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World File Search System掺杂
La3+离子掺杂浓度对晶体的影响...
采用振动磨法将La 3+ 离子掺杂的Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 荧光粉原料混合,采用固相反应在空气中1200 ℃煅烧10 h。无论La 3+ 离子掺杂浓度如何,La 3+ 离子都不会改变晶体结构,但会改变荧光粉的激发和发射强度等发光性能。当La 3+ 离子掺杂含量为10 mol%时,荧光粉在深紫外光激发下的饱和发射强度有所提高。由于在Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 体系中引入半径较大的La 3+ 离子替代半径较小的Y 3+ 离子，压应变的增加导致氧空位浓度的降低，从而改变了Pr 3+ 离子4f–4f 跃迁的1 D 2 →3 H 4 和3 P 0 →3 H 4 辐射的发射强度。La 3+ 离子掺杂的Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 荧光粉的CIE色坐标略有偏移，但在不同的La 3+ 离子掺杂含量下均处于白光区域。这为改善白光LED用Y 0.998 Pr0.002 InGe 2 O 7 单相白光荧光粉的发光性能提供了一种智能方法。此外，1 D 2 → 3 H 4 和 3 P 0 → 3 H 4 辐射的各种发射强度比使荧光粉可应用于氧气传感器。
卤化物外延生长Sn掺杂Ga2O3薄膜
完整作者列表： 尼古拉耶夫，弗拉基米尔；国立科技大学莫斯科国立合金学院，电子学 波利亚科夫，亚历山大；国立科技大学莫斯科国立合金学院，电子学 斯捷潘诺夫，谢尔盖；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学；约飞研究所，异形晶体物理实验室；完美晶体有限责任公司 佩奇尼科夫，阿列克谢；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学；约飞研究所，异形晶体物理实验室；完美晶体有限责任公司 亚基莫夫，尤金；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学；俄罗斯科学院，微电子技术与高纯度材料研究所 切尔尼赫，阿列克谢；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学 瓦西列夫，安东；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学 谢梅罗夫，伊万；国立科技研究型大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学 Kochkova，Anastasia；莫斯科国立合金学院，电子学 Guzilova，Lyubov Guzilova；Perfect Crystals LLC Konovalev，Mikhail；莫斯科国立合金学院，电子学 Pearton，Stephen；佛罗里达大学，材料科学与工程
在二氧化硅上的ER掺杂平面波导的制造...
摘要我们报告了二氧化硅（SOS）晶状体上掺杂Erbium掺杂的平面波导的制造和表征，可提供低损耗和适用于用于工程光波导放大器（1530-1565 nm）的光纤维通信的较低的光限制。在这里，我们描述了一种超快的血浆掺杂（ULPD）技术，该技术是使用由飞秒激光（波长800 nm）诱导的血浆进行的，其重复速率为10 kHz，脉冲持续时间为45 fs。此处介绍的ULPD方法已成功应用于先前使用脉冲持续时间约为100 fs且重复速率为1 kHz的FS-LASER掺杂在SOS底物上的稀土材料。已经分析了厚度，折射率，光学传播损失，光致发光强度和光致发光寿命的厚度，折射率损失，光发光损失，光发光损失，光发光损失，光致发光的寿命。我们报告了C波段中<0.4dB/cm的低传播损失，长寿命为13.21 ms，在1532 nm和最大的寿命密度产物6.344 x10 19 s.cm -3。低损耗平面平板波导和高寿命密度的产品有望在SOS平台上制造带状的波导的进一步可能性。所提出的主动波导制造方法可能对制造平面的集成光学波导放大器和与基于硅的光子积分电路兼容的激光。
磷端基聚合物对硅的掺杂
半导体技术依赖于通过在半导体基质材料的晶格中控制引入替代杂质（掺杂）来调整基板的电性能的能力，以便调整其电子、光学和/或磁性。1 然而，目前的原位掺杂策略不能轻易扩展到纳米级。随着半导体器件的尺寸缩小到纳米级，半导体内单个原子的标准随机分布变得至关重要，因为均匀掺杂分布的假设不再成立。2,3 目前，科学界正在努力开发一种新技术，以展示纳米级半导体结构的确定性掺杂。传统的掺杂技术主要基于离子注入，即用高能含掺杂剂的离子轰击目标半导体，随后使用高温热处理诱导离子替换晶格中的原子。 1 该技术的主要优势在于可以独立控制半导体主体内的掺杂剂量和杂质原子的深度分布。这种方法已被广泛探索，并已成为微电子领域的主力，因为它可以保证大面积的出色掺杂均匀性。
等离子体活化三元 SnO2@Sn/氮掺杂 ...
