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World File Search System掩模
1. 描述导致绩效的八个想法......
（绝缘体和开关） 硅晶锭：是由直径为 8 至 12 英寸、长度约为 12 至 24 英寸的硅晶体组成的棒。 切片机：这些圆柱体被切成薄片 毛坯晶圆：这些圆柱体是高度抛光的晶圆，厚度不到四十分之一英寸。 20 到 40 个处理步骤：晶圆要经过多步光刻工艺，电路所需的每个掩模都要重复一次。每个掩模定义组成完整集成电路的晶体管、电容器、电阻器或连接器的不同部分，并定义制造器件的每个层的电路图案。 图案化晶圆：晶圆上的图案与掩模的精确设计一致
使用新型 Ni/Au/Ni 干蚀刻掩模和欧姆接触演示 372 nm 微柱发光二极管
摘要: 0LFURSLOODU,Q*D1$O*D1/('V ZHUH IDEULFDWHG XVLQJ D QRYHO 1L$X 1L HWFKLQJ PDVN 7KLV 1L$X 1L VWUXFWXUH HIIHFWLYHO\ FRPELQHV D JRRG RKPLF FRQWDFW DQG HWFKLQJ PDVN LQWR D VLQJOH VWUXFWXUH DOORZLQJ IRU GHPRQVWUDWLRQ RI QP PLFURSLOODU/('V 7KH JDOOLXP QLWULGH*D1 PDWHULDOV V\VWHP LV RI JUHDW UHVHDUFK LQWHUHVW GXH LQ SDUW WR LWV KLJKO\ WXQDEOH SHDN HPLVVLRQ ZDYHOHQJWK ZKHQ VHUYLQJ DV DFWLYH UHJLRQ IRU SKRWRQLF RSWRHOHFWURQLF GHYLFHV %\ DOOR\LQJ *D1 ZLWK DOXPLQXP RU LQGLXP WKH SHDN HPLVVLRQ ZDYHOHQJWK IURP WKRVH DFWLYH UHJLRQV FDQ EH WXQHG IURP GHHS XOWUDYLROHW 89 WR UHG 0RVW IDPRXVO\ *D1 DQG ,Q*D1 HQDEOHG WKH IDEULFDWLRQ RI EOXH DQG YLROHW OLJKW HPLWWLQJ GLRGHV /('V DQG ODVHU GLRGHV /'V > @ *D1 EDVHG /('V FRQWLQXH WR ILQG DSSOLFDWLRQV LQ VWHULOL]DWLRQ ZDWHU SXULILFDWLRQ DQG LQ RWKHU ELRPHGLFDO GHYLFHV > @ 7KHVH HPLWWHUV KDYH DOVR HQDEOHG IDEULFDWLRQ RI IXOO FRORU *D1 EDVHG GLVSOD\V > @ $V WKH UHVROXWLRQ RI WKHVH GLVSOD\V LQFUHDVHV /(' HPLWWHUV PXVW VKULQN LQ VL]H WR VHUYH DV LQGLYLGXDO 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通过光刻工艺去除边缘珠
光学光刻技术包括将特定图案从光学掩模转移到沉积在基板上的感光聚合物（通常称为光刻胶）上（Levinson，2005；Mack，2007；Xiao，2012）。因此，第一个主要步骤是沉积均匀的薄膜。这是通过旋涂工艺实现的（Luurtsema，1997）。将少量材料倒入基板中心。然后高速旋转基板，通过离心力将涂层材料摊开。图 1 表示了该过程的示意图。然后，经过热烘烤工艺后，基板通过光学掩模暴露于紫外光源下，以将图案从掩模转移到光刻胶上。曝光会导致光刻胶发生化学变化，当样品浸入溶液深处（称为显影剂）时，可以去除曝光的光刻胶（正片光刻）或未曝光的光刻胶（负片光刻）。通过控制掩模版和光刻胶之间的距离来实现最大分辨率
L2O-ILT：学习优化逆向光刻技术
一、引言 随着技术节点的不断缩小，邻近效应和光学衍射变得不可忽略，严重影响集成电路的成品率。分辨率增强技术（RET）是为了减少光刻过程中的印刷误差而开发的。光学邻近校正（OPC）是广泛使用的RET之一，通过校正掩模版图案形状和插入辅助特征来补偿光刻邻近效应。典型的OPC方法包括基于模型的方法[1]、[2]、[3]和基于逆光刻技术（ILT）的方法[4]、[5]、[6]、[7]、[8]、[9]。对于基于模型的 OPC，首先将掩模中的多边形边缘划分为段，然后在光刻模拟模型的指导下移动这些边缘。基于 ILT 的方法将掩模表示为逐像素函数 [4] 、 [5] 、 [6] 、 [7] 、 [10] 或水平集函数 [8] 、 [9] 、 [11] 、 [12] 。然后，将 OPC 过程建模为逆问题，可以通过优化
