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药品名称：奥拉帕尼
警告： • 肺炎（包括致命病例）罕见；患有肺转移、潜在肺部疾病、吸烟史和/或既往接受过化疗和放疗的患者可能有此倾向 3,4 • 在开始奥拉帕尼治疗前，应确认先前的血液学毒性已恢复 5 致癌性：尚未进行正式研究。已报道继发性骨髓增生异常综合征和急性髓细胞白血病病例，其中大多数是致命的。在患上 MDS/AML 的患者中，奥拉帕尼治疗的时间范围很广，从不到 6 个月到超过 4 年不等。先前接受过顺铂或其他 DNA 损伤治疗（包括放疗）、既往癌症或骨髓发育不良史以及种系 BRCA 突变被认为是潜在的促成因素。 5 致突变性：在 Ames 试验中无致突变性。奥拉帕尼在哺乳动物体外和体内染色体测试中具有致染色体断裂作用。 3 生育力：动物研究未观察到对男性或女性生育力的不良影响。3,6 妊娠：动物研究表明，当药物暴露量低于等效推荐人体剂量时，存在胎儿风险。毒性包括胚胎胎儿致死率、早期胚胎胎儿存活率降低、胎儿体重下降以及出生缺陷增加，如肝叶增多、左侧脐动脉、输尿管扩张或扭结、严重眼部异常以及骨骼畸形。育龄妇女在服用奥拉帕尼期间以及最后一次服药后至少一个月内应采取有效的避孕措施。由于奥拉帕尼可能诱导 CYP3A，激素类避孕药的有效性可能会降低。目前尚不清楚这种相互作用在体内是否具有临床意义，因此医生可能会选择推荐额外的非激素避孕措施。育龄妇女应考虑在开始使用奥拉帕尼之前、治疗期间定期以及治疗后一个月进行妊娠测试。 3,7,6 由于药物可能分泌到乳汁中，因此在治疗期间及最后一次服药后一个月内不建议母乳喂养。3
大鼠 Chiari 样畸形的手术建模
在人类医学中， Chiari 畸形包括一组影响后颅窝和颅颈交界处的多种畸形。 这些畸形的特征是小脑扁桃体突出于枕骨大孔下方，有时伴有不同程度的下降到脑干 [ 1 ]。 与 Chiari 1 型类似，在小型犬中发现的最常见的 Chiari 畸形类型被国际兽医工作组命名为 Chiari 样畸形 (CLM) [ 1 ]。 由于颅骨和颅颈交界处的形态畸形导致 CLM 的尾颅窝 (CCF) 相对较小，导致 CCF 体积与脑实质不一致 [ 2 , 3 ]。这种差异造成了 CCF 拥挤，使小脑通过枕骨大孔向尾部移位 [2-4]。由于颅骨功能不全导致的小脑疝与继发性脊髓空洞症 (SM) 有关，因为它会改变正常的脑脊液 (CSF) 流动，而这种改变是由于背部颅颈蛛网膜下腔阻塞和脊髓扭结所致 [5, 6]。磁共振成像 (MRI) 是 CLM 诊断的金标准，它通过 T1 加权 (T1W) 和 T2 加权 (T2W) 矢状面和横向成像来评估大脑和颈部的线性和体积变化 [2, 6]。矢状面 T2W 图像是最有价值的序列 [5]。诊断是通过识别异常发现来进行的，例如小脑尾部疝、枕骨发育不良导致的小脑尾部受压以及脑脊液衰减 [ 2 , 5 ]。由于缺乏明确的病理机制和治疗方法，Chiari 畸形对人类和兽医研究提出了重大挑战。此外，缺乏通过获得性手段在实验动物中诱发 CLM 的方法。特别是据我们所知，目前还没有已知的诱发 CLM 的方法。由于缺乏适合实验研究的动物模型，目前的状况更加糟糕，阻碍了对 Chiari 畸形病理机制的深入了解并阻碍了有效治疗策略的制定。因此，本研究旨在通过介绍大鼠 CLM 模型的开发来解决这一知识空白，该模型可作为推进未来 Chiari 病研究的基本工具。具体而言，本研究通过使用手术方法提出了一种可靠且新颖的方法来创建第一个 CLM 模型。
3-D包装中的热应力
