关键字:扭曲的双层石墨烯,Moire ́超级晶格,扁平带,微摩尔,原位门控,带宽重归于