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World File Search System损耗
用于电路量子电动力学的多模态和超高 Q 值超导铌腔
2 3D 腔体.......................................................................................................................................................................................................................................................20 2.1 概述和动机..................................................................................................................................................................................................................................................................20 2.2 3D 腔体中的损耗机制..................................................................................................................................................................................................................................21 2.2.1 损耗概述..................................................................................................................................................................................21 . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 48 2.3.3 辐射损耗和衰减损耗 . ...
混合储能系统容量过大与能量损耗增大问题研究及基于低通滤波器的改进控制器设计
由电池和超级电容器 (SC) 组成的混合储能系统 (HESS) 是解决微电网中可再生能源 (RES) 带来的稳定性问题的有效方法。本文研究了低通滤波器 (LPF) 引起的两个储能设备 (ESD) 之间的能量交换，从而导致 HESS 的容量过大。此外，ESD 之间的能量交换会导致 HESS 更多的能量损失。基于对功率流的分析，本文提出了一种基于 LPF 控制器的改进控制器。功率方向控制策略消除了无益的功率流，以降低 HESS 的容量并提高往返能量效率。此外，SOC 控制策略机制平衡了 ESD 的期望充电状态 (SOC)，而不是依赖于 LPF。本文的案例研究表明，改进的 LPF 控制器将 HESS 的容量降低到最小容量并提高了往返能量效率。此外，该改进方法对电池老化没有不利影响，并且在较小容量下实现了电池寿命的延长。缩小的HESS实验装置验证了改进的LPF控制器的有效性和仿真结果。最后，将提出的改进控制器与各种现有的控制器进行比较以验证其性能。
透明的导电氧化物和低氮损耗富含硅的硅波导，作为神经形态光子学的基础
简介神经形态计算是指试图模仿大脑信号处理的信号的方式[1]。与基于具有两个分离的内存和处理单元并以顺序操作的von Neumann架构的传统计算机相比[2]，大脑过程以并行方式[3，4]。，它在速度和能源效率方面提供了巨大的好处，因为数据传输是造成大部分功耗的原因。克服某些局限性的方法之一是开发可以改善信号处理的新算法[5，6]，但是，它仍然需要在内存和处理器之间进行数据传输和限制其效率。在处理这些限制的过程中，在网络中可以实施的人工神经元和突触的开发中，付出了很多努力[1]。基于光子学，即，神经形态光子学，可用光子作为信号载体，以在网络的不同部分之间传递信息[7-12]。多亏了几乎无限的带宽，与标准CMOS技术的兼容性以及几乎为零的功耗，可以进行基本的矩阵乘法，与神经态电子相比，它可以提供巨大的改进。可以通过以光速度在单个波导上将多个信号列入多个信号来实现完整的并行性。同时，光权重可以提供计算的低延迟。通过将这些优点结合起来，至少与电子同行相比，至少有很少的数量级改善。但是，实现此类任务的实现需要仍缺失的新材料平台和低损失体系结构。氮化硅（SIN）是光子整合电路（PIC）技术的普遍材料，因为它与标准CMOS过程兼容[13，14]。它允许在单个芯片上进行具有成本效益的设备和电子和光子组件的协整。此外，与其他材料相比，基于SIN平台的光子设备的特征是对温度漂移的容忍度更高，光学损耗和较低的波长范围操作，较大的波长透明度和改善的串扰值[14]。已经被证明是一个适当的材料平台，用于实现神经网络，表明自由度增加的是设计线性神经元[8，9]。因此，SIN平台可以作为神经形态光子学中的路由层起关键作用[9]。
![arXiv:2008.07489v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2020 年 8 月 17 日](/simg/g:\will\search\icon\source\5\5d1b68f79192ba110176c77f238a4c20ab7e22da.webp)
arXiv:2008.07489v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2020 年 8 月 17 日