1。Han J，Norio n（2001）混合热传导边界的热应力问题周围是一个任意形状的孔，在均匀的热孔下裂缝。J热应力24（8）：725–735 2。Murakami Y等人（1987）应力强度因子手册，2：728。Pergamon Press/纽约牛津/首尔/东京3。Murakami Y等人（1992）应力强度因子手册，第三版。Pergamon Press/纽约牛津/首尔/东京，P 728 4。sih GC（1962）在裂纹尖端附近的热应力的奇异特征上。ASME，J Appl Mech 29：587–589 5。Hasebe N，Tamai K，Nakamura T（1986）对均匀热流下的扭结裂纹的分析。 ASCE，J ENG MECH 112：31–42 6。 chen y，Hasebe N（1992）内部板块中热绝缘曲线裂纹问题的新积分方程。 J Therm Recors 15：519–532 7。 Chao CK，Shen MH（1993）在热弹性培养基中使用术的明确解决方案。 J THERM压力16：215–231 8。 Chung HD，Beom HG，Choi Sy，Earmme YY（1998）圆形弧形裂纹的热弹性分析。 J Therm Rescorm 21：129–140 9。 Ting TC，Yan G（1992）由于热流而引起的各向异性双层质量的界面裂纹的R -1/2（LNR）奇异性。 J THERM压力15：85–99 10。 Chao CK，Chang RC（1994）不同各向异性介质中的热弹性界面裂纹问题。 J THERM压力17：285–299 11. Shen SP，Kuang ZB（1998）双压电介质中的界面裂纹以及与点热源的相互作用。 int J Sol结构30：3899–391 12。 ASME，J Appl Mech 27：635–639 13。Hasebe N，Tamai K，Nakamura T（1986）对均匀热流下的扭结裂纹的分析。ASCE，J ENG MECH 112：31–42 6。 chen y，Hasebe N（1992）内部板块中热绝缘曲线裂纹问题的新积分方程。 J Therm Recors 15：519–532 7。 Chao CK，Shen MH（1993）在热弹性培养基中使用术的明确解决方案。 J THERM压力16：215–231 8。 Chung HD，Beom HG，Choi Sy，Earmme YY（1998）圆形弧形裂纹的热弹性分析。 J Therm Rescorm 21：129–140 9。 Ting TC，Yan G（1992）由于热流而引起的各向异性双层质量的界面裂纹的R -1/2（LNR）奇异性。 J THERM压力15：85–99 10。 Chao CK，Chang RC（1994）不同各向异性介质中的热弹性界面裂纹问题。 J THERM压力17：285–299 11. Shen SP，Kuang ZB（1998）双压电介质中的界面裂纹以及与点热源的相互作用。 int J Sol结构30：3899–391 12。 ASME，J Appl Mech 27：635–639 13。ASCE，J ENG MECH 112：31–42 6。chen y，Hasebe N（1992）内部板块中热绝缘曲线裂纹问题的新积分方程。J Therm Recors 15：519–532 7。Chao CK，Shen MH（1993）在热弹性培养基中使用术的明确解决方案。J THERM压力16：215–231 8。Chung HD，Beom HG，Choi Sy，Earmme YY（1998）圆形弧形裂纹的热弹性分析。J Therm Rescorm 21：129–140 9。Ting TC，Yan G（1992）由于热流而引起的各向异性双层质量的界面裂纹的R -1/2（LNR）奇异性。J THERM压力15：85–99 10。Chao CK，Chang RC（1994）不同各向异性介质中的热弹性界面裂纹问题。J THERM压力17：285–299 11.Shen SP，Kuang ZB（1998）双压电介质中的界面裂纹以及与点热源的相互作用。