• QML P 类抗辐射性能保证 (QMLP-RHA) 等级 • 采用小型 SOT-23 封装 • 辐射性能: – 单粒子闩锁 (SEL) 免疫 65MeV-cm 2 /mg – 总电离剂量 (TID) 抗辐射性能保证 (RHA) 高达 100krad (Si) • 支持国防、航空航天和医疗应用 – 单一受控基线 – 一个制造、装配和测试站点 – 金线 – NiPdAu 引线表面涂层 – 可在军用 (-55°C 至 125°C) 温度范围内使用 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型塑封材料,降低排气量 • 低失调电压:±125µV • 低噪声:1kHz 时为 10.8nV/√Hz • 高共模抑制:130dB • 低偏置电流:±10pA • 轨到轨输入和输出 • 宽带宽:4.5MHz GBW • 高压摆率:21V/µs • 高电容负载驱动:1nF • 多路复用器友好型/比较器输入 • 低静态电流:每个放大器 560µA • 宽电源电压:±1.35V 至 ±20V,2.7V 至 40V • 强大的 EMIRR 性能:输入和电源引脚上的 EMI/RFI 滤波器
公司将可配置、高功率电机驱动器与精确遥测功能相结合,设计易于抗辐射。位于低温冷却器附近的遥测聚合单元 (TAU) 通过在本地数字化传感器数据以传输回控制器,最大限度地减少了敏感低温冷却器反馈的衰减和污染,而主控制单元 (MCU) 中的多个 500 W 驱动通道以高达 95% 的效率提供功率波形。模块化设计概念允许在需要额外通道时添加驱动卡,或移除驱动卡以减小尺寸、重量和功耗。TAU 包含多达 14 个外部传感器,总数据速率高达每秒 800,000 个样本,由控制软件动态分配给任何遥测组合。可以通过安装商用组件或利用替代控制方案降低抗辐射控制器组件的成本来实现低成本版本的电子设备。在雷神公司进行了一次铜板演示,其中驱动了高容量 RSP2 (HC-RSP2) 低温冷却器,温度和振动控制回路在高功率和低温下关闭。本文讨论了 MACE 的开发、测试和经验教训。
电力电子在各种 HiRel 领域得到广泛应用,包括航天、航空、汽车和其他相关领域。为了获得理想的 MTBF 和 MTTR,需要许多特殊的设计标准、关键的质量保证和广泛的测试。随着时间的推移,这些设计标准、质量标准和测试方法不断发展,如果正确实施,它们将在恶劣环境下实现长期可靠性。为了实现电力电子的高可靠性,本文提到并简要解释了推荐的方法和注意事项。空间应用需要一些额外的考虑因素,例如对总电离剂量 (TID)、单粒子效应 (SEE)、ELDRS、中子效应的辐射硬度;功能冗余;由于真空而通过传导和/或辐射散热;冲击和振动以及重量和体积限制。太空应用还需要数十年的无人值守长期可靠性以及通过遥控指令进行远程操作和通过遥测进行性能监控。MOSFET 和肖特基的抗辐射能力需要特殊的设计和制造技术,而电源管理 IC 则需要结合“设计抗辐射能力”和其他冗余考虑的技术。军事和商业航空领域对电力电子的可靠性提出了同样严格的限制,并基于人类安全做出了某些特殊考虑。本文讨论了所有这些方面,并概述了过去几十年来该主题的发展变化 1。介绍
亮点 - ASTROlas 特点和设计参数:• 抗辐射以及紧凑坚固的机械设计• 用于数据处理的单个 FPGA• 针对激光检测优化的广角镜头(>100° FoV)• 四个光谱通道,范围为 0.4...1.7µm:- 用于激光点成像的专用镜头- 每个通道的带宽和中心波长均可调整• 激光脉冲检测能力,区分脉冲和恒定激光束• 激光功率密度测定(辐射测量)• 2D 图像和检测到的激光束的叠加
SCV-2586 可用作太空和电子应用中的粘合、密封或灌封材料。它具有抗辐射、低热导率、氧化稳定性、热稳定性和良好的烧蚀特性。这种弹性体远远超过了行业标准 ASTM E595,总质量损失 (TML) 小于 0.10%,收集挥发性可冷凝物质 (CVCM) 小于 0.01%。这种轻质材料的比重为 0.74,非常适合注重重量的飞行应用,并且具有高附着力,底漆搭接剪切强度为 175 psi。
