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World File Search System抗辐射
FBS-GAM02-P-R50
EPC Space FBS-GAM02-P-R50 系列抗辐射多功能电源模块采用 eGaN ® 开关功率 HEMT，设计用于商业卫星空间环境。这些模块包括两个输出功率开关、两个高速栅极驱动电路（完全由 eGaN ® 开关元件组成）、两个带防直通逻辑的功率肖特基二极管钳位元件（用于半桥连接）和一个 +5 V DC 栅极驱动偏置“电源良好”监控电路，采用创新、节省空间的 18 针 SMT 模塑环氧封装。数据表参数保证“辐射后效应”，采用 EPC Space 100% 逐晶圆 eGaN ® 元件抗辐射强度保证验证材料。电路设计符合美国专利 #10,122,274 B2。商业评级 9A515.x 设备。
Hi-Rel 解决方案 - KAMAKA Electronic GmbH
抗辐射功率 MOSFET（CoolMOS™ 技术） 100V、150V、250V，SMD-0.5、SMD-2、TO-254AA、TO-257AA TID>100Krads（可根据要求提供 300Krads），SEE >LET 55 / 85 MeV “SAM” 为电气功能样品 “P” 为面包板和 EM 上使用的专业级 “ES” 为 ESA 空间级，用于完全合格的卫星飞行模块 微波晶体管 硅双极晶体管技术 额定电源电压从 4V 到 12V 输出功率从 20mA 到 150mA 转换频率从 6.5GHz 到 42GHz 微波硅二极管 小信号、肖特基和 PIN 二极管 I Fmax= 120mA 至 5A，V BR= 40V 至 150V，R F= 0.9Ω 至 10Ω可提供芯片（裸片） 客户特定筛选 抗辐射功率 MOS、MW 晶体管 ESA 资格 ESCC 合格产品 所有产品均在欧洲生产 - 无需出口许可证
HERMES：高性能可编程微处理器的认证和软件生态系统的开发
摘要 — 欧洲为提高空间服务领域的竞争力而做出的努力促进了先进软件和硬件解决方案的研究和开发。欧盟资助的 HERMES 项目通过鉴定抗辐射、高性能可编程微处理器，以及开发有助于在这些平台上部署复杂应用程序的软件生态系统，为这项工作做出了贡献。该项目的主要目标包括使抗辐射 NG-ULTRA FPGA 达到技术就绪级别 6（即在相关环境中经过验证和演示），该 FPGA 采用陶瓷密封封装 CGA 1752，由欧洲航天局、法国国家空间研究中心和欧盟的项目开发。该项目同样重要的部分是致力于开发和验证支持多核软件编程和 FPGA 加速的工具，包括用于高级综合的 Bambu 和带有用于虚拟化的一级引导加载程序的 XtratuM 虚拟机管理程序。
HERMES：高性能可编程微处理器的认证和软件生态系统的开发
摘要 — 欧洲为提高空间服务领域的竞争力而做出的努力促进了先进软件和硬件解决方案的研究和开发。欧盟资助的 HERMES 项目通过鉴定抗辐射、高性能可编程微处理器，以及开发有助于在这些平台上部署复杂应用程序的软件生态系统，为这项工作做出了贡献。该项目的主要目标包括使抗辐射 NG-ULTRA FPGA 达到技术就绪级别 6（即在相关环境中经过验证和演示），该 FPGA 采用陶瓷密封封装 CGA 1752，由欧洲航天局、法国国家空间研究中心和欧盟的项目开发。该项目同样重要的部分是致力于开发和验证支持多核软件编程和 FPGA 加速的工具，包括用于高级综合的 Bambu 和带有用于虚拟化的一级引导加载程序的 XtratuM 虚拟机管理程序。
一项检查空间中神经形态结构的调查和辐射挑战
摘要 - 由人脑的结构和功能所吸引的神经形态计算已成为开发节能和强大的计算系统的有前途的方法。神经形态计算在航空航天应用中提供了显着的处理速度和功耗优势。这两个因素对于实时数据分析和决策至关重要。然而，刺激性的空间环境特别是在辐射的存在下，对这些计算系统的可靠性和性能构成了重大挑战。本文全面地调查了航空航天应用中抗辐射神经形态计算系统的整合。我们探讨了空间辐射，审查现有的解决方案和开发，当前对空间应用中使用的神经形态计算系统的案例研究，讨论未来方向以及讨论该技术在未来太空任务中的潜在好处。索引项 - 神经局计算；航空应用；抗辐射计算；太空环境；节能计算；实时数据分析；决策;未来的太空任务。
碳化硅探测器
