摘要:硫族相变材料 (PCM) 在非挥发性的非晶态和结晶态之间具有很大的光学特性差异,引起了人们对其在长期接近零功耗的超紧凑光子集成电路中的应用的浓厚兴趣。然而,在过去十年中,PCM 集成光子器件和网络受到各种常用 PCM 本身巨大光学损耗的困扰。在本文中,我们重点研究了一种新兴低损耗相变材料 Sb 2 Se 3 在硅光子平台上的沉积、特性和单片集成。蒸发的 Sb-Se 薄膜的非晶相和结晶相之间的折射率对比度被优化到 0.823,而椭圆偏振法测得的消光系数保持小于 10 − 5。当集成在硅波导上时,非晶薄膜引入的传播损耗可以忽略不计。结晶后,磁控溅射Sb-Se贴片覆盖硅波导的传播损耗低至0.019 dB/µm,而热蒸发贴片覆盖硅波导的传播损耗低于0.036 dB/µm。
摘要 - 光子综合电路(图片)是片上光学技术的基础。MACH-ZEHNDER调制器(MZM)是图片的有吸引力的构件,这些图片主要依赖于材料中弱且挥发性的光学效应。相比之下,相变材料(PCM),例如GE 2 SB 2 SE 4 TE 1(GSST)是有前途的候选人,可以实现有效且非易失性的可重构光学设备。然而,PCM的相跃迁伴随着其折射率的假想部分的大大变化,这使得MZMS的设计具有挑战性。在本文中,引入了两种称为“损失平衡”和“均衡”的有趣设计方法,以提出基于GSST的高性能MZM。在这方面,提出了以石墨烯为基础的基于GSST的波导,该波导在两种引入方法中都扮演着可构型活性波导的作用。根据提出的分析,在1550 nm的波长下,活性长度为4.725 µm,插入小于2 dB的非易失性MZM是可实现的。最后,对提出的基于GSST的波导进行热模拟,以便估计要进行非晶化(擦除)和结晶过程所需的电压分别为12 V和4.3 V。
金属有机骨架 (MOF) 是具有独特吸附性能的微孔结晶配位聚合物。它们在催化、1 气体存储、2 分离 3 和微电子领域显示出了巨大的潜力。4 作为传感器涂层,它们可以将分析物富集在传感器表面,在某些情况下是选择性的。5,6 然而,由于缺乏简便和通用的沉积和图案化技术,它们的集成受到阻碍。7,8 基于溶液的 MOF 沉积技术,例如化学溶液生长或液相外延,可能会导致腐蚀或污染。4 化学气相沉积可以避免这些风险,9 但受到金属前体的反应性和连接剂的挥发性的限制。已经展示了多种用于 MOF 涂层的图案化方法。减法方法(例如剥离图案化 9,10 或无抗蚀剂直接光刻 11)涉及修改整个基板,这增加了残留物污染的风险。相比之下,加法图案化技术(例如选择性生长 12、微接触 12,13 和喷墨打印 14,15)仅将目标材料沉积在基板的有限区域上。喷墨打印特别
近年来,基于新兴的二维(2D)材料,对经济和有效数据处理的需求导致对神经形态计算的兴趣激增。作为具有许多有趣特性的上升范德华(VDW)P型Weyl半导体,Tellurium(TE)已被广泛用于高级电子/光电子。但是,从未探索过其应用程序的应用门(FG)内存设备进行信息处理。在此报道,由TE基于TE的2D VDW异质结构启用了用于多模式储层计算(RC)的电子/光电FG存储器。受到强烈的电气/光学刺激的约束,该设备表现出令人印象深刻的非挥发性电子记忆行为,包括≈108灭绝比,≈100ns开关速度,> 4000个循环,> 4000-S的保留稳定性和非挥发性稳定性和非挥发性的多端口多端口选择性选择可编程可编程特性。当输入刺激削弱时,非易失性存储器会降解为挥发性记忆。利用这些丰富的非线性动力学,这是一个多模式RC系统,具有高识别精度为90.77%的多模式系统,用于事件类型的多模式手写数字识别。
