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MSK5978RH 和 MSK5980RH 评估板用户的...
当 MSK5978RH 和 MSK5980RH 采用双电源供电时。将输出负载连接在 VOUT 和 GND 端子之间。使用单独的或开尔文连接来连接输入和输出监控设备。当使用示波器探头测量输出电压时，从探头到接地夹的导线将充当天线，拾取过多的噪声。为了获得更好的结果，应将测试钩从探头尖端移除。尖端应接触输出转盘，将裸露的接地屏蔽压在接地转盘上。这可以减少外部源引起的噪声。请参阅数据表中的典型性能特性曲线，了解各种条件下的预期压差、CTL 引脚电压和电流要求。
TSV 集成表面电极离子阱可扩展...
1 新加坡科技研究局（A*STAR）微电子研究所，新加坡 117685 2 巴黎大学材料与现象实验室，法国巴黎 F-75013 3 南洋理工大学电气与电子工程学院，新加坡 639798 在本研究中，我们报告了一种铜填充硅通孔 (TSV) 集成离子阱的设计、制造和操作。TSV 被直接放置在电极下方，作为离子阱和玻璃中介层之间的垂直互连，随着电极数量的增加和复杂性的提高，可实现任意几何设计。TSV 的集成将离子阱的形状因子降低了 80% 以上，将寄生电容从 32±2 pF 最小化到 3±0.2 pF。尽管没有接地屏蔽层，但仍实现了低射频耗散。整个制造过程在 12 英寸晶圆上进行，并与成熟的 CMOS 后端工艺兼容。我们通过加载和激光冷却单个 88 Sr + 离子展示了该阱的基本功能。我们发现，加热速率（轴向频率为 300 kHz 时为 17 量子/毫秒）和寿命（约 30 分钟）与类似尺寸的阱相当。这项工作开创了 TSV 集成离子阱的发展，丰富了可扩展量子计算的工具箱。
完全芯片电感器的概述
摘要。本文着重于被动设备的完全集成，尤其是使用图案化接地屏蔽（PGS）和完全集成的电容器的完全集成电感器的多层堆叠（MLS）结构。不同结构的比较集中在集成电感器的主要电参数上（例如诱导𝐿，电感密度𝐿𝐿，质量因子𝑄，最大质量因子的频率最大频率最大，自动恢复频率FSR和串联电阻𝑅DC）和其他非电力参数（例如，所需的区域，制造过程，权限等）在结构比较过程中同样重要。根据制造过程提出了过去几年报告的最显着结果的电感结构。最终的几何和电气特性是在大型元素中，以综合被动装置的制造过程。这项工作概述了集成电感器的概述和最先进的作品，以及用于制造的制造过程。本文的第二个目的是将我们先前工作中提出的结构插入过去7年中报告的其他结果中。使用拟议的解决方案，可以在标准技术中报道的类似的解决方案中获得最高的电感密度= 23.59 nh/mm 2和第二高质量的FACTOR𝑄= 10.09，该解决方案也适合在高级技术节点中生产的集成感应器。
用于量子计算的 TSV 集成表面电极离子阱的 RF 性能基准测试
摘要 — 表面电极离子阱因其对捕获离子的卓越可控性而在实际量子计算中具有极高的前景。借助先进的微加工技术，硅已被开发为离子阱衬底，用于精细的表面电极设计以及单片电光元件集成。然而，硅的高射频损耗阻碍了大规模实施的可能性。在这项工作中，我们展示了一种硅通孔 (TSV) 集成离子阱，由于消除了表面上的引线键合焊盘和外形尺寸的小型化，该离子阱具有较低的射频损耗。我们还制造了两种类型的传统引线键合 (WB) 阱，它们有或没有接地屏蔽层。就片上 S 参数、封装后谐振和由此产生的功率损耗而言，对不同离子阱的射频性能进行了测试和比较。结果表明，与 WB 阱相比，TSV 阱具有较低的 S21（50 MHz 时约为 0.2 dB）、较高的 Q 因子（约为 22）和较低的功率损耗（0.26 W）。此外，还采用 3D 有限元建模对不同阱的电场进行可视化和 RF 损耗分析。从建模中提取的结果与测量结果显示出良好的一致性。除了各种 RF 测试外，还介绍了不同离子阱的设计、制造和离子捕获操作。这项工作提供了对离子捕获装置 RF 损耗的见解，并为减少 RF 损耗提供了一种新的解决方案。
