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从第一性原理研究原子单层中的挠曲电性
我们利用从头算密度泛函理论 (DFT) 研究了 54 个选定原子单层中的挠曲电效应。具体来说，我们考虑了 III 族单硫属化物、过渡金属二硫属化物 (TMD)、IV 族、III-V 族、V 族单层、IV 族二硫属化物、IV 族单硫属化物、过渡金属三硫属化物 (TMT) 和 V 族硫属化物的代表性材料，执行对称性适应的 DFT 模拟，以计算在实际相关的弯曲曲率下沿主方向的横向挠曲电系数。我们发现这些材料表现出线性行为，沿两个主方向具有相似的系数，TMT 的值比石墨烯大五倍。此外，我们发现了挠曲电效应的电子起源，该效应随着单层厚度、弯曲方向的弹性模量和组成原子的极化率之和而增加。挠曲电性 1-8 是半导体/绝缘体共有的机电特性，代表应变梯度和极化之间的双向耦合。与压电性不同，它不限于非中心对称的材料，即不具有反演对称性的晶格结构，与电致伸缩相反，它允许通过反转电场来反转应变，并允许感测额外的
GaN微管挠曲电学研究平台的建立
摘要。本文提出了一种经济高效的工艺流程设计与开发，用于研究 GaN 微管的挠曲电性能，微管直径为 2 - 5 μm，微管壁厚为 50 nm。研究了设计以及电化学蚀刻参数（施加电压、阳极氧化持续时间）对获得的通道尺寸的影响。所提出的技术路线意味着在高蚀刻速率下在环保电解质中对 n-InP 半导体晶体进行电化学蚀刻。通过实验优化了工艺流程。建议引入一个垂直通道，微管将放置在该通道中，以便在测量过程中在平台上达到更高的稳定性。
从第一原理研究原子单层中的挠曲电性
我们利用从头算密度泛函理论 (DFT) 研究了 54 个选定原子单层中的挠曲电效应。具体来说，我们考虑了 III 族单硫属化物、过渡金属二硫属化物 (TMD)、IV 族、III-V 族、V 族单层、IV 族二硫属化物、IV 族单硫属化物、过渡金属三硫属化物 (TMT) 和 V 族硫属化物的代表性材料，执行对称性适应的 DFT 模拟，以计算在实际相关的弯曲曲率下沿主方向的横向挠曲电系数。我们发现这些材料表现出线性行为，沿两个主方向具有相似的系数，TMT 的值比石墨烯大五倍。此外，我们发现了挠曲电效应的电子起源，该效应随着单层厚度、弯曲方向的弹性模量和组成原子的极化率之和而增加。挠曲电性 1-8 是半导体/绝缘体共有的机电特性，代表应变梯度和极化之间的双向耦合。与压电性不同，它不限于非中心对称的材料，即不具有反演对称性的晶格结构，与电致伸缩相反，它允许通过反转电场来反转应变，并允许感测额外的