当今，核物理和粒子物理实验活动的前沿需要具有高能量、能够在高通量（高达 . / ' ）和高速率下工作的紧凑型探测器，以便测量非常罕见现象的截面[1-4]。碳化硅 (SiC) 因其出色的抗辐射性能代表了探测器技术的新挑战。由于其成分，SiC 是一种宽间接带隙半导体，并且是两组 IV 元素（硅和碳）的二元相图中唯一稳定的化合物。在所有宽带隙半导体中，碳化硅是目前研究最深入的一种，也是在高温电子器件、生物医学传感器 [5]、紫外光传感器 [6]、粒子和 X 射线探测器等广泛设备应用领域中最有潜力达到市场成熟的一种。 SiC 还被认真考虑作为硅的有效替代品，用于生产抗辐射设备，因为它可以将硅探测器的优异性能（效率、线性度、分辨率）与更大的抗辐射能力、热稳定性和对可见光的不敏感性结合起来。根据原子在晶格中的堆叠顺序，SiC 可以出现在各种类型的晶体结构中，这种特性被称为“多型性”。SiC 有 200 多种不同的多型体；3C、4H 和 6H 结构是微电子应用中最常见和最受欢迎的结构。每种多型体都有自己的物理特性，例如能带隙，范围从 3C 中的 2.36 eV 到 4H 中的 3.23 eV。4H-SiC 被认为最适合高功率、高频率和高温应用。用于设备应用的低缺陷材料通常通过 CVD（化学气相沉积）技术生长外延层获得。外延也允许高度
浅碳层和深N++层对IHEP-IME LGAD传感器辐射硬度的影响
摘要 — 低增益雪崩二极管（LGAD）用于高粒度定时探测器（HGTD），它将用于升级 ATLAS 实验。首批 IHEP-IME LGAD 传感器由高能物理研究所（IHEP）设计，微电子研究所（IME）制造。三个 IHEP-IME 传感器（W1、W7 和 W8）接受中子辐照，辐照剂量高达 2.5 × 10 15 n eq / cm 2，以研究中子浅碳和深 N++ 层对辐照硬度的影响。以 W7 为参考，W1 施加了额外的浅碳，W8 具有更深的 N++ 层。在Bete望远镜测试中测得的3个IHEP-IME传感器的漏电流、收集电荷和时间分辨率均满足HGTD的要求（在2.5×1015neq/cm2辐照剂量后<125µA/cm2、>4fC和<70ps）。碳层较浅的W1传感器抗辐射能力最强，N++层较深的W8传感器抗辐射能力最差。
经 Charles F. Saffle 批准 微电路，存储器，数字，CMOS，2M X 32 位 (64Mb)，抗辐射，SRAM，多芯片模块
1/ 超过绝对最大额定值的应力可能会对器件造成永久性损坏。在最大水平下长时间运行可能会降低性能并影响可靠性。2/ 所有电压均以 V SS 为参考。3/ 最大施加电压不得超过 4.4 V。4/ 如果 SRAM 断电，则必须在“断电时间”内保持电源关闭状态，然后才能重新打开。5/ 此处指定的辐射特性和测试限值基于 16Mb 单芯片 SRAM 测试结果 (5962-08202/08203)。有关这些 RHA 参数和测试结果的详细信息，请联系器件制造商。6/ 基于 CREME96 结果预测的性能，该结果适用于太阳活动极小期无耀斑条件下的地球同步轨道，位于 100mil 铝屏蔽后面，使用从实际测试数据得出的威布尔参数（参见 4.4.4.4）。供应商可提供威布尔参数，用于计算其他轨道/环境（如 Adams 90% 最坏情况）的翻转率，并使用不同的翻转率计算程序（如 Space Radiation 5.0）。7/ 保证但未针对 1MeV 当量中子进行测试。
探测器开发活动的最新进展
大视场探测器，BM05（20 厘米）、BM18（40 厘米） 紧凑型白光束显微镜，BM05 XRI 热负荷，温度高达 300ºC，ID19 探测器系统，高收集效率，抗辐射，蓝色橡皮擦，1x、2x、4x 放大倍数，BM18 光学元件：薄镜和穿孔镜，铝涂层，BM18
英飞凌SONOS非易失性存储器技术
从那时起，SONOS 就以低得多的成本成为嵌入式闪存的有力替代品。SONOS 自 1980 年代以来就被称为 NVM 技术。然而，在早期，由于编程电压较高且高温下数据保留竞争力较弱，它在与浮栅技术的竞争中并不十分成功。英飞凌通过 SONOS 非易失性存储器堆栈中的电荷陷阱工程解决了这些障碍，并在高达 125°C（环境温度）的温度下实现了 10 年的保留时间，并且具有稳健的裕度。如今，英飞凌 SONOS 技术不仅用于英飞凌的许多产品，还用于许多其他公司（通过技术许可）。这些产品包括智能卡、独立 NOR 闪存、FPGA 和微控制器。SONOS 还具有很强的抗辐射能力，使其成为抗辐射产品的理想选择。最近，SONOS 开辟了一个令人兴奋的新应用：用于人工智能 (AI) 边缘应用中的神经形态计算的模拟 NVM。英飞凌正致力于优化 SONOS 技术的运行，以应对这一激动人心的领域。