图 6-5: 氙弧和太阳光光谱 [102] 111 图 A-I: TINUVIN 320 结构 129 图 A-2: 吸收光谱 131 图 A-3: 结构 146 图 A-4: 吸光度 146 图 A-5: 搭接剪切 154 图 A-6: 曝光周期 155 图 B-1: 应力与应变 (MET 16) 182 图 B-2: 应力与应变 (K 404) 182 图 B-3: 应力与应变 (I TIN 53) 182 图 B-4: 应力与应变 (MET 23) 183 图 B-5: 应力与应变 (NUV 1) 183 图 B-6: 应力与应变 (K 100) 183 图 B-7: 应力与应变(NUV 17) 184 图 B-8: 应力与应变 (MET 31) 184 图 B-9: 应力与应变 (NUV 26) 185 图 B-I0: 应力与应变 (MET 4) 185 图 B-ll: 应力与应变 (I TIN 48) 185 图 B-12: 应力与应变 (I TIN 8) 186 图 B-13: 应力与应变 (I TIN 4) 186 图 B-14: 应力与应变 (I TIN 61) 186 图 B-15: 应力与应变 (MET 2) 187 图 B-16: 应力与应变 (I TIN 5) 187 图 B-17: 应力与应变 (MET 17) 187 图 B-18: 应力与应变 (MET 33) 188 图B-19: 应力与应变 (MET 8) 188 图 B-20: 应力与应变 (I TIN 48) 188 图 B-21: 应力与应变 (MET 6) 189 图 B-22: 应力与应变 (NUV 8) 189 图 B-23: 应力与应变 (NUV 4) 189 图 B-24: 应力与应变 (NUV 28) 190 图 B-25: 应力与应变 (NUV 32) 190 图 C-l: (波长与折射率) MET 6 与 MET 192 图 C-2: (波长与折射率) MET 2 与 MET 17 192 图 C-3: (波长与折射率) MET 8 与 MET 17 193 图 C-4: (波长与折射率) NUV 8 vs. NUV 16 193 图 C-5:(波长 vs. 折射率)NUV 16 vs. NUV 3 194 图 C-6:(波长 vs. 折射率)NUV 4 vs. NUV 16 194 图 C-7:(波长 vs. 折射率)I TIN 5 vs.I TIN 48 194 图 C-8:(波长 vs. 折射率)I TIN 4 vs.I TIN 48 195 图 C-9:(波长 vs. 折射率)I TIN 8 vs.I TIN 48 195 图 F-1:DCS 扫描显示 Tg (NUV 8) 212 图 F-2:DCS 扫描显示 Tg (I TIN 5) 212 图 F-3:DCS 扫描显示 Tg (MET 6) 213 图 F-4:DCS 扫描未显示 Tg(I TIN 5) 213 图 F-5:DCS 扫描未显示 Tg(MET 6) 214 图 G-l:1 NUV 9 216 图 G-2:2 NUV 9 216 图 G-3:1 I TIN 58 217 图 G-4:1 MET 30 217 图 G-5:2 I TIN 58 218 图 G-6:2 MET 30 218
图 6-5: 氙弧和太阳光光谱 [102] 111 图 AI: TINUVIN 320 结构 129 图 A-2: 吸收光谱 131 图 A-3: 结构 146 图 A-4: 吸光度 146 图 A-5: 搭接剪切 154 图 A-6: 暴露周期 155 图 B-1: 应力与应变 (MET 16) 182 图 B-2: 应力与应变 (K 404) 182 图 B-3: 应力与应变 (I TIN 53) 182 图 B-4: 应力与应变 (MET 23) 183 图 B-5: 应力与应变 (NUV 1) 183 图 B-6: 应力与应变 (K 100) 183 图 B-7: 应力与应变 (NUV 17) 184 图 B-8: 应力与应变 (MET 31) 184 图 B-9: 应力与应变 (NUV 26) 185 图 B-I0: 应力与应变 (MET 4) 185 图 B-ll: 应力与应变 (I TIN 48) 185 图 B-12: 应力与应变 (I TIN 8) 186 图 B-13: 应力与应变 (I TIN 4) 186 图 B-14: 应力与应变 (I TIN 61) 186 图 B-15: 