int J Sol结构30：3899–391 12。ASME，J Appl Mech 27：635–639 13。Florence L，Goodier JN（1960），由于绝缘卵形孔对均匀热流的干扰引起的热应力。Hasebe N，Tomida A，Nakamura T（1988）由于均匀的热量吹动而导致的圆形孔的热应力。Yobayexiqe 11：381–391 14。 tuji M，Hasebe N（1991）裂纹的热应力，该裂纹是由于均匀的热量吹动的菱形孔的一角。 Trans JPN Soc Mech Eng 57：105-110（日语）Yobayexiqe 11：381–391 14。tuji M，Hasebe N（1991）裂纹的热应力，该裂纹是由于均匀的热量吹动的菱形孔的一角。Trans JPN Soc Mech Eng 57：105-110（日语）
关于 Ge-Sb-Te 合金范德华外延规则的一般理解提示
能够生长出二维 (2D) 材料等尖端晶体材料的高质量异质外延膜，是开发前沿技术应用的先决条件。二维材料（及其异质结构）是一种堆叠结构，相邻块之间具有弱范德华 (vdW) 相互作用，而每个块内具有强共价键。这一特性使得我们有可能分离二维晶片，将其用作构建块，以创建堆叠的二维晶体序列（称为 vdW 异质结构），这种结构具有新奇的特性和奇特的物理现象。[1,2] vdW 异质结构为电子学、光电子学、柔性器件、传感器和光伏等领域的广泛应用铺平了道路。[3–5] 然而，要实现工业化应用，就必须发展大规模沉积，这就意味着必须掌握 vdW 外延生长技术。 [6] 尽管过去几年人们对范德华外延的兴趣重新燃起，研究工作也愈发深入，[7] 但对范德华外延的一般描述和完整理解将有助于快速解决许多问题。例如，当使用石墨烯或其他二维晶体作为缓冲层时，对于范德华外延，下面的衬底仍可能与正在生长的薄膜相互作用。[8–15] 人们还观察到了二维和三维材料生长之间的中间行为，实际上允许在这些材料中进行应变工程。[16–21] 因此，二维材料的外延规则非常有必要，以便预测衬底表面相互作用、范德华异质结构可比性和界面生长过程中的应变弛豫。范德华能隙的形成是决定二维材料行为的基本特征。[22] 在这方面，衬底表面的电子特性和形貌在薄膜生长的早期阶段起着关键作用。生长中的薄膜和基底之间的键可以形成在悬空键和缺陷上[13,23]，也可以形成在扭结和台阶边缘，从而阻止范德华能隙的形成并决定应变的积累。[16]基底和外延层之间的不同对称性也会引起一定量的应变。[24]因此，如果沉积的2D材料没有完全弛豫，则不会发生范德华外延。为了对范德华外延进行一般性描述，我们在这里研究了一个基于硫族化物 (GeTe) m (Sb 2 Te 3 ) n 合金 (Ge-Sb-Te 或 GST) 的示例案例，该合金位于 InAs(111) 表面上。GST 是一种关键的相变材料 (PCM)，因其尖端技术应用而得到广泛研究。它是一种突出的
关于 Ge-Sb-Te 合金范德华外延规则的一般理解提示
能够生长出二维 (2D) 材料等尖端晶体材料的高质量异质外延膜，是开发前沿技术应用的先决条件。二维材料（及其异质结构）是一种堆叠结构，相邻块之间具有弱范德华 (vdW) 相互作用，而每个块内具有强共价键。这一特性使得我们有可能分离二维晶片，将其用作构建块，以创建堆叠的二维晶体序列（称为 vdW 异质结构），这种结构具有新奇的特性和奇特的物理现象。[1,2] vdW 异质结构为电子学、光电子学、柔性器件、传感器和光伏等领域的广泛应用铺平了道路。[3–5] 然而，要实现工业化应用，就必须发展大规模沉积，这就意味着必须掌握 vdW 外延生长技术。 [6] 尽管过去几年人们对范德华外延的兴趣重新燃起，研究工作也愈发深入，[7] 但对范德华外延的一般描述和完整理解将有助于快速解决许多问题。