XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System扭矩
pt/co中的应变介导的自旋轨道扭矩增强...
Wong，G。D. H.，Xu，Z.，Gan，W.，Ang，C.C.I.，Law，W.C.，Tang，J.，Zhang，W.，Wong，P.K.J.，P.K.J.，Yu，X. 在柔性底物上PT/CO中的应变介导的自旋轨道扭矩增强。 ACS Nano，15（5），8319-8327。 https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c09404Wong，G。D. H.，Xu，Z.，Gan，W.，Ang，C.C.I.，Law，W.C.，Tang，J.，Zhang，W.，Wong，P.K.J.，P.K.J.，Yu，X.在柔性底物上PT/CO中的应变介导的自旋轨道扭矩增强。ACS Nano，15（5），8319-8327。https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c09404
基于学习的实时扭矩预测用多指手抓住未知对象
摘要 - 用多指手抓住对象时，对于掌握稳定性至关重要，在每个关节上施加正确的扭矩以应对外力。大多数当前系统都使用简单的启发式方法，而不是正确对所需的扭矩进行建模。相反，我们提出了一种基于学习的方法，能够实时预测对未知对象的抓扭矩。使用监督学习的端到端训练的神经网络被证明可以预测更有效的扭矩，并且与所有经过测试过的启发式基准相比，对象的非自愿运动较少。具体来说，对于90％的掌握，对象的翻译偏差低于2。9毫米，旋转下方3。1◦。为了生成训练数据，我们使用弹性模型来制定扭矩的分析计算作为优化问题，并处理多接触的不确定性。我们进一步表明，网络概括以预测具有1个推理时间1的真实机器人系统上未知对象的扭矩。5 ms。网站：dlr-alr.github.io/grasping/
拧紧扭矩对电线键合换能器动力学和粘结强度的影响
Wirebondinghasbeenthemostwidelyusedandflexibleform of interconnecting technology in semiconductor manufacturing [1] .Themechanicalreliabilityofwirebondsinamicroelectronic package depends to a big extent on the formation of intermetallic compounds at the interface, environmental stress cycling of the module, fatigue and bonding process itself.债券过程控制和债券质量监控一直是制造OEM的主要关注点。电线键合是一个复杂的过程，具有许多参数（例如功率输入，粘结压力，粘结时间，阶段温度，传感器配置）。对于这样的制造过程，确定主要因素及其影响对于过程优化很重要。常规传感器组件包括以一端耦合的PZT（铅 - 循环酸 - 二烷基）驱动元件，以及键合工具耦合到传感器的输出端。为了维修/更换需求，该工具在组件上螺钉固定。这是具有“蟹腿”键合工具的三维结构。螺钉固定条件（工具上的扭矩值）可能会影响包装实践中的传感器性能，但是很少有有关此
基于自旋轨道扭矩的交叉阵列用于抗错误二进制卷积神经网络