应力与应变 (MET 2) 187 图 B-16: 应力与应变 (I TIN 5) 187 图 B-17: 应力与应变 (MET 17) 187 图 B-18: 应力与应变 (MET 33) 188 图 B-19: 应力与应变 (MET 8) 188 图 B-20: 应力与应变 (I TIN 48) 188 图 B-21: 应力与应变 (MET 6) 189 图 B-22: 应力与应变 (NUV 8) 189 图 B-23: 应力与应变 (NUV 4) 189 图 B-24: 应力与应变 (NUV 28) 190 图 B-25: 应力与应变 (NUV 32) 190 图 C1: (波长与折射率) MET 6 与 MET 192 图 C-2: (波长与折射率) MET 2 与 MET 17 192 图 C-3: (波长与折射率) MET 8 与 MET 17 193 图 C-4: (波长与折射率) NUV 8 与 NUV 16 193 图 C-5:(波长 vs. 折射率) NUV 16 vs. NUV 3 194 图 C-6:(波长 vs. 折射率) NUV 4 vs. NUV 16 194 图 C-7:(波长 vs. 折射率) I TIN 5 vs. I TIN 48 194 图 C-8:(波长 vs. 折射率) I TIN 4 vs. I TIN 48 195 图 C-9:(波长 vs. 折射率) I TIN 8 vs. I TIN 48 195 图 F-1:DCS 扫描显示 Tg (NUV 8) 212 图 F-2:DCS 扫描显示 Tg (I TIN 5) 212 图 F-3:DCS 扫描显示 Tg (MET 6) 213 图 F-4:DCS 扫描未显示 Tg (I TIN 5) 213 图 F-5: DCS 扫描未显示 Tg (MET 6) 214 图 G1:1 NUV 9 216 图 G-2:2 NUV 9 216 图 G-3:1 I TIN 58 217 图 G-4:1 MET 30 217 图 G-5:2 I TIN 58 218 图 G-6:2 MET 30 218
使用不同靶到基片距离的化学计量氮化硅靶,通过射频磁控溅射在单面 P 型抛光掺硼硅晶片基片上沉积氮化硅薄膜。改变靶到基片的间距(非常规参数)以优化表面粗糙度和晶粒尺寸。这种优化提供了均匀、密集的氮化硅薄膜的正态分布,没有表面裂纹。采用原子力显微镜探索氮化硅薄膜的精确表面粗糙度参数。所有样品的表面粗糙度和晶粒分析都表现出直接关系,并与靶到基片的间距呈反比关系。通过以下参数分析了 Si3N4 的表面形貌:平均粗糙度、均方根粗糙度、最大峰谷高度、十点平均粗糙度、线的偏度和峰度。氮化硅薄膜的表面粗糙度在基于氮化硅波导的生物传感器制造中具有重要意义。 (2022 年 8 月 4 日收到;2023 年 4 月 3 日接受) 关键词:原子力显微镜、射频磁控溅射、氮化硅、靶材到基板间距、薄膜 1. 简介 氮化硅具有卓越的光学、化学和机械性能,是微电子学中用作电介质和钝化层 [1] 以及微机电系统 (MEMS) 中结构材料最广泛的材料 [2, 3]。氮化硅薄膜由于其在可见光和近红外 (NIR) 区域的高折射率和透明度,在光电子应用中也发挥着至关重要的作用 [4, 5]。氮化硅薄膜在光电子领域的主要应用是基于光波导的生物传感器作为平面光波导 [6-8]。平面光波导是一种三层结构,其中通常称为芯的高折射率薄膜夹在两个低折射率膜(称为下包层和上包层)之间。平面波导内部的光传播基于全内反射原理。据报道,光波导中芯体表面的粗糙度是造成波导边界处光传播损耗的原因 [10, 11]。这是由于界面处的反射和折射现象而不是全内反射造成的。芯体的粗糙表面可以将光散射到不同方向。芯体和包层之间的折射率差 ∆n 越大,光在芯体中的限制就越大。因此,由于氮化硅的折射率约为 2,而二氧化硅的折射率约为 1,因此二氧化硅/氮化硅/二氧化硅的特定结构是平面光波导的合适候选材料。46 作为上下包层,折射率差 ∆n ~ 0.5[9]。Si 3 N 4 薄膜通过低压化学气相沉积、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积和磁控溅射系统制备[12-16]。然而,磁控溅射技术由于无毒气体、低温沉积、易于调节沉积速率和沉积系统简单而比 PECVD 技术具有相当大的优势[17]。薄膜的常规参数