信息理论被许多人视为交流的数学理论。通常,“交流”一词描述了一个场景,涉及两个交换信息的物理遥远的各方,但可能同样涉及两个暂时的政党。后者会导致跨时间而不是跨空间引起的通信,通常称为信息存储[8],即,将信息编码到物理设备中以便在以后的时间点上检索,并有效,准确地检索。在1948年的开创性论文中,克劳德·香农(Claude Shannon,1916-2001)表明,所有类型的信息(IMEMEN,文本,视频等)可以使用位,即零和一个来传达,并且在存储的情况下存在相同的语句。为了存储一块信息,必须使用位对其进行编码,并将这些位放在可靠的物理设备上,最好是非挥发性的设备,即不需要电流以保留该信息。高密度非挥发器设备的最早例子(超越了数千年的打孔卡和书面介质)可能是磁性存储器的最早例子。在这项1950年代的技术中,使用不同的磁化贴剂在可磁性胶带上组织了钻头。在接下来的几十年中,对较高存储量的需求增加使这项技术向前发展成为硬盘驱动器,近年来,这扫清了通往固态驱动器的道路。尽管自引入以来,数字存储设备却努力达到不断增长的存储需求以来,虽然卷的数量增加了10个数量级。虽然卷的数量增加了10个数量级。
典型物理性质 以下数据是在巴斯夫公司实验室测得的。它们并不代表对我们销售产品的任何具有法律约束力的性质保证。值 倾点,℃ -68 闪点(COC),℃ 215 气味 温和 表面张力,mN/m 30.5 溶液温度,℃ 154 塑溶胶凝胶温度,℃ 150 蒸汽压@20℃,mbar < 0.01 溶解度@25℃,水中,mg/L < 0.01 粘度和密度数据 温度(℃) 动态粘度(cP) 密度(g/cm³) -40 1,173 0.968 -30 426 0.960 -20 188 0.952 -10 92.8 0.945 0 51.2 0.937 10 30.9 0.930 20 20.0 0.923 40 9.94 0.908 60 5.80 0.894 80 3.78 0.879 描述 Plastomoll ® DNA 是一种高效增塑剂,可赋予基础树脂出色的低温柔韧性和抗冲击性。因此,它广泛应用于基于乙烯基、硝化纤维素和橡胶的聚合物体系。用 Plastomoll ® DNA 增塑的乙烯基比用 DOA 增塑的挥发性小得多。它可溶于通常的有机溶剂,可与乙烯基中常使用的所有单体增塑剂混溶和兼容。 应用 Plastomoll ® DNA 可用于需要出色冷柔韧性和低挥发性的应用。 安全 Plastomoll ® DNA 不需要特殊处理。请按照良好的工业卫生和安全规范进行处理。佩戴个人防护设备,避免接触眼睛。如果发生眼睛接触,请用流动的水冲洗并联系医生。避免反复或长时间接触皮肤。提供足够的通风,避免吸入蒸气。有关安全的详细信息,请务必参考安全数据表 (SDS)。储存和处理 Plastomoll ® DNA 可在 40°C 以下储存一年(若排除水分)。包装 Plastomoll ® DNA 可散装、罐车或火车运输。
最近,在各种单层和多层材料中观察到非易失性切换。除了内存应用外,由于与其他新兴技术相比,该区域的缩放比例很高,因此电阻开关对于模拟RF开关也有望[1]。我们的RF开关是金属 - 绝缘子 - 金属结构,该结构由由2D材料隔开的金属电极制成的垂直连接组成。先前的研究表明,此RF开关适用于5/6G应用[1-2]。设备嵌入了共面波导中以进行RF测量。直流测量结果表明,直到施加设置电压(MOS 2设备为〜2V),该开关处于高电阻状态,这将设备置于低电阻状态。该状态一直存在,直到应用负偏差将切换重置为其高电阻状态为止。我们使用涵盖频率范围0.25-320GHz的S参数表征来提取设备的小型电路。