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World File Search System振荡器
扩展腔二极管激光主振荡器电源...
典型的性能波长767 nm（k），780 nm（rb）871 nm（yb +），1064 nm（yag）1070 nm（al +）光学功率> 30mw30mw内在线宽5 <3 kHz 〜3 kHz 〜3 kHz 〜3 kHzfWHm linewidth（fwhm linewidth（10°S）5 <100 khz 5 <<<100 khz 5 <<<100 khz 5 <<<<100 khz <<<100 khz <<<<<<<<100 khz。足迹25 x 80mm²质量40 g空间资格和任务
多音 EMI 对集成振荡器传导抗扰度的协同效应
稿件收到于 2022 年 3 月 28 日；修订于 2022 年 5 月 3 日；接受于 2022 年 5 月 12 日。导致这些结果的研究获得了欧盟“地平线 2020”研究和创新计划下玛丽居里资助协议编号 812790（MSCA-ETN PETER）的资助。（通讯作者：Qazi Mashaal Khan。）Qazi Mashaal Khan 就职于 ESEO 工程学院、电气和电子工程系、RF-EMC 研究小组，49107 昂热，法国，同时也就职于法国国立应用科学研究所，35708 雷恩，法国（电子邮件：qazimashaal.khan@eseo.fr）。 Lokesh Devaraj 和 Alastair Ruddle 就职于 HORIBA MIRA Limited，地址：英国纽尼顿，CV10 0TU（电子邮件：lokesh.devaraj@horiba-mira.com；alastair.ruddle@horiba-mira.com）。Mohsen Koohestani、Mohamed Ramdani 和 Richard Perdriau 就职于 ESEO 工程学院电气和电子工程系 RF-EMC 研究组，地址：法国昂热 49107，以及雷恩第一大学雷恩电子和电信研究所，地址：法国雷恩 35042（电子邮件：mohsen.koohestani@eseo.fr；mohamed.ramdani@eseo.fr；richard.perdriau@eseo.fr）。数字对象标识符 10.1109/LEMCPA.20XX.XXXXXX
LAO-NCS：激光辅助自旋扭矩纳米振荡器-...
处理大数据，尤其是视频和图像，是现有冯诺依曼机面临的最大挑战，而人脑凭借其大规模并行结构，能够在几分之一秒内处理图像和视频。最有前途的解决方案是受大脑启发的计算机，即所谓的神经形态计算系统 (NCS)，最近得到了广泛的研究。NCS 克服了传统计算机一次一个字思考的限制，得益于类似于大脑的数据处理大规模并行性。最近，基于自旋电子的 NCS 已显示出实现低功耗高密度 NCS 的潜力，其中神经元使用磁隧道结 (MTJ) 或自旋扭矩纳米振荡器 (STNO) 实现，并使用忆阻器来模拟突触功能。尽管与 MTJ 相比，使用 STNO 作为神经元所需的能量较低，但由于启动具有可检测输出功率的振荡需要高偏置电流，因此基于自旋电子的 NCS 的功耗与大脑之间仍然存在巨大差距。在本文中，我们提出了一种基于自旋电子的 NCS（196 × 10）概念验证，其中通过微瓦纳秒激光脉冲辅助 STNO 振荡来降低 NCS 的功耗。实验结果表明，通过将 STNO 加热到 100 ◦ C，设计的 NCS 中 STNO 的功耗降低了 55.3%。此外，与室温相比，100 ◦ C 时自旋电子层（STNO 和忆阻器阵列）的平均功耗降低了 54.9%。与室温下典型的基于 STNO 的 NCS 相比，所提出的基于激光辅助 STNO 的 NCS (LAO-NCS) 在 100 ◦ C 下的总功耗提高了 40%。最后，与室温下典型的基于 STNO 的 NCS 相比，LAO-NCA 在 100 ◦ C 下的能耗预计可降低 86%。
具有 ASK 调制的耦合功率 LC 振荡器
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10. 低噪声、抖动混合恒温 SAW 振荡器
当频率与温度的要求过于严格而无法通过基本 XO（晶体振荡器）或 TCXO（温度补偿晶体振荡器）满足时，可使用 OCXO（恒温晶体振荡器）。使用 OCXO，当振荡器外部温度发生变化时，晶体和关键电路的温度会保持恒定。使用恒温器控制振荡器内部的温度可保持此恒定温度。在 OCXO 中，环境温度的变化会被感应到，然后反馈到恒温器控制器，该控制器会持续保持振荡器外壳内部的最佳温度。OCXO 可以将晶体的固有稳定性提高 5000 倍以上。恒温器控制系统并不完善，开环增益不是无限的，恒温器（振荡器）内部存在内部温度梯度，并且在传统恒温器中，恒温器外壳外部的电路会受到环境温度变化的影响，从而“拉动”频率。
基于电磁带隙谐振器的新型毫米波振荡器
如今，基于石英谐振器的参考振荡器的工作频率被限制在几百兆赫。从这样的参考振荡器中获取千兆赫范围的信号需要倍频或频率合成。然而，倍频过程会根据倍频系数的 20log 10 增加输出信号的相位噪声，同时也会增加电路的复杂性。从这个意义上讲，直接在毫米 (mm-) 波段的基频上产生 LO 信号是有利的。然而，这需要一个高质量 (Q-) 因子谐振器，最好在几千兆赫下工作。采用金属腔的传统无源谐振器的 Q 因子受到金属中的电阻损耗的限制。或者，基于陶瓷谐振器的直接在基频下工作的振荡器提供平均相位噪声，并且通常在 25 GHz 以上不可用。
使用FinFet的设计和FPGA实现环振荡器
摘要本文提出了一种新的技术，可以在芬费环振荡器的低功率耗散方面提高性能。5阶段环振荡器在FinFET技术的概念下设计。FinFET比普通CMOS技术提供更好的性能。FinFET（Fin Type Field效应晶体管）技术的呈现已在纳米创新中打开了新部分。超薄鳍的布置使抑制的短通道效应可替代单门MOSFET，凭借其出色的静电性能和可比性的可比性易于制造性。降低了亚微米区域的短通道效应并使晶体管仍然可扩展。由于这个原因，与大多数对应物相比，小长度晶体管可以具有更好的内在增益。仿真结果表明，使用FinFET技术对具有0.135MWATT功率和CMOS环振荡器的功率耗散的环振荡器提供0.232 MWATT。i为10.632mA，而FinFet环振荡器可提供0.381mA。关键字：FinFET技术，环振荡器，CMOS技术