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World File Search System控制电压
低功率责任的冲动Radio Ultrawideband（...
摘要 - 可植入医疗设备（IMD）的设计挑战之一是功率要求，以避免频繁的电池替换和手术需要最低。本文介绍了使用标准180 nm CMOS工艺设计的占名的IR-UWB发射器，该发射器以100 Mbps的数据速率以11.5 PJ /脉冲达到11.5 PJ /脉冲的能量效率（每脉冲能量）。在4-6 GHz的频率范围内工作，发射器的峰值功率频谱密度（PSD）为-42.1 dbm/MHz，具有950 MHz带宽，这使得它非常适合高数据速率生物测量应用。使用IMPULSE GENERATOR（IG）的控制电压，也可以从500 MHz-950 MHz的带宽与500 MHz-950 MHz变化。所提出的发射器的宽频率范围和带宽范围也使其非常适合涵盖下部UWB频率带的分布式脑植入物应用。索引项 - IR-UWB发射器，电压控制的振荡器，功率放大器，功率频谱密度，相位噪声。
微电网中的混合可再生能源系统
课程概述 本课程探讨微电网中的混合可再生能源系统 (HRES)，重点关注偏远地区并解决技术和经济限制。它强调了如何结合光伏 (PV) 和风能来减少单个 RES 对电网的不利影响或允许独立运行。主题包括 HRES 的好处、容量优化、稳定性挑战、保护方案和能源管理系统，以实现可靠的微电网性能。本课程的主要目标如下：i) 了解微电网的核心概念，包括其主要组件、优势和在现代电力系统中的运行原理。ii) 了解如何将可再生能源整合到微电网中 iii) 学习如何计算微电网中可再生能源的最佳规模 iv) 了解微电网的不同控制级别 v) 了解微电网中孤岛和电网连接运行模式的不同运行模式 vi) 学习如何控制电压/频率或功率
信函使用 VCII 实现线性电压控制正交振荡器
提出了一种基于新型 VCII 有源元件 [1, 2] 的线性电压控制正交振荡器 (LVCQO) 实现方法，该元件与现成的模拟乘法器设备 [3] 适当耦合。此处的设计拓扑利用模拟乘法器设备，通过其直流控制电压 kV（k ≡乘法常数 = 1/直流伏）[3] 方便地调整电路极点频率。文献表明，近期文献 [4-19] 中提出了具有电子可调特性的此类振荡器设计，如表 I 所示；其中只有少数表现出线性可调特性。先前此类拓扑中的设计使用某些设备偏置电流 (I b ) 或设备跨导参数 (gm ) 或被动调谐 [20]；因此，设计需要额外的电流处理电路，这会引起热 (VT ) 和静态耗散问题。提出的振荡器设计实现方法利用一对新型 VCII，它们由一对模拟乘法器适当调谐
Neurorack：硬件合成器中的深度音频学习
深度学习模型通过在各种任务中实现前所未有的准确性，在大多数应用程序领域中提供了极其成功的方法。对于音频应用程序，尽管生成模型的巨大复杂性允许处理复杂的时间结构，但它通常排除了它们在资源约束硬件平台上的实时使用，尤其是在该领域的普遍性。缺乏足够的轻质模型是基于深层模型的独立工具的开发的障碍，这对音乐家和作曲家的现实生活产生了重大限制。最近，我们通过在可以处理其复杂性的足够硬件平台上实现轻巧的生成音乐音频模型来构建了第一个基于深度学习的音乐仪器。通过嵌入此深层模型，我们提供了一个可控且灵活的创意硬件接口。更确切地说，我们将工作重点放在Eurorack合成器格式上，该格式提供了控制电压（CV）和门机制，允许与其他经典的Eurorack模块进行交互。
设计并研究用于 5G 移动通信的基于 CMOS 的环形振荡器架构的性能
振荡器电路用于为简单如手表的系统和复杂如卫星的系统提供准确可靠的时钟信号，这对于长距离通信非常重要。构建振荡器电路的方法有很多种，可以使用无源或有源部件。每种方法都有利弊，但在当前的移动通信发展水平上，最重要的是互操作性和低功耗。这种需求推动了紧凑型、电池供电电子产品的发展，而基于超大规模集成 (VLSI) 的环形振荡器提供了理想的解决方案。这些振荡器应该消耗更少的功率、具有较大的调谐范围并且体积小巧。本文介绍了一种用作压控振荡器的新型互补金属氧化物硅 (CMOS) 环形振荡器。建议的架构通过结合它们的组成部分，充分利用了电流不足型环形振荡器和负偏斜延迟的优点。所提出的架构的控制电压为 1.15 V，电源电压为 2 V，可产生 9.35 GHz 主频，输入和输出之间的谐波失真为 13.82%。通过在设计中仔细选择无源元件，所提出的架构可以实现需要高频和低功耗的基于 5G 的应用。
单串行输入 PLL 频率合成器 - SM0VPO
将 PS 引脚设置为低电平，IC 进入省电模式，因此电流消耗可限制为 10 µ A（最大值）。将 PS 引脚设置为高电平，则释放省电模式，IC 正常工作。此外，还包含间歇操作控制电路，有助于从省电模式平稳启动。一般来说，可以通过间歇操作（关闭或唤醒合成器）来节省功耗。在这种情况下，如果 PLL 不受控制地通电，则由于参考频率（fr）和比较频率（fp）之间未定义的相位关系，产生的相位比较器输出信号是不可预测的，并且在最坏的情况下可能需要更长的时间来锁定环路。为了防止这种情况，间歇操作控制电路在通电期间强制相位检测器输出有限的误差信号，从而保持环路锁定。在省电模式下，除省电功能必不可少的电路外，相应部分停止工作，然后电流消耗降至 10 µ A（最大值）。此时，Do 和 LD 变为与环路锁定时相同的状态。即，Do 变为高阻抗。VCO 控制电压自然保持在由 LPF 的时间常数定义的锁定电压。因此，VCO 的频率保持在锁定频率。
自动电压调节器作为1 ...
