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World File Search System掺杂
通过嵌段共聚物薄膜超低能量注入磷离子在硅中形成周期性掺杂阵列
完整作者列表：Kuschlan，Stefano； CNR 微电子与微系统研究所 Chiarcos，Riccardo；东皮埃蒙特大学阿梅代奥阿伏伽德罗 - 亚历山德里亚校区，DISIT Laus，Michele；东皮埃蒙特大学，DISIT Perez-Murano，Francesc；巴塞罗那微电子研究所 Llobet，Jordi； IMB CNM 费尔南德斯-雷古莱兹，玛尔塔；巴塞罗那微电子研究所，纳米制造 Bonafos，Caroline； CEMES Perego，米歇尔； CNR，微电子与微系统研究所 Seguini，Gabriele； CNR、IMM、玛瑙布里安扎德米奇利斯单位、马可； CNR 微电子与微系统研究所 Tallarida，Graziella；国家研究委员会微电子与微系统研究所，Agrate Brianza 单位
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
将 MnS 霜剂封装到空心 N,S 共掺杂碳纳米管中
完整作者列表： 李高杰；中原工学院 陈孔耀；中原工学院，先进材料研究中心 王艳杰；中原工学院，先进材料研究中心 王卓；中原工学院，先进材料研究中心 崔斯文；中原工学院，先进材料研究中心 陈雪莉；中原工学院，先进材料研究中心 吴子杰；曼彻斯特大学，曼彻斯特大学航空研究所 苏蒂斯，康斯坦丁诺斯；曼彻斯特大学，曼彻斯特大学航空研究所 陈伟华；郑州大学，化学与分子工程学院 米丽薇；中原工学院，先进材料研究中心
在交替的供体 - 受体共聚物的半晶结构中，掺杂剂位置对极性开关P N机制的影响
Bharath Dyaga，Antoine Lemaire，Shubhradip Guchait，Huiyan Zeng，Bruno Schmaltz等。掺杂剂位置在交替的供体供体 - Acceptor拷贝剂的半晶结构中的影响对极性交换P极性交换P→N机械。材料杂志化学杂志C，2023，11（47），第16554-16562页。10.1039/D3TC02416D。 hal-0460287210.1039/D3TC02416D。hal-04602872
用于 mmW 应用的 C 掺杂 AlN/GaN HEMT 与 AlN/GaN/AlGaN 双异质结构的比较
摘要 — 我们报告了使用两种缓冲层用于毫米波应用的超薄（亚 10 nm 势垒厚度）AlN/GaN 异质结构的比较结果：1) 碳掺杂 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 和 2) 双异质结构场效应晶体管 (DHFET)。观察到碳掺杂 HEMT 结构表现出优异的电气特性，最大漏极电流密度 I d 为 1.5 A/mm，外部跨导 G m 为 500 mS/mm，最大振荡频率 f max 为 242 GHz，同时使用 120 nm 的栅极长度。C 掺杂结构在高偏压下提供高频性能和出色的电子限制，可在 40 GHz 下实现最先进的输出功率密度（P OUT = 7 W/mm）和功率附加效率 (PAE) 组合，在脉冲模式下高达 V DS = 25V 时高于 52%。
角度和极化选择性自发发射在染料掺杂的金属/绝缘体/金属纳米腔