该特征为CT图像的脂肪条带。
【摘要】以往利用人工智能在CT图像上辅助诊断结肠炎的研究，多以消化道造影剂使用后的结肠壁厚度作为特征，但诊断准确率并不高。本研究验证了结肠炎脂肪条带（HU）的CT值是结肠炎检测模型中一个有用的特征。从187例非造影结肠炎CT图像中，制作将患处切成128×128矩阵的原始图像、擦除脂肪条带以外结构的掩模图像、仅显示脂肪条带的阈值图像。SVM分类器输出原始图像、掩模图像、阈值图像的分类准确率，结果显示掩模图像和阈值图像的分类准确率较原始图像有所提高，说明脂肪条带是一个分类准确率较高的特征。
多光束掩模版写入过程的多尺度建模
在快速发展的半导体制造领域，多光束掩模版写入机 (MBMW) 已成为光掩模生产的重要工具。光掩模对于不断缩小的半导体元件的生产至关重要。 IMS Nanofabrication 的高性能计算 (HPC) 小组开发的 MBMW 模拟器对理解和改进掩模生产中的写入技术做出了重大贡献。然而，当前 MBMW 模拟方法的一个关键挑战是准确模拟电子背散射等大规模效应的能力有限，而这对于高精度掩模制造至关重要。这项工作通过在 MBMW 模拟器中开发和实施全面的多尺度建模来解决这一差距。主要目标是准确、有效地模拟背散射效应，从而提高模拟器对掩模写入过程中电子散射行为的预测能力。重点是开发一个模型来捕捉不同尺度（从纳米到微米尺度）的反向散射效应。设计模型的目标是模块化和可扩展性。这种灵活性确保了对未来技术发展的适应性和附加模拟模型的集成。实施过程从一维反向散射模拟开始，然后发展到更复杂的二维模型。这种循序渐进的方法不仅提供了对背散射动力学的基本理解，而且还允许对模型进行迭代细化和验证。接下来是错误分析，其中测试模型的能力。这里证明了多尺度方法的准确性和效率，特别是在后向散射起重要作用的场景中。综上所述，这项工作对半导体制造领域做出了重大贡献，特别是在多光束掩模版写入机写入过程的模拟领域。所开发模型的模块化和可扩展性不仅确保了当前的适用性，而且为该领域未来的发展奠定了基础。
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Signetics 保留对本文所述或包含的产品（包括电路、标准单元和/或软件）进行更改的权利，无需另行通知，以改进设计和/或性能。Signetics 对任何这些产品的使用不承担任何责任或义务，不转让任何专利、版权或掩模作品权下的许可或所有权，也不声明或保证这些产品没有专利、版权或掩模作品权侵权。除非另有说明。本文中描述的这些产品的任何应用程序仅用于说明目的。Signetics 不声明或保证此类应用程序在未经进一步测试或修改的情况下适用于指定用途。
半导体行业 2023 年第 22 页
人工智能将影响我们生活的各个方面。它在半导体制造中也发挥着越来越重要的作用。今年 5 月，在比利时安特卫普举行的由 imec 主办的 ITF World 大会上，NVIDIA 总裁、首席执行官兼董事会成员黄仁勋介绍了 NVIDIA 如何与台积电、ASML、应用材料 (AMAT)、D2S、IMS Nano Fabri- cation 和新思科技等公司合作，将人工智能引入芯片制造。黄仁勋表示：“第一波人工智能专注于计算机视觉和语音识别，已经实现了超越人类的能力，并在机器人、自动驾驶汽车和制造业开辟了数万亿美元的商机。先进的芯片制造需要一千多个步骤，要生产出生物分子大小的特征。要制造具有数千万亿个特征的芯片，每个步骤都必须近乎完美才能产生任何输出。每个阶段都会执行复杂的计算科学，以计算要图案化的特征并进行缺陷检测以进行在线工艺控制。芯片制造是 NVIDIA 加速计算和 AI 的理想应用。”黄仁勋表示，D2S 和 IMS Nano Fabrication 使用电子束构建掩模写入器，以在掩模上创建光刻胶图案。“Nvidia GPU 进行图案渲染和掩模工艺校正，”他说。台积电和 KLA 使用 EUV 和 DUV 照明进行掩模检查。“NVIDIA GPU 处理经典物理建模，
光罩
人们正在考虑在下一代光刻节点中使用 Ta 基吸收体的替代品，以减少 3D 掩模效应并通过相位干涉改善图像调制。低复折射率 (n-ik) 材料可以在比传统吸收体所需厚度更薄的情况下提供相移行为，本质上充当衰减相移掩模 (attPSM) 膜。确定 attPSM 吸收体厚度和随之而来的相位需要确定最佳相移掩模反射率。使用高反射率吸收体进行成像可显示出更好的成像性能。吸收体厚度是在干涉效应导致高吸收体反射率的地方确定的。因此，低折射率 (n) 材料是理想的 attPSM 吸收体候选材料。使用维纳边界和有效介质近似 (EMA) 建模确定的低 - n 材料组合使用吸收体反射率在线空间和接触孔图案针对 NILS 和 MEEF 进行优化。使用反射近场强度成像将接触孔最佳厚度的吸收体候选物与传统的 Ta 基吸收体进行了比较。