图 3 掺杂调控 vdW 异质结理论研究典型成果( a )结构优化后的 C 、 N 空位及 B 、 C 、 P 、 S 原子掺杂 g-C 3 N 4 /WSe 2 异质结 的俯视图 [56] ;( b )图( a )中六种结构的能带结构图 [56] ;( c )掺杂的异质结模型图、本征 graphene/MoS 2 异质结的能带结 构及 F 掺杂 graphene/ MoS 2 异质结的能带结构 [57] ;( d ) Nb 掺杂 MoS 2 原子结构的俯视图和侧视图以及 MoS 2 和 Nb 掺杂
当今,核物理和粒子物理实验活动的前沿需要具有高能量、能够在高通量(高达 . / ' )和高速率下工作的紧凑型探测器,以便测量非常罕见现象的截面[1-4]。碳化硅 (SiC) 因其出色的抗辐射性能代表了探测器技术的新挑战。由于其成分,SiC 是一种宽间接带隙半导体,并且是两组 IV 元素(硅和碳)的二元相图中唯一稳定的化合物。在所有宽带隙半导体中,碳化硅是目前研究最深入的一种,也是在高温电子器件、生物医学传感器 [5]、紫外光传感器 [6]、粒子和 X 射线探测器等广泛设备应用领域中最有潜力达到市场成熟的一种。 SiC 还被认真考虑作为硅的有效替代品,用于生产抗辐射设备,因为它可以将硅探测器的优异性能(效率、线性度、分辨率)与更大的抗辐射能力、热稳定性和对可见光的不敏感性结合起来。根据原子在晶格中的堆叠顺序,SiC 可以出现在各种类型的晶体结构中,这种特性被称为“多型性”。SiC 有 200 多种不同的多型体;3C、4H 和 6H 结构是微电子应用中最常见和最受欢迎的结构。每种多型体都有自己的物理特性,例如能带隙,范围从 3C 中的 2.36 eV 到 4H 中的 3.23 eV。4H-SiC 被认为最适合高功率、高频率和高温应用。用于设备应用的低缺陷材料通常通过 CVD(化学气相沉积)技术生长外延层获得。外延也允许高度
© 日内瓦国际人道主义排雷中心 本目录中对探测器和个人防护设备的描述均为制造商的描述。本目录中提到的测试结果是制造商提供的或在国际测试和评估计划 (ITEP) 网站 www.itep.ws 上发布的测试报告的摘录或引文。给出了来源。它们不一定代表日内瓦国际人道主义排雷中心或德国政府的观点。本出版物中表达的观点均为日内瓦国际人道主义排雷中心的观点,并不一定代表德国政府的观点。本出版物中使用的名称和材料的呈现方式并不意味着联合国排雷行动处、德国政府或日内瓦国际人道主义排雷中心对任何国家、领土或地区、其当局或武装团体的法律地位、或对其边界或边界的划分发表任何意见。
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模拟所提出的平面 TOF PET 成像仪的功能:由两个 120x60cm 2 面板探测器(位于患者上方和下方)获取的 XCAT 数字幻影的重建图像(3mm 切片),假设 TOF 分辨率为 100 ps,闪烁体厚度为 10 mm(A),并使用小型 4 面板系统对头部(B)和躯干(C)进行成像
所有者应负责在酒店,汽车旅馆,住宿房屋以及公寓大楼和其他多个住宅综合体的常见楼梯中进行测试和维护探测器。烟雾报警器应在租户拥有时可操作。如果租户意识到其单位内的无法使用的烟雾报警器,则公寓大楼的房客应责任通知经理或所有者。所有者或授权代理人应纠正烟雾探测器或一氧化碳警报中报告的任何缺陷,并且在没有收到缺陷的通知时,不得违反本节的烟雾探测器或一氧化碳警报。(CRC R314.8.2和加利福尼亚健康与安全法规13113.7)。
D 5™激光警告系统通过将任何商业或军事靶向激光排放的佩戴通知其佩戴者通知当今战场环境中的安全性和生存能力。两个独特的(每个具有2个传感器)宽带探测器(750 nm至1700 nm)在200 AZ x 120 x 120 EL学位领域中检测激光信号,以及可选的音频,视觉和/或触觉反馈通知佩戴者的佩戴者。激光警告可以通过USB-C轻松地与ATAK或其他设备集成。虚假检测是在保持不到50毫秒的超快速响应时间的同时最小化的。D 5™系统可以在体内任何地方佩戴;通常,在头盔的胸部,背部或侧面。D 5™也可以用作地面机器人或车辆平台顶部的激光警告系统,以及安装在无人机上的底部。