表 1 最大额定值 符号 值 单位 断态重复峰值电压 V DRM 1500 V 反向重复峰值电压 V RRM -10 V 断态电压变化率抗扰度(VD =1500V) dv/dt 1000 V/µSec 峰值非重复浪涌电流(1/2 正弦波脉冲持续时间 =/<300nSec) I TSM 4000 A 峰值重复浪涌电流(1/2 正弦波脉冲持续时间 =/<300nSec) I TRM 3500 A 电流变化率 dI/dt 100 kA/µSec 临界电容放电事件积分(欠阻尼 LCR 电路) I 2 t CRITICAL TBD A 2 秒重复电容放电事件积分(欠阻尼 LCR 电路) I 2 t REPETITIVE 2A 2秒连续栅极-阴极反向电压V GKS -9 V正向峰值栅极电流(10
低压指令 2014 / 35 / EU EMC 指令 2014 / 30 / EU RoHS 指令 2011 / 65 / EU (RoHS2) 无线电设备指令 2014 / 53 / EU EN 63044-3: 2018 (HBES,电气安全) EN 63044-5-1: 2019 (HBES,EMC 通用) EN 63044-5-2: 2019 (HBES,EMC 住宅) EN 63044-5-3: 2019 (HBES,EMC 工业区) EN 61000-6-2: 2019 (抗扰度,工业区) EN 61000-6-3: 2021 (发射,住宅) EN 63000: 2018 (RoHS2) EN 300 220-2: V3.2.1 (SRD)预期用途:适用于 KNX RF 或 EnOcean 标准的无线按钮。在 EnOcean 模式下与标准 EnOcean 开关 (RPS) 兼容。支持 EnOcean 安全性。KNX RF 在系统模式 (ETS) 下运行。支持 KNX 数据安全。集成 USB 接口。使用标准电池供电。
有效期至:2025 年 12 月 31 日 证书编号:7130.01 为表彰成功完成 A2LA 评估流程,特授予此实验室在上述地点以及下述三个卫星地点的认可,以执行以下测试: 测试技术: 测试方法: 辐射和传导发射 CFR 47、FCC 第 15 部分、子部分 B(使用 ANSI C63.4:2014);ANSI C63.4:2014 1;CFR 47、FCC 第 18 部分(使用 FCC MP-5:1986);ICES-Gen;ICES-001;CSA-CISPR 11;ICES-003;ICES-005;CAN/CSA-CISPR 32;BS EN 55011;EN 55011;CISPR 11;AS CISPR 11; BS EN IEC 55014-1; EN IEC 55014-1; BS EN 55014-1; EN 55014-1; CISPR 14-1; AS/NZS CISPR 14.1;作为 CISPR 14.1; SANS 214-1; VCCI-CISPR 32; BS EN 55032; EN 55032; CISPR 32; AS/NZS CISPR 32; SAN 2332; BS EN 61000-3-2; BS EN IEC 61000-3-2; IEC 61000-3-2; EN 61000-3-2; EN IEC 61000-3-2; JIS C 61000-3-2; SANS 61000-3-2; BS EN 61000-3-3; IEC 61000-3-3; EN 61000-3-3; SANS 61000-3-3; BS EN IEC 61000-6-3; EN IEC 61000-6-3; BS EN 61000-6-3; IEC 61000-6-3; EN 61000-6-3; AS/NZS 61000.6.3; BS EN 61000-6-4; BS EN IEC 61000-6-4; IEC 61000-6-4; EN 61000-6-4; EN IEC 61000-6-4; AS/NZS 61000.6.4; AS 61000.6.4 抗静电性 ESD BS EN 61000-4-2; IEC 61000-4-2; EN 61000-4-2; SANS 