XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System抗辐射
SAMRH71 抗辐射 Arm® 微控制器 (MCU)
SAMRH71 是一款抗辐射 MCU，提供空间连接接口和超过 200 DMIPS 的高处理能力的最佳组合。SAMRH71 专为空间应用中的高辐射性能、极端温度和高可靠性而设计。它利用强大的 Arm ® Cortex ®-M7 内核以及高带宽通信接口，例如 SpaceWire、MIL-STD-1553、CAN FD 和具有 TSN 功能的以太网。
SAMRH71 抗辐射 Arm® 微控制器 (MCU)
SAMRH71 是一款抗辐射 MCU，提供空间连接接口和超过 200 DMIPS 的高处理能力的最佳组合。SAMRH71 专为空间应用中的高辐射性能、极端温度和高可靠性而设计。它利用强大的 Arm ® Cortex ®-M7 内核以及高带宽通信接口，例如 SpaceWire、MIL-STD-1553、CAN FD 和具有 TSN 功能的以太网。
基于标准单元的栅极尺寸和晶体管堆叠的抗辐射效率
近年来，晶体管技术的进步使得人们能够设计出越来越复杂的集成电路。随着在降低功耗和提高性能方面取得的巨大成就，在考虑深度扩展技术时也面临着新的挑战。明显的工艺变异性、老化和辐射效应是经常出现的设计挑战，其重要性也日益增加 [1-5]。集成电路越来越容易受到单个高能粒子撞击的影响，可能会产生破坏性或非破坏性的影响。当粒子撞击触发 CMOS 电路中固有的 PNPN 结构中的寄生晶体管时，就会发生单粒子闩锁 (SEL)，这可能会产生破坏性影响 [6]。当高能粒子从顺序逻辑元件撞击晶体管的敏感区域并沉积足够的电荷以扰乱电路时，单粒子翻转 (SEU) 会以位翻转的形式出现。此外，组合逻辑电路容易受到单粒子瞬态 (SET) 效应的影响，这种效应表现为粒子与处于关断状态的晶体管漏极电极相互作用产生的寄生瞬态电流。这并不是单粒子效应 (SEE) 的详尽列表 [7]。辐射加固设计 (RHBD) 技术已经开发出来，用于应对不同辐射条件下电子电路的辐射效应
材料在抗辐射加固中的应用
辐射屏蔽是必不可少的，因为在这种环境中，辐射可能是一个严重的问题，这种环境可能是天然的，也可能是人造的。天然辐射源如太阳风，由电子、伽马射线、质子、中子或范艾伦带等组成，而人造辐射源则是核电站或大气层外或大气层内的核爆炸。核爆炸会产生即时和延迟的破坏性影响，这需要选择正确的防护材料，以使集成电路得到屏蔽，并在核武器爆炸驱动的辐射环境中生存下来。爆炸、热辐射、电磁脉冲和瞬时电离辐射等核武器效应是选择合适材料时要考虑的一部分。辐射屏蔽基于衰减原理，即通过阻挡或使粒子穿过屏障材料反弹来减少波或射线的影响的能力。这篇简短的评论讨论了有关所选材料和集成电路在人造或天然辐射环境中的生存力和屏蔽的不同整体问题。
适用于反应堆环境的抗辐射电子设备
本报告是由美国政府某个机构资助的工作报告。美国政府、其任何机构及其任何雇员均不对所披露的任何信息、设备、产品或流程的准确性、完整性或实用性做任何明示或暗示的保证，或承担任何法律责任或义务，亦不保证其使用不会侵犯私有权利。本文以商品名、商标、制造商或其他方式提及任何特定的商业产品、流程或服务，并不一定构成或暗示美国政府或其任何机构对其的认可、推荐或偏爱。本文表达的作者的观点和意见不一定表明或反映美国政府或其任何机构的观点和意见。
癌症干细胞在抗辐射中的作用
