XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System掺杂
掺杂石墨烯介孔海绵
多孔碳是超级电容器的重要电极材料。超级电容器面临的挑战之一是在不依赖伪电容的情况下提高其能量密度，伪电容基于快速氧化还原反应，而这往往会缩短器件寿命。一种可能的解决方案是在由最少堆叠的石墨烯壁组成的高表面碳材料中实现高总电容（C tot），其中包括亥姆霍兹电容（CH）和可能的量子电容（CQ）。在本文中，采用模板法合成具有大致相同孔结构（≈2100m2g-1，平均孔径≈7nm）但含氧官能团（0.3–6.7 wt.%）和氮掺杂剂（0.1–4.5 wt.%）浓度不同的3D介孔石墨烯。因此，系统地研究了杂原子官能团对有机电解质中C tot的影响，不包括孔结构的影响。结果表明，杂原子官能基决定 C tot ，导致循环伏安曲线呈矩形或蝴蝶形。氮官能基由于 CQ 增加而显著增强 C tot 。
perovs-opant：掺杂散装结构的机器学习潜力
探索新的掺杂材料对于提高半导体的性能，效率和多功能性至关重要。perovskites具有多种结构和可调性，已成为下一代半导体的有前途的候选人。机器学习潜力（MLP）在有效预测散装材料的材料特性方面表现出了巨大的希望。然而，缺乏用于钙壶的全面掺杂数据集阻碍了数据驱动技术在该域中进行高通量筛选和材料发现的应用。在这项工作中，我们提出了一个掺杂数据集“ perovs-opant”，其中包含来自438个不同掺杂的钙钛矿材料宽松轨迹的20,000多个密度功能理论（DFT）数据点。使用perovs-opants，我们评估了在散装材料轨迹上预先介绍的基础模型MACE-MP，以标记最先进的MLP的性能。我们的结果表明，尽管MACE-MP在散装晶体上表现出色，但Perovs-opants代表了分布的挑战，并具有重大的预测错误。我们通过对MACE-MP进行填充以实现佩洛斯型和原始散装晶体的比较建模来赎回这些效果。
Sn掺杂TiO2薄膜的合成和表征...
M. Vanmathi A，，A。PriyaA，M。S. Tahir A，Sahir A，M。S. Razakh a，M。M. Senthil Kumar B，*，R。Indrajit C，R。Indrajit C，V。Elango D，G。Senguttuvan E，R v. Mangalaraja f。泰米尔纳德邦，印度-600 048 B机械工程学院，Vellore技术研究所，钦奈，泰米尔纳德邦，泰米尔纳德邦，印度-600 127 c物理系印度纳杜（NADU），600 089 E物理学系，安娜大学蒂鲁奇拉帕利大学工程学院毒性。进一步的金属掺杂可改变电导率，电气和光学特性。在这项研究中，使用喷雾热解技术进行了SN掺杂TIO 2的沉积。通过使用Hall效应技术获得了电性能，并通过X射线衍射和EDAX扫描电子显微镜分析膜的结构特性。X射线衍射的结果表明，通过喷雾热解沉积的薄膜是多晶的多晶，在（002）场的方向上优先取向。SEM分析表现出通过喷雾热解沉积的薄膜的膜结构。使用HALL效应技术获得了电导率的结果。（2024年6月7日收到； 2024年9月26日接受）关键词：二氧化钛（TIO 2），X射线衍射，扫描电子显微镜（SEM），Hall效果1。今天的引言，众所周知，大多数半导体使用二氧化钛纳米颗粒[1]。TiO 2在传感器[2]，抗菌剂[3]，氢[4]，照片催化剂[5]和水蒸发[6]中找到了其应用。tio 2以其良好的光学特性，廉价，无毒和化学稳定而闻名。
在压力下，通过电子掺杂在三层镍中通过电子掺杂增强了S±波超导性的预测
