NSI1311 是一款基于 NOVOSENSE 电容隔离技术的高性能隔离放大器,输出与输入分离。该器件的单端输入信号范围为 0.02V 至 2V。NSI1311 的高输入阻抗使其非常适合连接到高压电阻分压器或其他具有高输出电阻的电压信号源。该器件的固定增益为 1,并提供差分模拟输出。低偏移和增益漂移确保整个温度范围内的精度。高共模瞬变抗扰度确保该器件即使在存在高功率开关(例如电机控制应用)的情况下也能提供准确可靠的测量。故障安全功能(缺少 VDD1 检测)简化了系统级设计和诊断。主要特点
BAE Systems 开发和生产各种抗辐射太空产品,从标准组件和单板计算机到完整的系统有效载荷。BAE Systems 专注于广泛的抗辐射电子产品领域,包括 ASIC、专用标准产品 (ASSP)、微处理器、存储器、FPGA 和单板计算机。多年来,该公司一直生产供内部使用的电源产品,最近在其标准产品组合中引入了负载点转换器 (POL)。这些产品的输入电压为 3-V 至 5.5-V 或 6-V,并联时额定输出电流高达 14 A 或 22 A,同时提供 100 krad 的总剂量抗扰度。有关更多信息,请参阅 http://www.baesystems.com/en-us/our-company/inc-businesses/electronic-systems/product-sites/space- products-and-processing 。
NSI1311-Q1 是一款基于 NOVOSENSE 电容隔离技术的高性能隔离放大器,输出与输入分离。该器件的单端输入信号范围为 0.02V 至 2V。NSI1311-Q1 的高输入阻抗使其非常适合连接到高压电阻分压器或其他具有高输出电阻的电压信号源。该器件的固定增益为 1,并提供差分模拟输出。低失调和增益漂移确保整个温度范围内的精度。高共模瞬变抗扰度确保该器件即使在存在高功率开关(例如电机控制应用)的情况下也能提供准确可靠的测量。故障安全功能(缺少 VDD1 检测)简化了系统级设计和诊断。主要特点
1.简介 美国国家标准与技术研究所 (NIST) 有一项服务 [1],用于测量高速 (脉冲持续时间 < 1 ns) 脉冲发生器的输出。这项服务,服务编号为 651OOS,提供脉冲频谱幅度参数的估计值 [2]。此术语的其他使用名称包括:频谱幅度、电压频谱、脉冲强度、频谱强度、脉冲频谱强度、脉冲面积和频谱密度。这项服务的主要应用是测量用于电磁干扰发射和抗扰度测试的脉冲发生器的脉冲频谱幅度。然而,随着校准程序的改进,651OOScan 现在通过提供超宽带 (UWB) 信号频谱幅度参数的测量来支持超宽带电子界。UWB 信号的时域脉冲参数,例如脉冲宽度、过渡持续时间等。调制包络,可以使用 NIST 的 65200S 和 65250S 脉冲测量服务进行测量。
光耦合器和变压器通常用于医疗系统隔离电路,其缺陷在设计界众所周知。光耦合器速度慢,且性能随温度和设备使用年限变化很大。它们是单端设备,因此共模瞬态抗扰度 (CMTI) 较差。此外,光耦合器采用砷化镓 (GaAs) 工艺制造,具有固有磨损机制,在高温和/或 LED 电流升高时会导致 LED 发射永久减少。这种性能下降会降低光耦合器的可靠性、性能和使用寿命。虽然变压器比光耦合器速度更快、可靠性更高,但它们无法传递直流和低频信号,从而限制了系统时序(例如导通时间和占空比)。变压器也往往体积较大、功率效率低,并且通常需要额外的外部元件来复位磁芯。