摘要：SnO 2 基钠离子电池在钠化/脱钠过程中通常会出现容量衰减较快的问题，这是由于Sn的聚集和裂解以及Na 2 O的不可逆形成造成的。针对这一问题，我们设计了一种基于微波等离子体工艺制备的三元SnO 2 @Sn核壳结构，修饰于氮掺杂石墨烯气凝胶上（SnO 2 @Sn/NGA）。转化成的Na 2 O可以防止Sn的团聚，从而在循环过程中稳定结构。Na 2 O与Sn之间的紧密接触确保了Na+离子向Sn核的扩散，并可逆地转化为Sn SnO 2 。此外，等离子体对NGA的脱氧作用提高了其石墨化程度和电导率，从而大大提高了电极的倍率性能。结果，SnO 2 @Sn/NGA负极在100 mA g -1 时表现出448.5 mAh g -1 的高首次放电容量。重要的是，这种独特的纳米混合电极设计可以扩展到锂和钠离子电池的先进阳极材料。
W掺杂TiO2作为高的电子传输层...
Haibin Wang a,b , Chun Zhao a,* , Li Yin a,b , Xinjian Li c , Xin Tu b , Eng Gee Lim a , Yina Liu d
稀有掺杂红外线激光的研究状态
二甲双胍的重点是高度安全性，低副作用和各种作用，除了降低血糖，例如抗炎，抗肿瘤和抗衰老。研究表明，二甲双胍对肠道菌群的组成和功能具有调节作用，而不是作用于肝脏。但是，菌群的组成很复杂，并且在物种和个体之间有所不同，每项研究的实验设计也不同。多个因素是更好地理解二甲双胍对肠道菌群的影响的主要障碍。本文回顾了二甲双胍对肠道菌群的调节作用，例如增加了akkermansia属的丰度，丰富了产生细菌属的短链脂肪酸（SCFA），并调节某些属的基因表达。肠道微生物群是人体中的大型生态系统，被认为是人体的“器官”，这与人类健康和疾病状况高度相关。有很多证据表明肠道菌群是造成二甲双胍广泛影响的原因。但是，关于这种机制的系统研究只有少数系统的研究，而具体机制仍不清楚。本文旨在总结二甲双胍与肠道菌群有关的可能机制。
厚度和掺杂浓度对太阳效率的影响
of GaN/p-Si based solar cells N. S. Khairuddin a , M. Z. Mohd Yusoff a,* , H. Hussin b a School of Physics and Material Studies, Faculty of Applied Sciences, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah Alam, Selangor, Malaysia b School of Electrical Engineering, College of Engineering, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah阿拉姆（Alam），马来西亚雪兰莪（Selangor），在这项研究中，我们使用PC1D模拟器来证明基于硝酸盐（GAN）的太阳能电池模型的性能分析。已经发现，当GAN底物的层厚度生长时，太阳能电池的效率会降低。这是通过比较GAN和硅底物上的掺杂浓度和层厚度来发现的。随着P掺杂SI层的厚度升高，细胞效率恰好增加。GAN和P -Silicon的最佳掺杂浓度分别为1x10 18 cm -3和1x10 17 cm -3。与其他设计相比，GAN/P-Silicon太阳能电池的效率最高25.26％。（2023年6月21日收到； 2023年9月1日接受）关键字：太阳能电池，甘恩，氮化碳，硅，硅，pc1d1。简介硝酸盐（GAN）设备自然会获得市场份额。gan收入将以75％的累积年增长率扩大。电力电子专家目前面临与电路设计技术，被动组件选择，热管理和实验测试有关的问题，这是由于其高开关速度和操作开关频率[2]。gan合金具有可调的直接间隙，这就是光伏使用它们的原因。用于光电和微电子学中的应用，III-V硝酸盐（如氮化岩（GAN），氮化铝（ALN）和硝酸铝（Innride）及其合金及其合金都特别吸引人。他们的带盖是最初[3]最诱人的地方之一。si还旨在在低温血浆增强化学蒸气沉积（PECVD）方法中作为N型掺杂剂掺入，因为它是高温GAN中的众所周知的供体掺杂剂[4]。由于其直接带隙（例如〜3.4 eV），整个可见光谱中的透射率超过82％，高电子迁移率（〜1,000 cm2/vs）[5] [5]，高导热率和出色的化学稳定性和出色的化学稳定性[6]，氮化物（GAN）具有出色的光学和电气性能。Ingan材料系统的带隙现在跨越了红外线到紫外线。INGAN材料系统对于光伏应用是有利的，因为它可用于制造第三代设备，例如中型太阳能电池，除了高效的多官方太阳能电池外，由于其直接和宽的带隙范围[7]。氮化物具有有利的光伏特性，例如低有效的载体，高迁移率，高峰值和饱和速度，高吸收系数和辐射耐受性，除了宽带间隙范围[8]。IIII-V硝酸盐技术能够生长高质量的晶体结构并创建光电设备的能力证实了其高效光伏的潜力[9]。上述情况使我们能够控制费米水平显然随着gan厚度的上升而向上移动，并减少传导带最小值（CBM）值和价值最大（VBM）值[10]。压缩应力的松弛和较厚的GAN层的载体浓度增加是依赖厚度依赖性带结构的初步解释[11]。
氟掺杂对Sno2薄的特性的影响...