是由最近报道的Trilayer LA 4 Ni 3 O 10在压力下的超导性的签名的动机，我们使用从头算和随机相近似技术全面研究了该系统。没有电子相互作用，NI D 3 z 2-r 2轨道显示通过op z轨道构成键合 - 抗抗反向和非键的分裂行为，这些轨道在La 4 Ni 3 O 10中诱导“ Trimer”晶格，类似于La 3 Ni 2 O 7的二聚体。费米表面由三个具有混合e轨道的电子纸组成，一个由D 3 z 2-r 2轨道组成的孔和电子袋组成，这表明Ni两轨最小模型。另外，我们发现由于M¼ðπ之间的部分嵌套，在S波通道中诱导了超导配对。以γ¼d为中心的费米表面的中心口袋和部分； 0Þ点。随着电子密度n的变化，S不稳定性保持领先，其配对强度显示出最大n¼4左右的Domelike行为。2（〜6。7％电子掺杂）。超导不稳定的消失在与新的1313堆叠La 3 ni 2 O 7中相同的电子密度消失，这与三层sublattice产生的孔口袋消失有关，这表明La 3 Ni 2 O 7的高t c超导性不源自trililayer and Monolayer and Monolayerererererereraner和monlayerererererereraner和mon。此外，我们在LA 4 ni 3 O 10中确认了拟议的自旋状态，其平面内（π，π）顺序（π，π）和底部Ni层之间的抗铁磁耦合，中间层中的旋转零。
肖特基轻掺杂 P-中的捕获效应研究……
本文研究了用于低功耗应用的肖特基轻 Mg 掺杂 p-GaN 栅极堆栈的捕获效应，并进一步分析了 c 射线辐照下 AlGaN/GaN 界面陷阱。当 c 射线辐照剂量高达 800 krad 时，平带电压的变化可以忽略不计，这表明 p-GaN 栅极结构具有出色的辐射耐受性。在 500 kHz 以下和以上的测量频率下观察到电容弥散之间的差异，这归因于不同位置随栅极电压变化的捕获效应。此外，提出了频率相关电导法来评估不同剂量的 c 射线辐照对 AlGaN/GaN 界面陷阱的影响。基于该方法，除了传统常开型高电子迁移率晶体管（HEMT）中发现的浅陷阱态[陷阱激活能（ET）约为0.334–0.338 eV]之外，在AlGaN/GaN界面处还检测到了另一类更深的陷阱态（ET约为0.467–0.485 eV）。观察到随着辐照剂量的增加，浅陷阱态的ET分布在更深和更宽的范围内。此外，深和浅ET在600 krad剂量辐照后都降低，但在800 krad剂量辐照后都增加。透射电子显微镜和原子力显微镜用于展示光滑的AlGaN/GaN界面形貌，该形貌在800 krad剂量的c射线辐照后不会受到太大的损坏。这项工作可以为进一步了解低压应用的p-GaN栅极HEMT的辐射耐受性和捕获效应提供帮助。
预测稀土掺杂眼镜中的JO参数
本文介绍了一种机器学习驱动的方法，用于预测稀土（Re）掺杂玻璃系统的光谱特性，重点是DY 3+离子。使用熔融液压技术合成0.25 PBO – 0.2 SIO 2 - （0.55-X）B 2 O 3 –x dy 2 O 3，及其密度，摩尔体积和judd-offelt（jo）参数（ω2，ω4，ω6）进行了实验确定。使用judd-芬芳理论来计算光谱参数，例如振荡器强度，辐射过渡概率和辐射寿命，用于DY 3+掺杂玻璃。此外，开发了一个随机森林（RF）回归模型，以根据玻璃的组成来预测这些参数。该模型显示高精度，在0.1下，R²（确定系数）值高于0.9和根平方误差（RMSE），从而验证了RF的使用以可靠地预测光学性质。结果表明，RF模型可以有效地模拟稀土（RE）载有玻璃的发光特性，从而大大减少了对实验测试的需求。这种方法提供了优化在激光器，光学放大器和温度传感器等应用中使用的光学材料设计的潜力。
将掺杂效果纳入金属等离子尺尺...