摘要。在本文中，我们提出了一项活动，以介绍公钥加密PHY的概念，并使服务前的STEM教师探索基本信息学以及Mathemati Cal概念和方法。我们遵循教义工程方法中的教学情况理论（在数学教育研究中广泛使用），以使用图形设计和分析有关不对称加密的教学情况。遵循教学工程的阶段，在对内容的初步分析，教学环境的限制和构成之后，我们对情况进行了构思和分析，并特别关注环境（学生可以与学生互动）以及对教学变量的选择。我们讨论了他们对参与者详细说明加密信息所需的解决问题策略的影响。我们实施了我们的情况并收集了定性数据。然后，我们分析了后验参与者使用的不同策略。A后验分析与先验分析的比较显示了活动的学习潜力。要详细阐述不同的解决问题的策略，参与者需要探索和理解数学，信息学和两个学科的前沿中的几种概念和方法，并在不同的符号簿之间移动。
SB掺杂的MNBI 2 TE 4
由于其出色的药物样和药代动力学特性，小分子药物被广泛用于治疗各种疾病，使其成为药物发现的批评组成部分。近年来，随着深度学习（DL）技术的快速发展，与传统的机器学习方法相比，基于DL的小分子药物脱离方法在预测准确性，速度和复杂的分子关系建模方面取得了出色的性能。这些进步提高了药物筛查效率和优化，它们为各种药物发现任务提供了更精确，更有效的解决方案。依靠该领域的发展，本文旨在系统地总结和推广基于DL的小分子药物发现的最新关键任务和代表性技术。具体来说，我们提供了小分子药物发现及其相互关系的主要任务的概述。接下来，我们分析了六个核心任务，总结了相关方法，常用数据集和技术开发趋势。最后，我们讨论了关键挑战，例如可解释性和分布范围内化，并提供了我们对DL辅助小分子药物发现的未来探索方向的见解。
采用半导体分布掺杂区带宽可切换带通滤波器的新型合成方法
摘要 本文介绍了一种使用半导体分布掺杂区 (ScDDA) 作为有源元件的带宽可切换带通滤波器的新型合成方法。提出了一种协同设计方法，对可切换滤波器的有源和无源部分进行整体和同步设计。集成在硅基板中的 ScDDA 能够从半波长开路短截线转换为四分之一波长短路短截线。这种协同设计方法具有很大的灵活性，允许将有源元件直接集成在基板中，从而避免任何元件焊接。该合成是针对有源元件的两种状态开发的，并作为概念验证应用于四极带宽可切换带通滤波器。该滤波器工作频率为 5 GHz，在 OFF 状态下（当短截线通过开路终止时）带宽为 50%，在 ON 状态下（当短截线短路时）带宽为 70%。对于该滤波器，合成在两种状态下进行，允许选择两个所需的带宽。这些结果得到了良好的拟合，证明了这种方法的可行性。
自由掺杂 La 的 HfO2 铁电体用于负电容
用于负电容场效应晶体管的缺氧无唤醒 La 掺杂 HfO2 铁电体的水性制备方法 / Pujar, Pavan；Cho, Haewon；Kim, Young-Hoon；Zagni, Nicolo；Oh, Jeonghyeon；Lee, Eunha；Gandla, Srinivas；Nukala, Pavan；Kim, Young-Min；Alam, Muhammad Ashraful；Kim, Sunkook。- 收录于：ACS NANO。- ISSN 1936-0851。- 17:19(2023)，第 19076-19086 页。[10.1021/acsnano.3c04983]
等离子体活化三元 SnO2@Sn/氮掺杂 ...
摘要：SnO 2 基钠离子电池在钠化/脱钠过程中通常会出现容量衰减较快的问题，这是由于Sn的聚集和裂解以及Na 2 O的不可逆形成造成的。针对这一问题，我们设计了一种基于微波等离子体工艺制备的三元SnO 2 @Sn核壳结构，修饰于氮掺杂石墨烯气凝胶上（SnO 2 @Sn/NGA）。转化成的Na 2 O可以防止Sn的团聚，从而在循环过程中稳定结构。Na 2 O与Sn之间的紧密接触确保了Na+离子向Sn核的扩散，并可逆地转化为Sn SnO 2 。此外，等离子体对NGA的脱氧作用提高了其石墨化程度和电导率，从而大大提高了电极的倍率性能。结果，SnO 2 @Sn/NGA负极在100 mA g -1 时表现出448.5 mAh g -1 的高首次放电容量。重要的是，这种独特的纳米混合电极设计可以扩展到锂和钠离子电池的先进阳极材料。