例如，当使用石墨烯或其他二维晶体作为缓冲层时，对于范德华外延，下面的衬底仍可能与正在生长的薄膜相互作用。[8–15] 人们还观察到了二维和三维材料生长之间的中间行为，实际上允许在这些材料中进行应变工程。[16–21] 因此，二维材料的外延规则非常有必要，以便预测衬底表面相互作用、范德华异质结构可比性和界面生长过程中的应变弛豫。范德华能隙的形成是决定二维材料行为的基本特征。[22] 在这方面，衬底表面的电子特性和形貌在薄膜生长的早期阶段起着关键作用。生长中的薄膜和基底之间的键可以形成在悬空键和缺陷上[13,23]，也可以形成在扭结和台阶边缘，从而阻止范德华能隙的形成并决定应变的积累。[16]基底和外延层之间的不同对称性也会引起一定量的应变。[24]因此，如果沉积的2D材料没有完全弛豫，则不会发生范德华外延。为了对范德华外延进行一般性描述，我们在这里研究了一个基于硫族化物 (GeTe) m (Sb 2 Te 3 ) n 合金 (Ge-Sb-Te 或 GST) 的示例案例，该合金位于 InAs(111) 表面上。GST 是一种关键的相变材料 (PCM)，因其尖端技术应用而得到广泛研究。它是一种突出的
关于 Ge-Sb-Te 合金范德华外延规则的一般理解提示
能够生长出二维 (2D) 材料等尖端晶体材料的高质量异质外延膜，是开发前沿技术应用的先决条件。二维材料（及其异质结构）是一种堆叠结构，相邻块之间具有弱范德华 (vdW) 相互作用，而每个块内具有强共价键。这一特性使得我们有可能分离二维晶片，将其用作构建块，以创建堆叠的二维晶体序列（称为 vdW 异质结构），这种结构具有新奇的特性和奇特的物理现象。[1,2] vdW 异质结构为电子学、光电子学、柔性器件、传感器和光伏等领域的广泛应用铺平了道路。[3–5] 然而，要实现工业化应用，就必须发展大规模沉积，这就意味着必须掌握 vdW 外延生长技术。 [6] 尽管过去几年人们对范德华外延的兴趣重新燃起，研究工作也愈发深入，[7] 但对范德华外延的一般描述和完整理解将有助于快速解决许多问题。例如，当使用石墨烯或其他二维晶体作为缓冲层时，对于范德华外延，下面的衬底仍可能与正在生长的薄膜相互作用。[8–15] 人们还观察到了二维和三维材料生长之间的中间行为，实际上允许在这些材料中进行应变工程。[16–21] 因此，二维材料的外延规则非常有必要，以便预测衬底表面相互作用、范德华异质结构可比性和界面生长过程中的应变弛豫。范德华能隙的形成是决定二维材料行为的基本特征。[22] 在这方面，衬底表面的电子特性和形貌在薄膜生长的早期阶段起着关键作用。生长中的薄膜和基底之间的键可以形成在悬空键和缺陷上[13,23]，也可以形成在扭结和台阶边缘，从而阻止范德华能隙的形成并决定应变的积累。[16]基底和外延层之间的不同对称性也会引起一定量的应变。[24]因此，如果沉积的2D材料没有完全弛豫，则不会发生范德华外延。为了对范德华外延进行一般性描述，我们在这里研究了一个基于硫族化物 (GeTe) m (Sb 2 Te 3 ) n 合金 (Ge-Sb-Te 或 GST) 的示例案例，该合金位于 InAs(111) 表面上。GST 是一种关键的相变材料 (PCM)，因其尖端技术应用而得到广泛研究。它是一种突出的
Multiturn绝对旋转编码器DVM78E