从s-参数中,我们推导了RF开关的两个主要功能:插入损失(由于设备带有开关状态为ON状态的设备引起的功率损失)和隔离(在OFF状态下跨开关跨开关的功率衰减)。该设备是非挥发性的,状态保留量超过3个月[2]。在这项工作中,我们专注于HBN和MOS 2制造的RF开关的非线性研究。作为IV表征显示的,RF开关在足够高的偏置上是非线性的。测得的IIP3值与基于简单非线性电阻模型的模拟获得的IIP3值一致。为了量化这种非线性性,我们通过设备应用了一个具有2个音调(F 1 = 2.365GHz和F 2 = 2.415GHz)的信号,我们在F 1和F 2处测量输出功率,我们还测量了交流频率下的功率(此处f int = 2f 2 -f 2 -f 1)。从测量的数据中,我们可以追踪每个频率与输入功率的功率,并提取输入三阶截距点(IIP3),HBN设备超过46dBm,MOS 2设备为20DBM。
下午 1:00 TS-SuA-1 正电性金属和元素薄膜的热原子层沉积及其在基底上固有选择性生长的评估,Charles Winter,韦恩州立大学受邀我们的实验室正在开发新的化学前体,用于通过原子层沉积 (ALD) 生长正电性金属和元素薄膜。我们还对表现出区域选择性生长的工艺感兴趣,尤其是不需要阻断或失活基团的固有选择性生长。ALD 目前在铜金属化、扩散屏障、衬里和晶体管制造方面有许多应用。热 ALD 通常是首选,因为等离子体可以提供低保形覆盖率,这是由于深而窄特征壁上的自由基复合。近年来,铜和贵金属薄膜的热 ALD 取得了广泛进展,因为正的电化学电位可以使前体离子相对容易地还原为金属。由于离子的电化学电位为负,且目前缺乏能够将离子转化为金属或元素的 ALD 辅助试剂,因此针对元素周期表中大多数其他金属和元素的热 ALD 方法尚未得到很好的发展。在本教程中,将介绍镍、钴、铝等正电性金属的热 ALD 生长。使用含有二氮杂二烯基 (RN=CHCH=NR) 配体的前体,已经实现了镍和钴金属膜的 ALD。这些前体能够在低于 200°C 的温度下沉积钴和镍金属膜,并使用烷基胺作为良性辅助试剂。生长速率高(镍为 0.60 Å / 循环,钴为 0.98 Å / 循环),可获得高纯度、低电阻率的金属膜,并且膜具有低均方根粗糙度。这些工艺在铂、钌和铜等金属基材上表现出固有的选择性生长。相比之下,在绝缘基板上没有观察到生长。我们还将描述一类新的热 ALD 前体和钴和铜金属膜的工艺。使用适当的共反应物可以在金属基板上实现钴和铜的固有选择性生长。最后,将介绍一种用于铝金属膜生长的热 ALD 工艺。该工艺需要用热稳定、挥发性的氢化铝共试剂处理表面结合的 AlCl 3。铝金属 ALD 工艺的生长速度很高,并且可以获得高纯度、低电阻率的铝金属膜。我们将介绍铝金属膜区域选择性生长的前景。这些示例表明,通过精心设计前体和化学成分,可以为正电性金属实现热 ALD 工艺。
抽象的人力资源管理(HRM)被迫进化并重新考虑其功能,因为由于技术的突破,改变了员工的人口统计以及改变愿望,因此工作场所的气候已迅速改变。本研究调查了应对工作未来所需的人力资源管理进展。自动化,自由职业工作以及转移的劳动力愿望都导致了从常规的HRM方法和更加计算的,数据驱动和多样化的策略的变化。Workday是创新如何简化人力资源操作并根据数据支持决策的一个示例。人力资源管理的未来范围包括增加的AI集成,远程就业优化,正在进行的学习,福祉计划,多样性以及监督演出工人。但是,必须处理限制,例如数据隐私问题,经济不平等,反对变化以及道德难题。在这种挥发性的气候下,人力资源管理有望在确定下一阶段的工作中发挥关键作用。关键字:人力资源管理(HRM),未来,工作,适应,人工智能(AI),自动化。