癌症干细胞 (CSC) 是肿瘤内的一个独特亚群。它们能够自我更新和分化，具有很强的修复 DNA 损伤的能力，表现出低水平的活性氧 (ROS)，并且增殖缓慢。这些特征使 CSC 对各种疗法具有抗性，包括放射疗法 (RT)。根除所有 CSC 是有效抗肿瘤治疗的必要条件，因此对患者来说至关重要。这使得 CSC 成为任何治疗方法的主要目标。尽管临床数据仍然稀缺，但实验数据和首次临床试验让人们看到了希望，即针对 CSC 的治疗有可能改善抗肿瘤疗法，尤其是对于已知对治疗有抗性的肿瘤，例如胶质母细胞瘤。在这篇综述中，我们将在 RT 的背景下讨论 CSC，描述已知的抗性机制，研究 CSC 作为生物标志物的可能性，并讨论可能的新治疗方法。
信件 MSIFF：通过交错主从级布局拓扑实现抗辐射触发器
敏感节点对之间的电荷共享。当入射离子撞击敏感晶体管（例如节点 mn2 中的 PMOS 晶体管）时，一列电子-空穴对会沿入射轨道电离。电离载流子扩散到相邻的晶体管，导致相邻敏感节点之间的电荷收集，如图 3 所示。对于传统的 DICE 触发器，敏感节点对将收集足够的电荷并导致 SEU。对于所提出的 MSIFF，增加的节点间距可有效减少由于复合过程引起的扩散收集。此外，从属锁存器的插入组件也有助于收集额外的载流子 [19]。它将显著降低电离载流子密度并阻止扩散收集过程。因此，敏感节点对不会同时收集足够的电荷，并且所提出的 MSIFF 中不会发生 SEU。
CMOS7 抗辐射技术
Sandia 开发了一种结构化 ASIC，它通过使用预先合格的基础阵列，可以实现快速周转、降低非经常性工程 (NRE) 和开发成本，并降低开发风险。结构化 ASIC 是一种使用 ViASIC ® Via-Mask 技术的金属通孔可配置、规则结构状结构。Sandia 的结构化 ASIC 经过分区以实现电源排序和冗余，还允许关闭未使用的晶体管以最大限度地降低功耗、静态电流和光电流。还提供包含封装去耦电容器的选项。目前，已经开发了两个产品平台：Eiger ViArray 数字抗辐射结构化 ASIC 和 Whistler ViArray 混合信号抗辐射结构化 ASIC。
经 Charles F. Saffle 批准 微电路，存储器，数字，CMOS，2M X 32 位 (64Mb)，抗辐射，SRAM，多芯片模块
1/ 超过绝对最大额定值的应力可能会对器件造成永久性损坏。在最大水平下长时间运行可能会降低性能并影响可靠性。2/ 所有电压均以 V SS 为参考。3/ 最大施加电压不得超过 4.4 V。4/ 如果 SRAM 断电，则必须在“断电时间”内保持电源关闭状态，然后才能重新打开。5/ 此处指定的辐射特性和测试限值基于 16Mb 单芯片 SRAM 测试结果 (5962-08202/08203)。有关这些 RHA 参数和测试结果的详细信息，请联系器件制造商。6/ 基于 CREME96 结果预测的性能，该结果适用于太阳活动极小期无耀斑条件下的地球同步轨道，位于 100mil 铝屏蔽后面，使用从实际测试数据得出的威布尔参数（参见 4.4.4.4）。供应商可提供威布尔参数，用于计算其他轨道/环境（如 Adams 90% 最坏情况）的翻转率，并使用不同的翻转率计算程序（如 Space Radiation 5.0）。7/ 保证但未针对 1MeV 当量中子进行测试。
故障分析/测试和信任/抗辐射评估
在产品开发和设计中，故障分析有助于调试以检查无法正常工作或部分正常工作的设备。产品制造需要对测试结构和完整产品进行故障分析，以便深入了解和解决制造问题。在认证和可靠性测试中，故障分析提供了认证和可靠性测试操作条件下故障的关键信息。现场故障和客户退货通常是独一无二的，需要特殊处理和一丝不苟地关注细节。成功解决问题对于保持消费者对您的产品和公司的信心至关重要。