使用高度复杂的微电子，需要一贯实施的反干扰和布线概念。这变得越重要，建筑物的紧凑程度就越大，对现代机器性能的需求就越高。以下安装说明和建议适用于“普通工业环境”。对于所有干扰环境，没有理想的解决方案。应用以下措施时，编码器应处于完美的工作状态：•在串行线的开始和结束时，串行线终止了串行线（在接收/传输和接收/传输之间）（例如，控件和最后一个编码器）。•编码器的接线应与能量线的距离很大，这可能会引起干扰。•屏幕的电缆横截面至少4mm²。•电缆横截面至少0,14mm²。•屏幕的接线和0 V的接线应在可能的情况下径向排列。•请勿扭结或堵塞电缆。•遵守数据表中给出的最小弯曲半径，并避免拉伸和剪切负荷。操作说明由Pepperl+Fuchs制造的每个编码器都使工厂处于完美状态。为了确保这种质量以及无故的操作，必须考虑以下规范：•避免对外壳，尤其是对编码器轴以及编码器轴的轴向和径向超负荷的影响。•只有使用合适的耦合，才能保证编码器的准确性和使用寿命。•必须同时打开和关闭编码器和后续设备的操作电压（例如，控制设备）。•任何接线工作都必须在死亡情况下使用系统进行。•不得超过最大工作电压。这些设备必须以超低安全电压操作。关于将电筛查免疫与植物干扰的免疫力有关的注释取决于正确的筛选。在此字段中，安装故障经常发生。通常仅将屏幕应用于一侧，然后用电线将其焊接到接地端子上，这是LF工程中的有效过程。但是，如果有EMC，则适用HF工程规则。HF工程中的一个基本目标是将HF能量以尽可能低的阻抗传递到地球，以其他方式将能量放入电缆中。通过与金属表面的大面连接实现了低阻抗。必须观察到以下说明：•如果没有等值电流的风险，则将屏幕涂在大地面上的“普通地球”上。•必须将屏幕通过隔热材料后面，并且必须夹在张力缓解以下的大表面上。•如果电缆连接到螺丝型端子，则必须将张力缓解连接到接地的表面。•如果使用插头，则仅应安装金属化的插头（例如带有金属化外壳的子D插头）。请观察张力缓解与住房的直接连接。
特殊应用增量编码器 RHI58N-******X
抗干扰措施 使用高度复杂的微电子器件需要始终实施抗干扰和布线概念。现代机器的结构越紧凑，对性能的要求越高，这一点就变得越重要。以下安装说明和建议适用于“正常工业环境”。没有一种解决方案适合所有干扰环境。当采用以下措施时，编码器应处于完美的工作状态： • 在串行线的开始和结束处（例如，控制和最后一个编码器）用 120 电阻器（接收/发送和接收/发送之间）终止串行线。 • 编码器的接线应远离可能造成干扰的电源线。 • 屏蔽电缆横截面积至少为 4 mm²。 • 电缆横截面积至少为 0.14 mm²。 • 屏蔽和 0 V 的接线应尽可能呈放射状排列。 • 不要扭结或卡住电缆。 • 遵守数据表中给出的最小弯曲半径，避免拉伸和剪切载荷。 操作说明 Pepperl+Fuchs 制造的每个编码器都处于完美状态。为了确保这种质量以及无故障运行，必须考虑以下规范： • 避免对外壳（特别是编码器轴）造成任何冲击，以及避免编码器轴的轴向和径向过载。 • 只有在使用合适的联轴器时，才能保证编码器的精度和使用寿命。 • 编码器和后续设备（例如控制）的工作电压必须同时打开和关闭。 • 任何接线工作都必须在系统处于死区的情况下进行。 • 不得超过最大工作电压。设备必须在超低安全电压下运行。 连接电气屏蔽的注意事项 设备的抗干扰能力取决于正确的屏蔽。在这个领域，安装故障经常发生。通常只在一侧应用屏蔽，然后用导线焊接到接地端子，这是 LF 工程中的有效程序。但是，在 EMC 的情况下，适用 HF 工程规则。HF 工程的一个基本目标是以尽可能低的阻抗将 HF 能量传递到地面，否则能量会释放到电缆中。通过与金属表面的大面积连接可实现低阻抗。必须遵守以下说明：• 如果不存在等电位电流风险，则将两侧的屏蔽层大面积地连接到“公共接地”。• 屏蔽层必须穿过绝缘层后面，并且必须夹在张力释放器下方的大表面上。• 如果电缆连接到螺钉型端子，则张力释放器必须连接到接地表面。• 如果使用插头，则应仅安装金属插头（例如带有金属外壳的 D 型插头）。请注意张力释放器与外壳的直接连接。
Multiturn绝对编码器DVM58N-011AGR0BY-1213