新闻稿
新系列增强了电信、军事和射频测试与测量客户可用的切换选项。加利福尼亚州霍桑市 – 2022 年 2 月 8 日 – Teledyne Relays 今天宣布推出新的宽温度范围、工作频率高达 18 GHz 的密封继电器。新的 RF131 和 GRF131 单刀双掷 (SPDT) 型号是非闩锁的，提供故障安全功能。新产品扩展了主要射频测试和电信市场可用的坚固选项。RF131 和 GRF131 非闩锁型号是对 Teledyne Relays 广受推崇的等效通孔 RF121 和表面贴装 GRF121 磁锁继电器的补充。新的机电开关的工作温度范围为 -55 至 +85 °C，整个密封为玻璃-金属密封，可为最具挑战性的环境提供高达 18 GHz 和 40 Gbps 数据速率的故障安全功能。 RF131 和 GRF131 均采用扩展的 Centigrid ® 封装，继承了 Teledyne Relay 微型 RF 继电器的传统，在接触系统的内部结构中融入精密传输线结构，以确保最佳 RF 性能、最小插入损耗和信号路径之间的高隔离度。每个继电器都可以配备 5 或 12 V 额定线圈，并具有防尘防污设计，预期寿命长达 200 万次。RF131 是通孔安装版本，可以切换高达 12 GHz 的频率并具有 20 Gbps 的信号完整性。RF131 配备标准镀金 .75 英寸引线，也可以订购焊接或符合 RoHS 标准的浸焊引线。与通孔解决方案相比，GRF131 具有独特的接地屏蔽，便于表面安装并扩展频率范围。这将 RF 能力提高到 18 GHz，信号完整性提高到 40 Gbps。 Teledyne Relays 全球销售与营销总监 Michael Palakian 表示：“这些继电器专为 RF 衰减器、RF 开关矩阵、高频扩频无线电、ATE 以及其他需要可靠高频信号保真度和性能的应用而设计。低功耗使其成为功率预算受限应用的理想选择。” 新产品现已接受订购。更多信息请访问我们的网站：RF 和信号完整性 (teledynedefenseelectronics.com)
电子产品 - UTS 的 OPUS
巴伦将单端信号转换为平衡信号，广泛用于射频前端模块，如倍频器、混频器等，它们利用差分信号来消除共模信号并改善端口隔离。巴伦的关键性能规格包括插入损耗、幅度/相位平衡和芯片尺寸。这些参数在毫米波 (MMW) 电路和系统的设计中非常重要 [1]。Marchand 巴伦 [2-10] 利用两个耦合线段，由于其工作带宽宽且易于实现，在 MMW 频率电路设计中得到广泛应用。在 [2] 中，提出了一种基于改进的离中心频率法的非对称宽边耦合 Marchand 巴伦。它实现了 34-110 GHz 的带宽；然而，它的插入损耗很高，平均约为 3 dB。为解决不平衡性能问题，还设计了另一种带有偏置半径线圈的30 GHz至60 GHz变压器巴伦[11]。结果显示，幅度不平衡为0.12 dB，相位不平衡小于1 ◦；但最大插入损耗约为3 dB。一种小型化片上Marchand巴伦[12]基于堆叠螺旋耦合（SSC）结构，带有自耦合补偿线和带深沟槽的中心抽头接地屏蔽，设计用于6.5 GHz至28.5 GHz的宽带工作，但测得的最大插入损耗为3 dB。宽带工作和幅度/相位不平衡一直是先前报道的文献的重点，同时以巴伦插入损耗为代价。在本文中，介绍了一种具有低插入损耗的新型Ka波段Marchand巴伦的设计，同时实现了宽带工作和可接受的不平衡性能。所提出的巴伦采用边耦合和宽边耦合组合结构来增强主信号和次信号之间的耦合，从而在 29.0 GHz 至 46.0 GHz 的 1 dB 带宽内实现了 1.02 dB 的测量低插入损耗。第 2 节介绍了巴伦的详细分析和所提出的巴伦设计，第 3 节讨论了实验结果并与最新技术进行了比较，第 4 节得出结论。