摘要 - 发电机上的恒定输出电压对于产生预期的电源非常重要。发电机的输出电压的变化受各种令人不安的因素的影响，其中之一是每分钟的负载和旋转（rpm），并不总是恒定的。因此，我们需要一种特殊的调节设备来保持发电机输出电压恒定。必须克服负载变化期间电压不稳定性的问题，以保持电压恒定，以便需要设备可以控制电压稳定性。此工具是自动电压调节器（AVR）。本研究的目的是在单相轴向发生器系统中设计电压控制装置。使用的研究方法包括3个阶段，即：1）。工具的设计和设计，2）。制造工具的阶段，3）。测试工具的阶段。当内部气隙为0.4 cm，外部0.5 cm和rpm 2589的轴向发生器时，获得了研究的结果。发电机的输出电压开始显着降低，直到达到-70伏，RPM也降至-200。相比之下，当使用AVR操作发生器时，还原仅达到-30伏。但是，当发电机使用AVR操作时，RPM的减小更大，直到达到-220。
Accusense收费系列全部/关闭板...
在整个手册中，寻找此符号。这意味着要保持警惕 - 您的安全涉及。如果您不遵循这些安全说明，则可能会造成人身伤害或财产损失。1。功能•全自动 - 启动并停止自动充电•5 l.e.d.显示以轻松解释充电和/或充电误差条件•许多安全功能，包括反向电池保护和错误的电池连接•充电算法控制电压和电流，用于精确充电•基于微处理器的控制将实现智能充电•完成电荷后，充电器将在充分电池中保持电池电量，以全额充电2。引言国际多元化电力（DPI）电池充电器旨在为深循环，铅酸电池充电。是出厂预设，以4种不同的充电模式之一进行操作；有关更多详细信息，请参阅第6节。模式选择跳线字段，在充电器的正面，允许用户更改模式设置以选择其他电池组。注意 - 不正确的模式设置可能会导致电池组或财产损坏永久损坏。有关正确的设置，请参阅第6节。其简单的操作方法和无故障的性能使其具有吸引力。操作，充电器连接到交流电源后，
GaN 层厚度对两者的影响
A.Bellakhdar a,b,* , A.Telia ba LMSF 半导体和功能材料实验室，Amar Telidji Laghouat 大学，阿尔及利亚 b Laboratoire des Microsystèmes et Instrumentation LMI, Département d'Electronique, Faculté de Technologie, Université des Frères Mentouri, 2 Campus Ahmed Hamani, Ain El Bey, Constantine, Algeria In本研究提出了具有不同 GaN 盖层厚度和重 n 掺杂 GaN 盖层的 GaN/AlInN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。为了研究 GaN 覆盖层对 (GaN/AlInN/GaN) 异质结构性能的影响，通过求解一维 (1 D) 泊松方程，提出了一种简单的 GaN/AlInN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 阈值电压分析模型，从而找到了二维电子气 (2DEG) 与控制电压之间的关系。分析中考虑了 AlInN/GaN 和 GaN/AlInN 界面处的自发极化和压电极化。我们的模拟表明，GaN 覆盖层降低了二维电子气 (2DEG) 的面密度，从而导致漏极电流减小，并且 n+ 掺杂的 GaN 覆盖层比未掺杂的 GaN 覆盖层具有更高的面密度。 （2021 年 11 月 28 日收到；2022 年 2 月 19 日接受）关键词：GaN 帽、GaN/AlInN/GaN HEMT、2DEG、2DHG、自发极化、压电极化
Origo™ Mig 402c/502c/652c - 快速焊接
Origo™Mig 402c Origo™Mig 502c Origo™Mig 652c 电源电压 V, Hz 400-415, 3~ 50/60 400-415, 3~ 50/60 400-415, 3~ 50/60 60% 占空比下的允许负载 A/V 400 / 34 500 / 39 650 / 41 100% 占空比下的允许负载 A/V 310 / 30 400 / 34 500 / 39 设定范围 (DC) A/V MIG/MAG 20 / 14 - 400 / 34 20 / 14 - 500 / 39 20 / 14 - 650 / 44 MMA 20 / 21- 400 / 36 20 / 21 - 500 / 40 20 / 21 - 650 / 44 开路电压 V 53-58 53-60 53-60 开路功率 W 500 550 670 带冷却装置 W 700 750 870 最大电流时的功率因数 0,88 0,90 0,90 最大电流时的效率 % 70 72 76 控制电压 V, Hz 42, 50/60 42, 50/60 42, 50/60 尺寸（长 x 宽 x 高） mm 830 x 640 x 835 830 x 640 x 835 830 x 640 x 835 重量 kg 158 194 228 带冷却装置 kg 172 208 242 工作温度 -10 至 +40°C -10 至 +40°C -10 至 +40°C 防护等级 IP 23 IP 23 IP 23 应用分类 S S S