光电学和高级材料杂志。22，编号9-10，9月至2020年10月，第1页。 518-522氟掺杂对使用喷雾热解方法沉积的SNO 2薄膜的特性的影响Youssef larbah A，*，Badis rahal A，Mohamed Adnane B A Speptormity Spectry Secardment，Algiers -CRNA -CRNA -CRNA -CRNA 02 BD。Frantz Fanon BP 399 Algiers，奥兰科学技术大学阿尔及利亚B技术系。 USTO-MB，B.P。 1505，31000 El-Mnaouer Oran，Algeria，在本文中，我们报告了通过在400°C下喷射热解沉积的未源源不断和氟掺杂的氧化锡（SNO 2：F）薄膜的结构和光学特性。 XRD分析表明，所有薄膜呈现具有首选方向从（110）变为（211）的四方金红石结构。 平均晶粒尺寸约为50 nm，随着氟的掺入而减小。 扫描电子显微镜（SEM）分析表明，纳米颗粒的大小为78 nm。 这些电影的传播率高85％。 光学差距从3.97到4EV不等。 电气研究表明，这些薄膜具有最低电阻层值的N型电导率，对9.Wt％F的掺杂膜的13（ω/γ）（2020年1月13日收到； 2020年10月22日接受； 2020年10月22日接受）关键词：SNO 2：SNO 2：F，SNO 2：S SNO 2，SNOO 2，喷雾，微观，选择性和电子属性 div>>Frantz Fanon BP 399 Algiers，奥兰科学技术大学阿尔及利亚B技术系。USTO-MB，B.P。 1505，31000 El-Mnaouer Oran，Algeria，在本文中，我们报告了通过在400°C下喷射热解沉积的未源源不断和氟掺杂的氧化锡（SNO 2：F）薄膜的结构和光学特性。 XRD分析表明，所有薄膜呈现具有首选方向从（110）变为（211）的四方金红石结构。 平均晶粒尺寸约为50 nm，随着氟的掺入而减小。 扫描电子显微镜（SEM）分析表明，纳米颗粒的大小为78 nm。 这些电影的传播率高85％。 光学差距从3.97到4EV不等。 电气研究表明，这些薄膜具有最低电阻层值的N型电导率，对9.Wt％F的掺杂膜的13（ω/γ）（2020年1月13日收到； 2020年10月22日接受； 2020年10月22日接受）关键词：SNO 2：SNO 2：F，SNO 2：S SNO 2，SNOO 2，喷雾，微观，选择性和电子属性 div>>USTO-MB，B.P。1505，31000 El-Mnaouer Oran，Algeria，在本文中，我们报告了通过在400°C下喷射热解沉积的未源源不断和氟掺杂的氧化锡（SNO 2：F）薄膜的结构和光学特性。XRD分析表明，所有薄膜呈现具有首选方向从（110）变为（211）的四方金红石结构。平均晶粒尺寸约为50 nm，随着氟的掺入而减小。扫描电子显微镜（SEM）分析表明，纳米颗粒的大小为78 nm。这些电影的传播率高85％。光学差距从3.97到4EV不等。电气研究表明，这些薄膜具有最低电阻层值的N型电导率，对9.Wt％F的掺杂膜的13（ω/γ）（2020年1月13日收到； 2020年10月22日接受； 2020年10月22日接受）关键词：SNO 2：SNO 2：F，SNO 2：S SNO 2，SNOO 2，喷雾，微观，选择性和电子属性 div>>
化学蒸气中的异常重掺杂...
纳米级过渡金属三卡构基化金属元素（TMTC）（例如TIS 3）对基本研究和应用开发都显示出很大的潜力，但是他们的自下而上的合成策略仍应实现。在这里，我们探索了TIS 3的化学蒸气沉积（CVD）合成，其晶格各向异性使B轴的优先生长使矩形纳米片或纳米虫具有具有生长温度可调节的长宽比的矩形纳米片或纳米骨。获得的纳米结构，同时保持光谱和结构特性，如原始的半导体TIS 3的特性，表现出较高的电导率和超低载体激活屏障，这是纳米级导体。我们的实验和计算结果表明，CVD生长的TIS 3中存在S 2 2-空缺，导致重型N型掺杂到退化水平。此外，预计将半导体特性通过从环境中用氧原子钝化S 2 2-空位来恢复。这项工作因此预示着使用缺陷工程的三卡氏菌元素半导体构建纳米级电子的诱人可能性。