摘要 — 卷积神经网络 (CNN) 是最重要的深度神经网络 (DNN) 类别之一，有助于解决许多与图像识别和计算机视觉相关的任务。它们使用传统 CMOS 技术和数字设计技术的传统实现仍然被认为非常耗能。浮点 CNN 主要依赖于 MAC（乘法和累加）运算。最近，基于 XNOR 和位计数运算的经济高效的 Bite-wise CNN 已被视为可能的硬件实现候选。然而，由于内存和计算核心之间密集的数据提取导致的冯诺依曼瓶颈限制了它们在硬件上的可扩展性。XNOR-BITCOUNT 操作可以通过在忆阻交叉开关阵列上执行的内存计算 (IMC) 范例轻松实现。在新兴的忆阻设备中，自旋轨道扭矩磁随机存取存储器 (SOT-MRAM) 提供了具有更高导通电阻的可能性，从而可以降低读取电流，因为所有交叉开关阵列都是并行读取的。这有助于进一步降低能耗，为更大的交叉开关设计铺平道路。本研究提出了一种基于 SOT-MRAM 的交叉开关架构，能耗极低；我们研究了工艺变异性对突触权重的影响，并对整个交叉开关阵列进行了蒙特卡罗模拟，以评估错误率。模拟结果表明，与其他忆阻解决方案相比，此实现的能耗较低，每次读取操作的能耗为 65.89 fJ。该设计对工艺变化也具有很强的鲁棒性，读取误差极低，最高可达 10%。
基于微磁模拟和增强学习的旋转轨道扭矩切换方案的优化
摘要：旋转轨道扭矩内存是下一代非挥发性随机访问存储器的合适候选者。它将高速操作与出色的耐力结合在一起，在缓存中使用尤其有希望。在这项工作中，将两电流的脉冲磁场旋转轨道扭矩切换方案与增强学习结合在一起，以确定导致该方案的最快磁化切换的电流脉冲参数。基于微磁模拟，这表明开关概率在很大程度上取决于当前脉冲的构造，用于用次纳秒时定时进行细胞操作。我们证明，实现的强化学习设置能够确定最佳的脉冲配置，以达到150 PS的开关时间，比使用非优化脉冲参数获得的时间短50％。强化学习是一种有前途的工具，可以自动化并进一步优化两脉冲方案的开关特性。对材料参数变化的影响的分析表明，如果正确调整了施加的脉冲的当前密度，则可以确保对变异空间内的所有单元的确定性切换。
使用等速测力计测量躯干伸肌和屈肌扭矩的有效性
本研究旨在评估使用最新一代等速测力计进行的躯干肌肉力量测试的有效性和重测信度。在 15 名健康受试者中测量了躯干屈肌和伸肌的离心、等长和向心峰值扭矩。肌肉横截面积 (CSA) 和表面肌电图 (EMG) 活动分别与竖脊肌和腹直肌的峰值扭矩和亚最大等长扭矩相关。在测试和重测期间确定了峰值扭矩测量的可靠性。对于所有收缩类型，肌肉 CSA 与峰值扭矩之间始终存在显著相关性（r = 0.74 � 0.85；P < 0.001），对于伸肌和屈肌，EMG 活动与亚最大等长扭矩之间也存在显著相关性（r P 0.99；P < 0.05）。组内相关系数在 0.87 和 0.95 之间，所有收缩模式的标准测量误差均低于 9%。测试和重测之间的峰值扭矩平均差异范围为 � 3.7% 至 3.7%，没有显著的平均方向偏差。总体而言，我们的研究结果证实了使用测试的躯干模块进行扭矩测量的有效性。此外，考虑到峰值扭矩测量的出色重测信度，我们得出结论，这款最新一代等速测力计可以放心用于评估躯干肌肉功能，以用于临床或运动目的。� 2014 Elsevier Ltd. 保留所有权利。
通过火花放电的锯齿状电极从扭矩电纳米生成器发出的超高功率输出
目的。[1-3]此外，等离子体在包括太空推进和生物医学技术在内的许多领域都起着重要作用。[4-6]阴极管和等离子体的一代需要外部电源设备，但是不幸的是，由于其重量较重，而且体积较大，因此该设备无法便携。因此，高压应用在没有电力供应的太空，战场和偏远地区等严酷的环境中存在严重限制。基于Triboelectrification和静电诱导的工作机制的Triboelectric纳米发育仪（TENGS）[7-11]可以在我们的圆形或人类运动中的机械运动中产生电力，而无需外部电源。[12–16]到目前为止，Teng产生的功率已被用作可植入的医疗设备，发光二极管，液晶显示器，传感器和低功耗电子设备的能源。[11,17–20]考虑到自动高压和便携性，Teng可以被视为高压应用的理想驾驶源。在这项工作中，我们提出了一个基于锯齿的电极的Teng（SE-TENG），该Teng（SE-Teng）基于火花放电来产生超高功率输出，以直接驱动高压操作设备。接触两种不同的摩擦材料，然后