61000-4-2 辐射抗扰度 BS EN 61000-4-3; BS EN IEC 61000-4-3; IEC 61000-4-3; EN 61000-4-3; EN IEC 61000-4-3; SANS 61000-4-3 EFT BS EN 61000-4-4; IEC 61000-4-4; EN 61000-4-4; SANS 61000-4-4 浪涌 BS EN 61000-4-5; IEC 61000-4-5; EN 61000-4-5;SANS 61000-4-5 传导抗扰度 BS EN 61000-4-6;IEC 61000-4-6;EN 61000-4-6;SANS 61000-4-6 磁场 BS EN 61000-4-8;IEC 61000-4-8;EN 61000-4-8;SANS 61000-4-8
• 100Mbps 数据速率 • 强大的隔离屏障: – 在 1500V RMS 工作电压下预计使用寿命为 30 年以上 – 高达 5000V RMS 隔离额定值 – 高达 12.8kV 的浪涌能力 – ±100kV/μs 典型 CMTI • 宽电源范围:2.25V 至 5.5V • 2.25V 至 5.5V 电平转换 • 默认输出高 (ISO773x) 和低 (ISO773xF) 选项 • 宽温度范围:-55°C 至 +125°C • 低功耗,1Mbps 时每通道典型值 1.5mA • 低传播延迟:11ns 典型值(5V 电源) • 强大的电磁兼容性 (EMC) – 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度 – 跨隔离屏障的 ±8 kV IEC 61000-4-2 接触放电保护 – 低辐射 • 宽 SOIC (DW-16) 和QSOP(DBQ-16)封装选项 • 汽车版本可用:ISO773x-Q1 • 安全相关认证: – DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17) – UL 1577 组件识别计划 – IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC60601-1 和 GB 4943.1 认证
第二种方法是使用集成解决方案,将数字隔离器和 RS-485 收发器整合在一个封装中。ISO1410 将 ISO7741 的核心隔离技术和 THVD1410 收发器整合在一个封装中。核心隔离技术能够实现 1500 Vpk 连续工作电压、增强型 5 kVrms 隔离额定值和 100 kV/us 典型共模瞬变抗扰度 (CMTI)。集成收发器在总线上提供高抗噪性,符合 Profibus 标准,具有 16 kV IEC 静电放电 (ESD) 和 4 kV IEC 电气快速瞬变 (EFT),即使在工厂车间等嘈杂环境中也能确保可靠通信。与分立解决方案相比,ISO1410 具有额外的优势,即逻辑侧电源更宽,支持 1.71 V 至 5.5 V 以启用较低逻辑电平 MCU,总线侧电源支持 3 V 至 5.5 V。
LED 脉冲模式 正常: • 9 秒间隔 故障: • LED 熄灭 警报: • 2 秒间隔 工作温度: • 32ºF (0ºC) - 100ºF (38ºC) EMI 抗扰度: • 符合 UL 268 注意:探测器的标称出厂设置如下: 光电探测器: • 警报 2.0%/ft。• 预警 1.5%/ft。电离探测器: • 警报 1.0%/ft。• 预警 0.8%/ft。热探测器: • 警报 140ºF (60ºC) • 预警 120ºF (49ºC) 灵敏度 开放区域:– 电离:0.5 - 1.5%/ft。– 光电:0.5 - 3.5%/英尺。高速: – 电离:0.5 - 1.0 %/英尺。– 光电:0.5 - 2.0%/英尺。热探测器间距 50 英尺:• 135ºF (57ºC) - 145ºF (63ºC) 70 英尺:• 135ºF (57ºC) - 155ºF (68ºC) 热探测器在 FM 认可的应用上使用时,间距限制为 20 英尺。注意:这些探测器仅与使用兼容 SLC 协议的火灾报警系统兼容。
