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World File Search System控制电路
单串行输入 PLL 频率合成器 - SM0VPO
将 PS 引脚设置为低电平，IC 进入省电模式，因此电流消耗可限制为 10 µ A（最大值）。将 PS 引脚设置为高电平，则释放省电模式，IC 正常工作。此外，还包含间歇操作控制电路，有助于从省电模式平稳启动。一般来说，可以通过间歇操作（关闭或唤醒合成器）来节省功耗。在这种情况下，如果 PLL 不受控制地通电，则由于参考频率（fr）和比较频率（fp）之间未定义的相位关系，产生的相位比较器输出信号是不可预测的，并且在最坏的情况下可能需要更长的时间来锁定环路。为了防止这种情况，间歇操作控制电路在通电期间强制相位检测器输出有限的误差信号，从而保持环路锁定。在省电模式下，除省电功能必不可少的电路外，相应部分停止工作，然后电流消耗降至 10 µ A（最大值）。此时，Do 和 LD 变为与环路锁定时相同的状态。即，Do 变为高阻抗。VCO 控制电压自然保持在由 LPF 的时间常数定义的锁定电压。因此，VCO 的频率保持在锁定频率。
Wireless-World-1949
原始反馈音调控制电路将成为标准。提供 26 db。反馈超过 3 个阶段和输出变压器。e 推挽三极管输出级。400 V. 阳极 o 失真：小于 0.05%。• 无 H.T。电解平滑或去耦 e 拾音器、麦克风和收音机、电容器的切换。带自动改变音调控制特性的浸渍变压器；热带完成
军用固态继电器选择指南
CD 系列光隔离、短路保护直流固态继电器 CD 固态继电器采用最新的 FET 技术，提供低导通电阻。控制电路经过缓冲，可直接从标准 CMOS 或开集 TTL 逻辑电路驱动继电器。可用选项包括短路、电流过载保护和控制状态。这两个选项可作为标准功能一起提供或单独提供。
3TT25Z/C/S/J/F/AB/F1
3TT25Z/C/S/J/F/AB/F1 是玻璃钝化三象限双向晶闸管，专为高性能全波交流控制应用而设计，这些应用可能会出现高静态和动态 dV/dt 和高 dI/dt。它们特别推荐用于电机控制电路等电感负载。可用的封装有 TO-220 、 TO-220C 、 TO-263 、 TO-220S（内部隔离）、 TO-220HF（塑料封装） TO-3PB 和 TO-220MF-K1（塑料封装）。
PowerGem™加RT V2
BPC哲学既简单又优雅，每个模型都可以并行准备。可以将UPS连接在一起，而无需将更多的控制电路安装到UPS系统中。BPC始终建议安装我们的平行开关面板之一，以提供正确的电缆保护并帮助所有正在进行的维护。模型可用于简单的并行操作，最多可容纳4个单位，从而可以扩展功率能力增加，并提高了由于冗余操作而提高的可靠性。
通过功率分析
摘要：在量子密钥分布（QKD）中，理论模型和实际系统之间的差距打开了一些安全漏洞，并且可以通过EavesDroppers（EVE）利用它们以获取秘密密钥信息而未被检测到。这是一种有效的量子黑客黑客策略，严重威胁了实际QKD系统的安全性。在本文中，我们提出了对综合硅光子连续可变量子密钥分布（CVQKD）系统的新量子黑客攻击，该量子被称为功率分析攻击。可以通过在机器学习的帮助下分析状态准备中的集成电气控制电路的功率来实施此攻击，在此过程中，人们认为状态准备在初始安全性证明中是完美的。特别是，我们描述了可能的功率模型，并根据支持向量回归（SVR）算法显示完整的攻击。模拟结果表明，秘密密钥信息随着攻击的准确性的提高而降低，尤其是在噪音过多的情况下。尤其是夏娃不必闯入发射机芯片（Alice），并且可能在基于实用的芯片离散可变量子密钥分布（DVQKD）系统中进行类似的攻击。为了抵抗这种攻击，应改进电气控制电路以随机化相应的功率。此外，可以通过使用动态电压和频率缩放（DVFS）技术来降低功率。
USF I -CORPS团队：2016春季学期队列数据情报科学硕士（MSDI）程序半导体中的自旋注射，操纵和检测机械工程技术选修课
受“制造商运动”的启发，Make课程的目的是向学生介绍工程设计过程后的设备的创意设计和制造。该课程将教学学生设计“机电”设备所需的基本技能（即结合了电子，机械和基于软件的组件的设备）。学生将学习使用3D设计软件，微控制器（Arduino）的编程以及构建电子控制电路。该课程将通过教室中的直接指导来教授。所有学生将在本课程中设计和构建原型设备。该课程还将引入现代制造过程，例如3D打印和激光切割，并介绍项目计划和成本估算。
基于 SIC 的固态功率控制器
最新一代战斗机采用 270Vdc 电源系统 [1]。这种高压直流电源系统很难用传统断路器保护，因为电流在故障期间不会像交流电源系统那样每周期自动归零两次，因此触点电弧是一个问题。固态功率控制器 (SSPC) 是断路器的固态等效物，不会产生电弧，并且比机械断路器对故障的响应更快 [2]。目前的 SSPC 受到可用功率半导体的限制，只能支持较低的电压和电流 [8,9]。本论文介绍了 SSPC 的设计和实验结果，该 SSPC 使用 SiC 功率 JFET 作为 SSPC 电源开关，将 SSPC 功能扩展到更高的电压和电流，而其空间比 Si 电源开关实际可实现的空间更小。研究从 SSPC 电源开关的热分析开始，这将指导由 Solid State Devices Inc. (SSDI) 使用 SiCED 和/或 Semisouth LLC 的 JFET 制造的 SiC JFET 多芯片电源模块的开发。多个多芯片电源模块将并联以构成 SSPC 开关。制造的器件在静态和动态热性能以及静态和动态电气性能上进行了评估。除了 SiC 模块研究外，还完成了能够在 200ºC 下工作的高压 SSPC 控制电路的详细设计，包括详细分析、建模和模拟、详细原理图和详细图纸。最后，制造并测试选定控制电路的面包板以验证模拟结果。还开发了在 SSPC 应用特有的瞬态热条件下测试 SiC JFET 器件的方法。关键词：SiC、JFET、SSPC、热分析、多芯片