Janus 铬二硫族化合物中的无场自旋轨道扭矩切换
摘要：我们预测磁性铬基过渡金属二硫属化物 (TMD) 单层在其 Janus 形式 CrXTe（其中 X = S、Se）中具有非常大的自旋轨道扭矩 (SOT) 能力。Janus 结构固有的结构反演对称性破坏导致巨型 Rashba 分裂产生较大的 SOT 响应，相当于在非 Janus CrTe 2 中施加 ∼ 100 V nm −1 的横向电场所获得的响应，这完全超出了实验范围。通过对精心推导的 Wannier 紧束缚模型进行传输模拟，发现 Janus 系统表现出与最有效的二维材料相当的 SOT 性能，同时由于其平面内对称性降低，还允许无场垂直磁化切换。总之，我们的研究结果表明，磁性 Janus TMD 是超紧凑自感应 SOT 方案中终极 SOT-MRAM 设备的合适候选者。关键词：自旋轨道扭矩、过渡金属二硫属化物、二维材料、范德华铁磁体
安全高效的天然气管道控制 - 艾默生
Bettis 四分之一回转阀门操作器的拨叉机构在将线性输出转换为旋转运动时产生的扭矩曲线与阀门驱动要求非常匹配。拨叉在活塞每次冲程的开始和结束时产生更大的扭矩值，这正是操作大多数类型阀门所需的位置。双作用执行器产生的扭矩输出表示为分离扭矩和运行扭矩。分离扭矩是在拨叉旋转开始和结束时产生的扭矩。运行扭矩是在拨叉旋转中点（45 度）产生的扭矩。
5d 过渡金属铝合金中来自外部散射的巨自旋霍尔效应和自旋轨道扭矩
磁性赛道存储器。[7,8] 自旋流可通过自旋霍尔效应 (SHE) 由电荷电流产生。人们对某些类别的高质量晶体化合物产生了浓厚的兴趣，这些化合物可产生源自此类材料本征电子能带结构的较大自旋霍尔效应：[9,10] 此类材料包括拓扑绝缘体 [11–13] 以及狄拉克和外尔半金属 [14–16]。然而，在这里，我们展示了非常大的自旋霍尔效应，它是由室温下由 5 d 元素和铝形成的高阻合金中的外部散射产生的，在实际应用中非常有用。自旋轨道相互作用 (SOI) 在自旋霍尔效应中起着核心作用，通常原子序数 Z 越大，自旋霍尔效应越大。此外，化合物或合金中组成元素的 Z 值差异越大，外部散射就越大，因此 SHE 也越大。[17,18] 在这方面，将铝等轻金属与 5 d 过渡金属合金化预计会产生较大的外部 SHE。[19] 在本文中，我们表明 M x Al 100 − x（M = Ta、W、Re、Os、Ir 和 Pt）合金不仅电阻率 ρ 发生剧烈变化，而且自旋霍尔角 (SHA) θ SH 和自旋霍尔 (SHC) σ SH 也随其成分 x 而变化。我们发现，在许多情况下，在临界成分下，会从高度无序的近非晶相转变为高度结晶相。此外，我们发现电阻率和 SHA 在外部散射最大化的非晶-结晶边界附近表现出最大值。为了支持这一猜想，我们发现最大电阻率的大小和相应的 SHA 随 Z 系统地变化。这表明 5 d 壳层的填充起着至关重要的作用，因为电阻率和 SHA 与 M 的 5 d 壳层中未配对电子的数量有关，因此当 M = Re 或 Os 时，ρ 表现出最大值（根据洪特规则，未配对 d 电子的数量分别为 5、6）。我们发现电阻率与 SHA 大致成线性比例，因此与 θ SH 成反比的功耗（ / SH 2 ρ θ ≈ ）在最大 SHA 时最小。[20] 因此，我们发现 M x Al 100 − x 是功率较小的优良自旋轨道扭矩 (SOT) 源