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定量建模将人类和猕猴岛叶皮质的体内微观结构和宏观功能组织联系起来，并预测认知控制能力
1 斯坦福大学医学院精神病学和行为科学系，斯坦福，CA 94305。2 斯坦福大学医学院神经病学和神经科学系，斯坦福，CA 94305。3 斯坦福大学医学院斯坦福神经科学研究所，斯坦福，CA 94305。4 Athena，Inria Sophia Antipolis，法国蔚蓝海岸大学，2004 route des Lucioles 06902 Sophia Antipolis CEDEX，法国。 5 普林斯顿大学普林斯顿神经科学研究所，新泽西州普林斯顿 08544 6 斯德哥尔摩皇家理工学院计算科学与技术系，新泽西州斯德哥尔摩 08544。7 Defi，Inria Saclay 法兰西岛，巴黎南大学综合理工学院 1 Rue Honoré d'Estienne d'Orves 91120 Palaiseau，法国。 8 Parietal，Inria Saclay Île-de-France，CEA University Paris Sud 1 Rue Honoré d'Estienne d'Orves 91120 Palaiseau，法国。通讯作者：Vinod Menon 博士和 Demian Wassermann 博士。电子邮件：menon@stanford.edu； demian.wassermann@inria.fr
在 CVD 石墨烯上无种子层沉积高 k 电介质以增强栅极控制能力
摘要：栅极绝缘体是决定石墨烯场效应晶体管 (GFET) 性能的最重要因素之一。栅极电压对导电通道的良好静电控制需要较薄的栅极氧化物。由于缺乏悬挂键，通过原子层沉积 (ALD) 工艺生长的栅极介电膜通常需要种子层。种子层可实现介电膜的高质量沉积，但可能导致最终介电膜厚度大幅增加。针对该问题，本文提出了一种改进工艺，在原子层沉积之前使用蚀刻溶液去除自氧化的 Al 2 O 3 种子层，Al 2 O 3 残留物将提供石墨烯表面的成核位点。受益于电介质膜厚度的减小，与使用标准 Al 蒸发种子层方法的 GFET 相比，使用此方法作为顶栅电介质膜沉积工艺的 GFET 的跨导平均增加了 44.7%。
一种基于模糊的推理方法，用于评估接收末端电源系统中协调的生成网格储存控制能力
摘要。随着灵活的负载和能源存储的快速发展，它具有巨大的科学和工程价值，可以通过协调的生成网格加载存储控制使用HVDC Feed-Infi-Infer Power提高接收端电源系统的安全性和经济性。在本文中，提出了一种基于模糊的推理方法，以评估具有HVDC馈电功率的接收端功率系统的生成网格加载存储控制能力的协调控制能力。首先，通过考虑发电，电网，电力负载和能源存储的协调和相互作用来构建评估索引。主观重量和客观重量都被认为可以计算每个评估指数的全面权重。此外，在每个评估指数中提出了基于Kmeans聚类的方法。最后，通过提出的方法评估了不同状态下修改的IEEE 57-BUS系统的协调控制能力。
