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World File Search System护栅
65-...中总电离剂量响应的布局依赖性
然而，LDE 对辐射效应的影响尚不清楚，很少有论文关注这一问题，且有限的研究表明器件的辐射敏感性与版图有关。Rezzak 等人 [6] 首次研究了 90 nm 体硅 NMOS 器件中版图相关的总电离剂量 (TID) 响应，结果表明，由于浅沟槽隔离 (STI) 引起的压应力较弱，因此辐射诱导漏电流随栅极至有源区间距的增加而增大。对于 45 nm 应变 SOI RF nFET，不同的源/漏接触间距和栅指间间距可能导致 RF 性能和 TID 退化之间的权衡 [7]。很显然，关于 LDE 对纳米级器件辐射响应的实验研究还很有限，需要进一步研究。
栅极电压可寻址混合超导体-半导体量子阱场效应纳米开关阵列的大规模片上集成
稳定、可重复、可扩展、可寻址和可控的混合超导体-半导体 (S-Sm) 结和开关是门控量子处理器的关键电路元件和构建块。分离栅电压产生的静电场效应有助于实现纳米开关，这些纳米开关可以控制基于二维半导体电子系统的混合 S-Sm 电路中的电导或电流。这里，通过实验展示了一种新颖的大规模可扩展、栅极电压可控的混合场效应量子芯片的实现。每个芯片都包含分离栅场效应混合结阵列，它们用作电导开关，由与 Nb 超导电子电路集成的 In 0.75 Ga 0.25 As 量子阱制成。芯片中的每个混合结都可以通过其相应的源漏极和两个全局分离栅接触垫进行控制和寻址，从而允许在其 (超) 导电和绝缘状态之间切换。总共制造了 18 个量子芯片，其中有 144 个场效应混合 Nb-In 0.75 Ga 0.25 As 2DEG-Nb 量子线，并研究了低温下多个器件的电响应、开关电压（开/关）统计、量子产率和可重复性。提出的集成量子器件架构允许控制芯片上大型阵列中的单个结，这对于新兴的低温量子技术非常有用。
日本编辑规格 (JES) 版本 1.6 ...
34 11 00 新 JES 规范：铁路轨道和配件。AA MFR：日本可接受的替代方案，用于铁路轨道和配件的联合设施指南规范 (UFGS) 34 11 00（2024 年 7 月）。35 59 13.16 新 JES 规范：挤压船用护舷。AA MFR：统一设施指南规范 (UFGS) 35 59 13.16 中可接受的替代方案，挤压和模制船用护舷，用于硫化或热塑性橡胶的热老化性能测试要求（2024 年 7 月）。
可靠性驱动 - 博世汽车售后市场
推荐应用 高尔夫球车 地板机 电动卡车 电动休闲车 (RV) 电动多用途车 先进的焊接技术 固定铸造带可最大限度地减少活性材料的脱落，从而提高导电性 高抗振性 特殊的补充塞设计 专门设计的结构可一次性释放气体，确保减少水消耗 聚丙烯容器 高耐热性，操作更安全 高密度糊剂 每个立方体的双糊剂可减少正常的材料脱落并产生更高的容量 纳米级 SiO2-PVC 隔板 更高的孔隙率和对称孔径可降低内部电阻，实现稳定的放电输出 特殊的板栅结构 特殊合金和更厚的板栅可促进深循环特性
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IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种功率半导体器件，已获得电力电子电路设计工程师的认可，用于电机驱动和功率转换器应用。这些器件兼具功率 MOS 和 MOS 的最佳特性。
SiC MOSFET 在特定低栅源电压偏置下具有重复短路能力，可实现更强劲的极端操作
摘要 — 本文介绍了商用碳化硅 (SiC) MOSFET 器件在高漏源电压下重复性短路应力下的短路 (SC) 性能。研究了两种方案来评估栅源电压 (V GS ) 去极化和短路持续时间 (T SC ) 减少的影响。V GS 去极化可降低功率密度，并允许在增加短路持续时间 T SCmax 的情况下保持安全故障模式 (FTO：开路故障)。结果表明，SiC MOSFET V GS 去极化不会降低 T SCmax 下的短路循环能力。但是，使用 V GS 去极化可以使性能接近 IGBT 稳健性水平，在 T SC =10 µ s 下循环近 1000 次。短路测试期间芯片温度变化的模拟表明，性能下降仍然归因于短路循环期间结温 (TJ ) 的升高，这导致顶部 Al 融合，从而导致厚氧化物中出现裂纹。
TO 35E1-2-13-1 - 罗宾斯空军基地
本手册中使用“警告”和“注意”来强调对保护人员（警告）或设备（注意）至关重要的操作或维护程序、做法、条件或声明。警告和注意位于其适用的步骤或程序之前。警告和注意由四部分组成：标题（警告、注意或图标）、危险说明、最低预防措施以及忽视可能造成的后果。本手册中使用“注意事项”来强调对保护人员或设备不至关重要的操作或维护程序、做法、条件或声明。根据要强调的信息，注意事项可以位于步骤或程序之前或之后。使用的标题及其定义如下：
基于低压体驱动翻转电压跟随器的...
本文提出了一种低压高性能运算跨导放大器设计。所提出的架构基于体驱动准浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，支持低压操作并提高放大器的增益。除此之外，通过在输入对处使用翻转电压跟随器结构以及体驱动准浮栅 MOSFET，消除了运算跨导放大器 (OTA) 的尾电流源要求。与传统的体驱动架构相比，所提出的运算跨导放大器的直流 (DC) 增益增加了五倍，单位增益带宽增加了三倍。用于放大器设计的金属氧化物半导体 (MOS) 模型采用 0.18 微米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术，电源为 0.5 V。
改革英格兰的成人社会保障
3 卫生和社会保健部 (DHSC) 制定国家政策，并对整个护理系统的绩效向议会和公众负责。DHSC 负责通过支出审查流程商定中央政府对成人社会保健的资金，该流程属于由升级、住房和社区部 (DLUHC) 监督的地方政府资金总体系统。DLUHC 负责地方当局运作的财务框架，并根据《2014 年护理法》规定的法定职责，向为其当地护理和支持提供资金的地方当局分配资金。大多数护理由地方当局委托给英格兰近 18,000 家独立护理提供商之一，其中包括私人、非营利和志愿组织。成人社会护理通过不同的服务类型提供，例如养老院或家庭护理。护理质量委员会 (CQC) 是英格兰该行业的独立监管机构；它负责监管所有注册提供商的质量，并评估约 60 家可能“难以替代”的提供商的财务可持续性。自 2023 年 4 月起，它承担了新的职责，即评估英格兰地方当局如何履行《护理法》第 1 部分规定的职责。
Maike Sunweding，博士职位和隶属教育... div>Maike Sunweding，博士职位和隶属教育... div>
2011 - 2016年英国南安普敦大学。Ph.D.国家海洋学中心论文的复杂系统模拟：海洋模型效用依赖水平分辨率顾问：乔治·护德夫（George Nurser），乔尔·J.-M。 Hirschi和James Dyke奖学金：工程与物理科学研究委员会（ESPRC，英国）Ph.D.国家海洋学中心论文的复杂系统模拟：海洋模型效用依赖水平分辨率顾问：乔治·护德夫（George Nurser），乔尔·J.-M。 Hirschi和James Dyke奖学金：工程与物理科学研究委员会（ESPRC，英国）