近包装组件中的抽象等离子体纳米晶体表现出集体光学的分辨和由于耦合而引起的强烈浓缩电场。从分离的纳米晶体的局部表面等离子体共振（LSPR）到组件的光谱红移反映了耦合强度，这取决于纳米晶体特征和组装结构。将这些转移与纳米晶体间距相关的缩放定律可用于系统地描述等离激子耦合，可用于预先峰值移动材料设计。在这里，我们建立了一种统一的缩放关系，该关系可以考虑到掺杂剂不仅对LSPR频率而且对纳米晶体内游离电子的分布的影响来说明金属氧化等离子纳米晶体的独特特性。，我们提出了一个重新固定的等离子体标尺，并针对存在掺杂剂的耗竭层进行了调整，以描述当组装成近距离填充的超晶格时，胶体依赖性二氧化物氧化物氧化物氧化物纳米晶体的特性移位。该框架可用于指导等离子材料的设计，以根据纳米晶体构建块的合成属性实现特定的光学特性。
干细胞效力：掺杂分化的自动化与手动分割
3.2手动细分................................................................................................................................................................................................................................................................................. 11 3.3脂质定位器实施................................................................................................................................. 11 3.4数据分析.........................................................................结果............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................. 5。结论..................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... Intensity/Area ................................................................................. 19 5.5 Future Directions ..................................................................................... 20 REFERENCES .......................................................................................................... 21 BIOGRAPHICAL INFORMATION ......................................................................... 24
通过原位NH3掺杂改善了MOS2 FET的性能...
到3。 56×10 6，阈值电压从 - 0移动。 74 V至 - 0。 12 V和一个小的子阈值秋千为105 mV/dec。 改进的MOS 2 FET性能归因于在Al 2 O 3 ALD生长过程中引入NH 3的氮掺杂，从而导致介电层的表面粗糙度降低，并修复Al 2 O 3层中的氧空位。 此外，在Al和O前体填充周期后，由原位NH 3进行处理的MOS 2 FET证明了最佳性能。这可能是因为最终的NH 3掺杂膜生长后，恢复了更多的氧空位，以筛选MOS 2通道中更多的电荷散射。 报告的方法提供了一种有希望的方法，可以减少高性能MOS 2设备中载体传输中的电荷散射。到3。56×10 6，阈值电压从 - 0移动。74 V至 - 0。12 V和一个小的子阈值秋千为105 mV/dec。改进的MOS 2 FET性能归因于在Al 2 O 3 ALD生长过程中引入NH 3的氮掺杂，从而导致介电层的表面粗糙度降低，并修复Al 2 O 3层中的氧空位。此外，在Al和O前体填充周期后，由原位NH 3进行处理的MOS 2 FET证明了最佳性能。这可能是因为最终的NH 3掺杂膜生长后，恢复了更多的氧空位，以筛选MOS 2通道中更多的电荷散射。报告的方法提供了一种有希望的方法，可以减少高性能MOS 2设备中载体传输中的电荷散射。
稀土离子掺杂 CaWO4 用于量子信息...
摘要 由稀土离子（如 Er 3+）制成的量子比特是量子信息处理的有希望的候选者，因为它们倾向于长自旋相干性、稳定的光学跃迁和量子转导潜力 1 。由于这些离子具有相似的化学特性，该项目旨在全面研究掺杂到 CaWO 4 中的稀土离子，以比较它们的量子比特适用性。将十五种稀土离子的多种浓度掺入 CaWO 4 晶格中，并使用粉末 XRD、高光谱成像和 EPR 扫描进行分析。掺杂被证实是成功的，但 EPR 扫描显示非理想信号，表明存在不需要的额外未配对电子。需要进一步表征多晶样品并生长成单晶，以确定哪种 RE 离子在量子信息系统中的表现最佳。