引言工作和就业领域的景观正在经历21世纪的大量转型,这是由于技术领域的快速发展,人口统计学的变化以及不断发展的社会期望而加速了。在响应这些转变时,人力资源管理也被迫采用,创新并重新定义其在组织中的作用。这种转变引起了一个概念,该概念称为工作的未来,该概念由多维变更组成,该变革正在重塑组织的管理方式,使他们是最有价值的资产,在那里工作人员。本文将探索人力资源管理中的创新,这对于导航这一新工作领域至关重要。工作的未来的特征是一些关键趋势。自动化和人工智能正在成为劳动力的组成部分,并且改变了工作角色并创造了对未来的新技能的需求。这种零工经济正在上升,它允许进行更灵活的工作安排,但他们也提出了一些有关工作保障和福利的问题。不仅仅是现代劳动力的期望已经发展,而且员工将更加重视工作的员工在工作生命平衡目的驱动的职业以及包容性的工作场所上。这些趋势既带来了人力资源管理的挑战和机遇。在这个动态和不断变化的环境中,传统的人力资源管理模型正在中断。hamouche(2021)表示,人力资源不再仅仅是管理人员,而是现在也已转变为一个战略合作伙伴,该战略合作伙伴负责获得人才,发展以及保留。预计人力资源管理将利用数据分析,以便它可以为决策提供信息,并能够适应工作的不断变化和促进
1。国家气候行动计划的基础是亚洲发展银行(ADB)对佐治亚州需求,优先级和承诺以及ADB的企业气候变化行动计划(2023-2030)以及ADB国家合作伙伴关系策略(CPS)的战略目标的支持,对佐治亚州的需求,优先事项和承诺以及对佐治亚州的需求,优先事项和承诺的适应性支持。气候行动是战略目标和CPS的横切优先级不可或缺的一部分。该计划概述了上游,中游和下游支持ADB计划,以提供增加融资,促进创新和提高气候行动能力的目标。它还旨在支持主要利益相关者之间的伙伴关系,政策对话和协调,以提高结果成就。ADB将作为其年度国家编程流程的一部分进行审查,其中包括在CPS实施的中点进行更深入的审查,并根据需要进行更新。A.操作气候行动需要2。气候变化对佐治亚州的财政和经济稳定构成了威胁,以及其人民的健康和福祉。该国极易受到气候变化影响和极端天气事件的影响,例如洪水,热浪,干旱,森林火灾和山体滑坡的频率和严重程度增加。1由于其地理位置和微气候和土地覆盖的多样性,佐治亚州面临多种气候影响。平均温度的升高将导致更频繁的热浪和干旱;冰川快速撤退,从而影响水力发电;以及更多挥发性的降水模式,导致更频繁的洪水。主要的包括:(i)由于海平面上升而导致的基础设施和住宅物业的沿海侵蚀和丧失; (ii)洪水,闪流,滑坡和泥泞的损害和生命损失; (iii)与干旱相关的农业产量损失和荒漠化; (iv)由于更频繁和密集的热浪而导致人类健康恶化; (v)增加森林火灾和害虫侵扰。国际货币基金组织(IMF)估计,在没有结构性改革的情况下,到2069年,气候变化引起的灾难可能会增加公共债务总债务(GDP)的15%,以适应气候风险为公共财务管理系统。2 3。气候适应至关重要。在过去的三十年中,佐治亚州的气候适应能力稳定地提高了其气候适应能力,与全球和地区同行相比,现在排名良好 - 在2021年圣母公司全球适应计划中,在182个国家中排名第42个国家。3但是,需要采取额外的投资和行动来遏制现有成本,并减轻未来的成本上升。这包括保存佐治亚州丰富的自然资本(即水资源,原始和生物多样性景观以及其他自然资源),这对于缓解气候变化和适应性至关重要,还提供经济前景,特别是对于旅游业和可再生能源(RE)生产。佐治亚州尚未制定任何定量适应目标,目前正在制定其国家适应计划。然而,佐治亚州国家气候变化战略(CCS)和缓解行动计划(CAP)的几个目标,与2021年通过,与适应有关。