将它们与 ¯ P 分离（见方程 3 和 5）。因此，图 4（a）显示了参数 ¯ Pγ 2（机械损耗）和 ¯ Pp 2 0（介电损耗）与密度 ρ 的关系，图 4（b）显示了参数 ¯ Pγ 2（机械损耗）和 ¯ Pp 2 0（介电损耗）与密度 ρ 的关系。
通过在空穴注入接触点上原子层沉积 Al2O3 来减少钙钛矿 LED 中的非辐射损耗
摘要：卤化物钙钛矿发光二极管 (PeLED) 在下一代显示技术中具有巨大应用潜力。然而，由于高效率需要非常薄的传输层，而这些传输层在溶液处理过程中通常会因不当的润湿和干燥而出现空间不均匀性，因此扩大规模将具有挑战性。在这里，我们展示了如何使用通过原子层沉积生长的薄 Al 2 O 3 层优先覆盖不完美空穴传输层沉积的区域并与有机传输层形成混合复合材料，从而使空穴传导和注入能够通过有机空穴传输层持续进行。这具有减少异质结处非辐射复合和提高载流子选择性的双重效果，我们推断这是由于抑制了氧化铟锡和钙钛矿层之间的直接接触。我们观察到我们的 pin LED 中的电致发光外部量子效率立即从平均 9.8% 提高到 13.5%，冠军效率为 15.0%。该技术使用工业上可用的设备，可以很容易地扩展到更大的区域并纳入薄膜光伏电池等其他应用中。关键词：钙钛矿、发光二极管、原子层沉积、区域选择性、效率
DMX512 解码及驱动IC TM512AE0
特殊说明 TM512AE0 单位 参数名称 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 低电平输出电流 Iol Vo ＝0.4V，ADRO 10 - - mA 高电平输出电流 Ioh Vo ＝4.6V，ADRO 10 - - mA 输入电流 Ii - - ±1 µA 差分输入共模电压 Vcm 12 V 差分输入电流 Iab VDD=5V 28 µA 差分输入临限电压 Vth 0V
变压器冷却系统的研究
电力变压器是电力供应系统的重要组成部分。变压器将一个电压等级转换为另一个电压等级。在此能量传输过程中，变压器绕组中会发生损耗。这些损耗会转化为热量，从而烧毁变压器绕组。为了克服这些问题，冷却是必需的。变压器的主要故障是由于变压器在工作过程中过热造成的。变压器中产生热量的主要来源是绕组和铁芯中的铜损（I²R 损耗）。内部损耗（如磁滞、涡流、高环境温度和太阳辐射）也会产生热量。消除和降低变压器的热量有助于提高变压器的高效工作、延长使用寿命和提高效率。用于降低变压器温度的各种冷却剂包括空气、合成油、矿物油等。如果变压器产生的热量没有得到适当消散，温度就会持续升高，从而损坏绝缘层，进而损坏变压器。变压器的运行温度仅比额定温度高 10°C，就会使变压器的寿命缩短 50%。
用于飞机发动机的集成发电机
1.5.1 KC 1 转子损耗 ...................................................................................... 16 1.5.2 KC 2 定子损耗 ...................................................................................... 16 1.5.3 KC 3 风阻损耗 ...................................................................................... 16 1.5.4 KC 4 转子热限制 ...................................................................................... 16 1.5.5 KC 5 冷却选项 ...................................................................................... 16 1.5.6 KC 6 转子机械限制 ............................................................................. 17 1.5.7 KC 7 扭矩惯性比 ...................................................................................... 17 1.5.8 KC 8 扭矩脉动 ...................................................................................... 17 1.5.9 KC 9 与轴承的兼容性 ............................................................................. 17 1.5.10 KC 10 高速能力 ...................................................................................... 17 1.5.11 KC 11短路行为 ................................................................................ 18 1.5.12 KC 12 机器复杂度 .............................................................................. 18 1.5.13 KC 13 电流密度 .............................................................................. 18 1.5.14 KC 14 功率密度 .............................................................................. 18