一般信息 微处理器:32 位高性能制造质量标准 电源 高 RFI 抗扰度 电池反接保护和电池瞬态保护 环境工作温度范围 尺寸:180mm x 91mm x 18mm(不包括连接器) 重量:385gms(0.85lbs)Autosport 连接器 保修:2 年零件和人工 显示屏 定制反射式 LCD、高对比度、耐高温 背光 LCD 显示来自传感器、CAN 总线、RS232 或计算的任何值 显示模式 70 段条形图,带有用户可定义范围和通道源 条形图上的可编程峰值保持和设定点 4 个数字显示项 13 位字母数字显示区 - 每行 1、2 或 3 个通道 警报显示覆盖顶部、左侧/右侧 底行数(覆盖) 输入 模拟电压输入 模拟温度输入 数字输入 速度输入 开关输入 宽带 Lambda 通道 扩展单元: E888:8 个 AV 输入、8 个热电偶、4 个数字输入(20 个输入) E816:16 个 AV 输入、4 个数字输入(20 个输入)
• 数据速率:DC 至 150Mbps • 坚固的隔离屏障 长使用寿命:>40 年 高达 5000 V RMS 隔离额定值(宽体封装) ±150 kV/μs 典型 CMTI • 宽电源范围:2.5V 至 5.5V • 宽工作温度范围:-40°C 至 125°C • 无需启动初始化 • 默认输出高 (CA-IS372xH) 和低 (CA-IS372xL) 选项 • 高电磁抗扰度 • 低功耗 1Mbps 时每通道 1.5mA,V DD = 5.0V 100Mbps 时每通道 6.6mA,V DD = 5.0V • 最佳传播延迟和偏斜 12ns 典型传播延迟 2ns 传播延迟偏斜(芯片到芯片) 1ns 脉冲宽度失真 5ns 最小脉冲宽度• 施密特触发器输入 • 封装选项 窄体 SOIC8(S) 封装 宽体 SOIC8(G) 封装 宽体 SOIC16(W) 封装 • 安全法规认证 VDE 0884-17 隔离认证 UL 符合 UL1577 要求 IEC 62368-1、IEC 61010-1、GB 4943.1-2011 和 GB 8898-2011 认证
兼容 USB 2.0 低速和全速数据速率:1.5 Mbps 和 12 Mbps 双向通信 4.5 V 至 5.5 V V BUS 操作 1.5 Mbps 时最大上游电源电流为 7 mA 12 Mbps 时最大上游电源电流为 8 mA 最大上游空闲电流为 2.3 mA 上游短路保护 3A 类接触 ESD 性能符合 ANSI/ESD STM5.1-2007 高温操作:105°C 高共模瞬态抗扰度:>25 kV/μs 16 引脚 SOIC 宽体封装版本 16 引脚 SOIC 宽体增强爬电距离版本 符合 RoHS 安全和监管批准(RI-16 封装) UL 认证:5000 V rms,持续 1 分钟,符合 UL 1577 CSA 元件验收通知 #5A IEC 60601-1:250 V rms(增强型)IEC 60950-1: 400 V rms(加强型)VDE 符合性证书 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 V IORM = 846 V 峰值
摘要 — 本文详细研究了在不同于自由空间的条件下,即存在代表性铁磁材料和电介质材料的情况下,TEM 室内部电场 (E) 和磁场 (H) 分布对室相应主模式上方和下方的影响。使用 IEC 61967-2(封闭式)和开放式 TEM 室进行了数百 MHz 至 GHz 的模拟和测量。无论频率和 EUT 位置如何,与电介质材料只在其位置局部改变 E(和 H,取决于介电常数)的范数(∣∣。∣∣)不同,室内存在铁磁材料会同时改变∣∣ E ∣∣ 和 ∣∣ H ∣∣ 分布:局部低于主模式频率,全局高于该频率的整个室底部。这表明,由于铁磁材料引起的 ∣∣ H ∣∣ -场的局部失真比 ∣∣ E ∣∣ -场的局部失真具有更强的影响,而不考虑频率、位置和磁损耗。此外,IEC 61967- 2 和 62132-2 标准中提到的在主模频率以下使用 TEM 室的要求可能并不相关,只要同时考虑 EM 场的不均匀性,并在抗扰度测试中将 IC 封装的存在考虑在引脚周围的等效 ∣∣ E ∣∣ -场水平中即可。