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World File Search System振荡器
INGAAS量子点的量子效率和振荡器强度，用于电信中发出的单光子源O波段
我们基于时间分辨的光致发光光谱证明了实验结果，以确定INGAAS量子点（QDS）的振荡器强度和内部量子效率（IQE）。使用减少应变层，这些QD可用于制造电信O波段中发出的单光子源。通过确定在QD位置的光密度在QD的位置的变化下，在QD的位置确定辐射和非辐射衰减速率，以评估振荡器的强度和IQE。为此，我们对QD样品进行测量，以实现由受控的湿化学蚀刻过程实现的封顶层的不同厚度。从辐射和非辐射衰减速率的数字建模依赖于上限层厚度，我们确定长波长Ingaas QD的振荡器强度为24.6 6 3.2，高IQE（85 6 10）的高IQE（85 6 10）。
用于雷达系统的光电参考X波段振荡器
摘要。介绍了光电微波振荡器的设计方案和自由运行状态下的特性研究结果，提出了一种利用锁相环将其与高稳定晶体振荡器信号同步的方法，并分析了光电微波参考振荡器频率不稳定性实验研究的结果。具有光增益和 10 GHz 振荡频率的光电微波参考振荡器在与微波载波 10 kHz 频率偏移处同时提供超低相位噪声（小于 -142 dB Hz -1 ）和振荡频谱中的低杂散水平（不超过 -94 dBc）。在这种情况下，振荡频率的温度系数由高稳定晶体振荡器的温度不稳定性决定。
使用FinFet的设计和FPGA实现环振荡器
摘要本文提出了一种新的技术，可以在芬费环振荡器的低功率耗散方面提高性能。5阶段环振荡器在FinFET技术的概念下设计。FinFET比普通CMOS技术提供更好的性能。FinFET（Fin Type Field效应晶体管）技术的呈现已在纳米创新中打开了新部分。超薄鳍的布置使抑制的短通道效应可替代单门MOSFET，凭借其出色的静电性能和可比性的可比性易于制造性。降低了亚微米区域的短通道效应并使晶体管仍然可扩展。由于这个原因，与大多数对应物相比，小长度晶体管可以具有更好的内在增益。仿真结果表明，使用FinFET技术对具有0.135MWATT功率和CMOS环振荡器的功率耗散的环振荡器提供0.232 MWATT。i为10.632mA，而FinFet环振荡器可提供0.381mA。关键字：FinFET技术，环振荡器，CMOS技术
线性电子可调正弦振荡器
摘要 介绍了一种线性电子可调正弦振荡器 (LETSO)，它使用电流反馈放大器 (CFA) 和三个接地电容器以及一对匹配的模拟乘法器作为复合有源构建块 (ABB)。该设计产生高 Q 滤波器响应；从而使用短路固有频率 (SCNF) 的概念在 Q~∞ 处实现持续的线性振荡响应。振荡频率 (fo) 可通过乘法器控制电压 (V) 线性调谐。CFA 端口滚降参数和寄生电容的影响可以忽略不计。LETSO 响应范围高达 fo ~ 12MHz，测得的 THD ~ 2% 和线性误差 (∆~ 3.6%) 已通过实验验证。关键词：CFA、SCNF、可变 Q 滤波器、线性 VCO、相位噪声。分类：集成电路