定义微电子学 让我们从定义微电子学开始。微电子学是电子学的一个子领域,支持几乎所有国防部活动,实现全球定位系统、雷达、指挥和控制以及通信等功能。微电子学有很多种类型,但在国防方面最常讨论的是三种:专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA) 和片上系统 (SoC)。 专用集成电路 (ASIC) ASIC 是为特定功能而非通用用途定制的集成电路。ASIC 广泛应用于国防、通信和工业领域。一些例子包括消费电子产品、通信设备和抗辐射空间系统。 滚动文本:抗辐射加固:使电子元件和电路能够抵抗高水平电离辐射造成的损坏或故障的过程,特别适用于太空环境、核反应堆周围或核事故或核战争期间。现场可编程门阵列 (FPGA) FPGA 是一种集成电路,设计为在制造完成后由客户或设计人员进行配置。这就是它被称为现场可编程的原因。FPGA 适用于国防、通信和工业领域。以下是一些示例:航空、通信、成像系统和空间系统(经辐射加固)。滚动文本:辐射加固:使电子元件和电路能够抵抗高水平电离辐射造成的损坏或故障的过程,特别适用于太空环境、核反应堆周围或核事故或核战争期间。片上系统 (SoC) SoC 是利用计算机或电子设备的许多或所有组件的集成电路。SoC 可用于各种计算功能。一些示例包括移动计算设备,例如平板电脑、智能手机和嵌入式系统。
智能背板底盘专为空间相关的数据采集、数据处理和记录而设计。其智能抗辐射背板设计允许在辐射密集环境中使用 100 多个插入式 COTS 模块,而无需这些模块具有任何内置辐射防护。如果模块上发生单粒子闩锁 (SEL),背板会检测到此现象并重置模块的操作。此操作可确保消除电离辐射(模块电子电路故障)的潜在有害影响。背板为机载任务计算机提供持续的健康状态信息以及看门狗功能。
程序存储器是太空应用的关键组件。它们永久存储在微控制器上执行的程序或现场可编程门阵列 (FPGA) 的配置数据。它们在可靠性、容错性和抗辐射性方面具有最严格的要求。欧盟资助的 MNEMOSYNE 项目旨在展示新一代具有串行接口的抗辐射高密度非易失性程序存储器。该技术将基于最先进的商用嵌入式磁性 RAM,采用 22 nm FD-SOI 工艺。如果成功,该项目将推出第一款密度高于 64 Mb 的抗辐射非易失性程序存储器,用于太空应用。存储器是太空应用的关键组件。它们可分为三种类型:大容量、高速缓存和程序存储器。后者永久存储可作为 MCU 启动存储器或 FPGA 配置非易失性存储器 (NVM) 执行的程序。在太空应用中,程序存储器是需要最高可靠性、零错误容忍度和最高辐射强度的存储器,因为它与系统上电直接相关。另一方面,随着系统性能要求的提高,集成电路(IC)越来越密集。最近的太空程序存储器需要更高的速度和密度。例如,欧洲辐射硬化 FPGA BRAVE NG-Medium 至少需要 13Mb 的配置。下一代 NG-large 和 NG-Ultra 将需要 128Mb 和高达 512Mb 的高速、低引脚数配置存储器。目前,对于这种关键存储器,没有可用的欧洲辐射硬化存储器组件。MNEMOSYNE 项目旨在基于最先进和成熟的欧洲商用 22 nm FDSOI 磁性 RAM (MRAM) 技术开发(设计和原型)新一代具有串行接口的辐射硬化高密度 NVM。得益于 FDSOI 半导体结构,该工艺自然提供了良好的辐射耐受性。此外,MRAM 技术天然具有 SEU 免疫力。关键创新包括:• 第一个密度高于 1Mb 的欧洲 RHBD(抗辐射设计)空间 NVM;• 第一个密度高于 16Mb 的全球 RHBD 空间 NVM;• 第一个采用低于 65nm 工艺的欧洲嵌入式 RHBD 高性能空间 NVM IP 核;• 第一个用于空间应用的新一代自旋转移力矩 (STT) MRAM;• 第一个在 22nm FDSOI 上应用于数字和模拟 IP 的 RHBD,用于缓解 TID 和 SEE;高密度 MRAM 的开发将重塑航天工业及其他领域的整个存储器芯片市场。