HI96803数字葡萄糖折射仪是一种坚固的便携式,防水装置,从Hanna Instruments作为分析仪器制造商的经验中受益。HI96803是一种使用折射率测量的光学仪器,以确定水溶液中的葡萄糖。该方法既简单又快速。样品。在几秒钟内,仪器测量样品的折射率,并通过重量浓度单位将其转换为%。HI96803数字折光仪消除了与机械折射率相关的不确定性,并且很容易用于途中测量。测量技术和温度补偿采用ICUMSA方法书中建议的方法(国际糖分析方法的国际委员会)。温度(在°C或°F中)同时显示大型双层显示屏上的测量以及低功率和其他有用的消息代码的图标。关键功能包括:•双级LCD•自动温度补偿(ATC)•易于设置和存储•使用低功率指示器(BEPS)的电池操作•不使用3分钟后自动关闭。
一种更准确的技术是在自定义材料中建模基于吸收的极化。在Fred文档的材料类别中,右键单击并选择创建一个新材料…。在下拉菜单下,选择“采样的双折射和/或光学活动材料”。该材料必须具有不同的实际折射率成分,并且也可能具有不同的假想折射率成分。将晶体轴定向局部 +X方向(1,0,0)。可以用N o = 1.61,n e = 1.65,k o = 100,k e = 0对吸收性二元偏振器进行建模。可以用n o = 1,n e = 1.001,k o = 100,k e = 0对线粒体X极化器进行建模。假想的折射率表示吸收。在这种情况下,极化的普通成分(垂直于晶体轴)被吸收,仅沿 +X晶体轴沿极化成分留下。
在这项工作中,我们提出了一种使用傅立叶变换红外光谱法(FTIR)来确定薄超级传导膜的中红外折射率。尤其是,我们在波长范围为2.5至25 µm的波长范围内对10 nm厚的NBN和15 nm厚的MOSI膜进行了FTIR传播和反射测量,对应于12-120 THz或光子的频率50-500 MEV。To extract the mid-infrared refractive indices of the thin films from FTIR measure- ments, we used the Drude-Lorentz oscillator model to represent the dielectric functions of the films and implemented an optimization algorithm to fit these oscillator parameters, minimizing the error between the measured FTIR spectra and the simulated spectra calculated using the dielectric func- tions of the films.为了评估提取的介电函数的一致性,我们比较了从紫外线中这些介电功能到近红外波长的折射率值与使用光谱椭圆法分别测量的值。为了进一步验证,我们从其提取的Drude振荡器参数中计算出膜的薄片电阻,并与实验值进行了比较。可以扩展这种基于FTIR的折射率测量方法,以测量超过25 µm的波长的薄膜的折射率,这对于设计高效的光子探测器和光子设备非常有用,在中型和远足波长中具有增强的光学吸收。
引言本单元评估学生对波浪和电力主题的理解(规范第33至80点)。A节有10个多项选择问题,而B节包含简短和长答案问题,计算和一个6分的链接问题的混合物。与所有A级课程一样,本文评估了学生理解内容的能力,以及他们将这种理解应用于许多不同应用程序的能力。规范的这一部分包含核心实践4至8。这些是学生所接受的实践,并且可以在论文中提出有关这些实践的问题。问题17围绕核心实用5,而核心实践的各个方面出现在问题12中。A节 - 平均而言,本节中的10分在10分中的5到6分之间。问题8是最成功的回答,尽管这是唯一正确回答三分之二的学生的多项选择。三个问题得到了不到一半的学生的正确回答。这些是问题3、5和10。一般而言,这些可以被认为是需要最高理解在新情况下应用最高水平的多项选择问题。B节Q11(a)这个问题通常得到很好的回答,其中大多数学生都在得分。大多数能够插入两个给定的折射率值以及问题中给出的入射角。只有一个少数数字未能包括折射率值,或者在方程式中以错误的方式获得了折射率值。少数决定在计算中仅使用给定的折射率之一,这意味着他们正在锻炼其中一种材料和空气之间边界的折射角度。对于那些有正确的数值答案的人来说,有很小比例的人忘了包括正确的单元。Q11(b)考虑到公式表中列出的方程仅包括一个折射率(n),该问题的这一部分被证明更加要求。许多学生没有意识到他们必须确定
