XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System抗辐射
预测工具和抗辐射设计 (...
A.3.1 物理布局层面的强化设计（RHBD）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 159 A.3.2 电路级强化设计（RHBD）162 A.3.3 提高强化技术的效率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 163 A.3.4 结论. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 166
适用于太空应用的英飞凌抗辐射存储器解决方案
Xilinx Virtex V5、Kintex US 以及 Microchip RTG4 和 RTPolarFire FPGA 的 RadHard 72M 和 144M QDRII+ SRAM 设备均可免费获得内存控制器。QDR-II+ SRAM 控制器管理基于 DDR 的源同步时序架构的复杂时序细节，并确保 FPGA 和 QDRII+ SRAM 内存之间的可靠数据传输。如果需要更高级别的辐射抗扰度来减轻单粒子干扰，控制器嵌入式 ECC (SECDEC) 也可作为 RTL 选项提供。请联系 hirel-memory@infineon.com 获取 RTL 代码和测试台的副本。
采用航天级塑料封装的 OPA4H199-SP 40V、QML P 类、抗辐射 (RHA)、轨到轨输入和输出、低失调电压、低噪声运算放大器数据表
• QML P 类抗辐射性能保证 (QMLP-RHA) 等级 • 采用小型 SOT-23 封装 • 辐射性能： – 单粒子闩锁 (SEL) 免疫 65MeV-cm 2 /mg – 总电离剂量 (TID) 抗辐射性能保证 (RHA) 高达 100krad (Si) • 支持国防、航空航天和医疗应用 – 单一受控基线 – 一个制造、装配和测试站点 – 金线 – NiPdAu 引线表面涂层 – 可在军用 (-55°C 至 125°C) 温度范围内使用 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型塑封材料，降低排气量 • 低失调电压：±125µV • 低噪声：1kHz 时为 10.8nV/√Hz • 高共模抑制：130dB • 低偏置电流：±10pA • 轨到轨输入和输出 • 宽带宽：4.5MHz GBW • 高压摆率：21V/µs • 高电容负载驱动：1nF • 多路复用器友好型/比较器输入 • 低静态电流：每个放大器 560µA • 宽电源电压：±1.35V 至 ±20V，2.7V 至 40V • 强大的 EMIRR 性能：输入和电源引脚上的 EMI/RFI 滤波器
抗辐射空间电池管理系统 (...
锂离子的高能量密度和电池中的易燃材料相结合，可能会因热失控、过度充电、平衡不当以及短路而造成危险。目前，尚无已知的抗辐射平衡器 IC 或监视器 IC 能够感测电池的健康状况和充电状态。为了减少电池数量和重量，应用中需要更高的电池电压感测精度。太空中的 BMS 需要电池具有较低的漏电流，以在火箭发射的准备时间内生存下来。该设计是一种离散、自主且可靠的 BMS 方法，可提供高辐射性能、精确的电池电压监控、快速过流保护、温度感测和平衡功能。
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
图 11 不同配置层偏压下 CSOI 器件瞬态电流典型曲线 （ a ） 和 CSOI SRAM 电路的单粒子翻转截面变化 （ b ） Fig. 11 Typical transient current curve of CSOI device (a) and single event upset cross-section variation of CSOI SRAM circuit (b) under different configuration layer biases
钙钛矿太阳能电池在太空应用中的抗辐射和强化策略的进展
金属卤化物钙钛矿 (MHP) 是一种具有优异性能的半导体材料，广泛应用于各个行业。这些材料通常表现出直接跃迁半导体行为，其特点是吸收系数高、激子结合能低，从而具有出色的 PV 性能。此外，MHP 显示出高效的载流子传输速率、较长的载流子寿命和显著的扩散长度，从而能够以最少的复合实现电子和空穴的有效传输。1 利用 MHP 作为吸收层的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 已成为第三代太阳能电池的典范。2009 年，Miyasaka 等人实现了 PSC 开发的一个重要里程碑。用钙钛矿取代染料敏化太阳能电池中的吸收材料，使光伏转换效率 (PCE) 达到 3.8%。2 从那时起，PSC 引起了广泛关注，其 PCE 经历了快速增长，如图所示。1(A)。3 – 9 目前，单结 PSC 已实现认证 PCE 26.14%，10 稳步接近 Shockley – Queisser 效率极限 33.7%。11
R9 抗辐射 MOSFET 技术
请注意！本文件仅供参考，本文提供的任何信息在任何情况下均不视为对我们产品的任何功能、条件和/或质量或任何特定用途适用性的保证、担保或描述。关于我们产品的技术规格，我们恳请您参考我们提供的相关产品数据表。我们的客户及其技术部门需要评估我们的产品是否适合预期用途。
极地设计公司为太空应用设计了抗辐射 14T SRAM 单元
摘要 本文提出了一种用于航天应用的抗辐射极性设计 14T (RHPD-14T) SRAM 单元。通过估算 65 纳米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的各种设计指标，分析了所提出的 RHPD-14T 单元的性能。基于结合抗辐射极性设计技术与合理的布局拓扑，所提出的 RHPD-14T 可以耐受所有单节点翻转和部分双节点翻转。仿真结果表明，RHPD-14T 的写入访问时间比 RSP-14T/QUCCE-10T/DICE/S4P8N/We-Quatro(@VDD=1.2V) 短 1.83 倍 / 1.59 倍 / 1.56 倍 / 1.12 倍 / 1.05 倍。 RHPD-14T的字线写触发电压比QUCCE-10T/DICE/We-Quatro/S4P8N/RSP-14T (@VDD=1.2V)高2.67×/2.22×/1.35×/1.29×/1.26×；RHPD-14T的保持静态噪声容限比DICE/S4P8N/RHPD-12T (@VDD=1.2 V)高14.85×/7.15×/1.05×。此外，蒙特卡洛(MC)模拟证明RHPD-14T波动性小、稳定性强、恢复能力稳定、抗单效应翻转(SEU)能力强。关键词：保持静态噪声容限、极性设计抗辐射、单效应翻转分类：集成电路
EPC7020 – 抗辐射功率晶体管
Rad Hard eGaN® 晶体管专为高可靠性或商业卫星空间环境中的关键应用而设计。GaN 晶体管在空间环境中具有出色的可靠性性能，因为单事件没有少数载流子，作为宽带半导体，质子和中子的位移更小，而且没有氧化物击穿。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数，从而导致非常低的 R DS(on) 值。芯片的横向结构提供了非常低的栅极电荷 (QG ) 和极快的开关时间。这些特性使电源开关频率更快，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的设计。