EN 60598-1: 2015 +A1:2018 灯具第一部分:一般要求和测试 EN 60598-2-1: 1989 灯具 - 第二部分:特殊要求 - 第 1 节:固定通用用途 EN 61000-3-2: 2019 电磁兼容性 (EMC) - 第 3-2 部分:限值 - 谐波电流发射限值 EN 61000-3-3:2013 + A1:2019 电磁兼容性 (EMC) - 第 3-3 部分:限值 - 公共低压供电系统中电压变化、电压波动和闪烁的限制。 EN 55015:2013 + A1:2015 电气照明和类似设备的无线电骚扰特性的限值和测量方法 EN 61547:2009 通用照明设备 - EMC 抗扰度要求 EN 62493:2015 与人体暴露于电磁场有关的照明设备评估 EN 63000:2018 电气和电子产品危险物质限制评估技术文件
根据常见的外部磁场强度,我们在下面显示,一旦芯片安装在印刷电路板 (PCB) 上或插入其工作环境中,STT-MRAM 的磁抗扰度足以满足大多数用途。这一说法得到了 60 年使用磁性硬盘驱动器 (HDD) 的经验支持,其中包括 20 年使用包含磁隧道结的读取器的 HDD、20 多年在汽车行业中用作位置编码器的磁场传感器以及 15 多年使用 MRAM。主要是在处理芯片期间需要小心谨慎,以避免将芯片暴露在过高的磁场中。MRAM 将数据位存储在磁隧道结 (MTJ) 中。它们由两个由氧化物隧道屏障隔开的磁性层组成。其中一个磁性层称为自由层(或存储层),具有可切换的磁化,
BBS0D3FOQ (2015) 适用于抗扰度测试、实验室和超宽带高功率应用。这款机架式放大器采用推挽式 MOSFET 功率器件,可提供高增益、宽动态范围、低失真和良好的线性度。通过采用先进的宽带 RF 匹配网络和组合技术、内置高质量电源、EMI/RFI 滤波器、机加工外壳和所有合格组件,实现了卓越的性能、长期可靠性和高效率。Empower RF 的 ISO9001 质量保证计划确保一致的性能和最高的可靠性。 固态 AB 类设计 瞬时超宽带 体积小巧、重量轻 标准前面板手动增益调节 适用于 CW、AM 和 FM(有关其他调制类型,请咨询工厂) 50 欧姆输入/输出阻抗 高可靠性和坚固性电气规格@ 220V AC,25°C,50 Ω 系统
BBS0D3FOQ (2015) 适用于抗扰度测试、实验室和超宽带高功率应用。这款机架式放大器采用推挽式 MOSFET 功率器件,可提供高增益、宽动态范围、低失真和良好的线性度。通过采用先进的宽带 RF 匹配网络和组合技术、内置高质量电源、EMI/RFI 滤波器、机加工外壳和所有合格组件,实现了卓越的性能、长期可靠性和高效率。Empower RF 的 ISO9001 质量保证计划确保一致的性能和最高的可靠性。 固态 AB 类设计 瞬时超宽带 体积小巧、重量轻 标准前面板手动增益调节 适用于 CW、AM 和 FM(有关其他调制类型,请咨询工厂) 50 欧姆输入/输出阻抗 高可靠性和坚固性电气规格@ 220V AC,25°C,50 Ω 系统
BBS0D3FOQ (2015) 适用于抗扰度测试、实验室和超宽带高功率应用。这款机架式放大器采用推挽式 MOSFET 功率器件,可提供高增益、宽动态范围、低失真和良好的线性度。通过采用先进的宽带 RF 匹配网络和组合技术、内置高质量电源、EMI/RFI 滤波器、机加工外壳和所有合格组件,实现了卓越的性能、长期可靠性和高效率。Empower RF 的 ISO9001 质量保证计划确保一致的性能和最高的可靠性。 固态 AB 类设计 瞬时超宽带 体积小巧、重量轻 标准前面板手动增益调节 适用于 CW、AM 和 FM(有关其他调制类型,请咨询工厂) 50 欧姆输入/输出阻抗 高可靠性和坚固性电气规格@ 220V AC,25°C,50 Ω 系统