反干扰测量高度复杂的微电子的使用需要一贯实施的反干扰和布线概念。这变得越重要，建筑物的紧凑程度就越大，对现代机器性能的需求就越高。以下安装说明和建议适用于“普通工业环境”。对于所有干扰环境，没有理想的解决方案。应用以下措施时，编码器应处于完美的工作状态：•在串行线的开始和结束时，串行线终止了串行线（在接收/传输和接收/传输之间）（例如，控件和最后一个编码器）。•编码器的接线应与能量线的距离很大，这可能会引起干扰。•屏幕的电缆横截面至少4mm²。•电缆横截面至少0,14mm²。•屏幕的接线和0 V的接线应在可能的情况下径向排列。•请勿扭结或堵塞电缆。•遵守数据表中给出的最小弯曲半径，并避免拉伸和剪切负荷。操作说明由Pepperl+Fuchs制造的每个编码器都使工厂处于完美状态。为了确保这种质量以及无故的操作，必须考虑以下规范：•避免对外壳，尤其是对编码器轴以及编码器轴的轴向和径向超负荷的影响。•任何接线工作都必须在死亡情况下使用系统进行。•只有使用合适的耦合，才能保证编码器的准确性和使用寿命。•必须同时打开和关闭编码器和后续设备的操作电压（例如，控制设备）。•不得超过最大工作电压。这些设备必须以超低安全电压操作。关于将电筛查免疫与植物干扰的免疫力有关的注释取决于正确的筛选。在此字段中，安装故障经常发生。通常仅将屏幕应用于一侧，然后用电线将其焊接到接地端子上，这是LF工程中的有效过程。但是，如果有EMC，则适用HF工程规则。HF工程中的一个基本目标是将HF能量以尽可能低的阻抗传递到地球，以其他方式将能量放入电缆中。通过与金属表面的大面连接实现了低阻抗。必须观察到以下说明：•如果没有等值电流的风险，则将屏幕涂在大地面上的“普通地球”上。•必须将屏幕通过隔热材料后面，并且必须夹在张力缓解以下的大表面上。•如果电缆连接到螺丝型端子，则必须将张力缓解连接到接地的表面。•如果使用插头，则仅应安装金属化的插头（例如带有金属化外壳的子D插头）。请观察张力缓解与住房的直接连接。
Multiturn绝对旋转编码器PVM58N-yy1agr0bn- ...
反干扰测量高度复杂的微电子的使用需要一贯实施的反干扰和布线概念。这变得越重要，建筑物的紧凑程度就越大，对现代机器性能的需求越高。以下安装说明和建议适用于“普通工业环境”。对于所有干扰环境，没有理想的解决方案。应用以下措施时，编码器应处于完美的工作状态：•在串行线的开始和结束时，串行线终止了串行线（在接收/传输和接收/传输之间）（例如，控件和最后一个编码器）。•编码器的接线应与能量线的距离很大，这可能会引起干扰。•屏幕的电缆横截面至少4mm²。•电缆横截面至少0,14mm²。•屏幕的接线和0 V的接线应在可能的情况下径向排列。•请勿扭结或堵塞电缆。•遵守数据表中给出的最小弯曲半径，并避免拉伸和剪切负荷。操作说明由Pepperl+Fuchs制造的每个编码器都使工厂处于完美状态。为了确保这种质量以及无故的操作，必须考虑以下规范：•避免对外壳，尤其是对编码器轴以及编码器轴的轴向和径向超负荷的影响。•任何接线工作都必须在死亡情况下使用系统进行。•只有使用合适的耦合，才能保证编码器的准确性和使用寿命。•必须同时打开和关闭编码器和后续设备的操作电压（例如，控制设备）。•不得超过最大工作电压。这些设备必须以超低安全电压操作。关于将电筛查免疫与植物干扰的免疫力有关的注释取决于正确的筛选。在此字段中，安装故障经常发生。通常仅将屏幕应用于一侧，然后用电线将其焊接到接地端子上，这是LF工程中的有效过程。但是，如果有EMC，则适用HF工程规则。HF工程中的一个基本目标是将HF能量以尽可能低的阻抗传递到地球，以其他方式将能量放入电缆中。通过与金属表面的大面连接实现了低阻抗。必须观察到以下说明：•如果没有等值电流的风险，则将屏幕涂在大地面上的“普通地球”上。•必须将屏幕通过隔热材料后面，并且必须夹在张力缓解以下的大表面上。•如果电缆连接到螺丝型端子，则必须将张力缓解连接到接地的表面。•如果使用插头，则仅应安装金属化的插头（例如带有金属化外壳的子D插头）。请观察张力缓解与住房的直接连接。