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World File Search System掺杂剂
高-TC Fe- ...
在引言中，我们对发现较高的材料的发现（SC）的发现进行了简短的历史调查，这些材料并非纯粹的状态。对于这种材料，在存在不同掺杂剂的情况下，向SC状态的过渡发生。最近在高压基材料中，SC在室临界温度下获得。在本文中，我们介绍了代表Infini-tum晶体的分离群集的计算结果，该簇是rh和pd作为掺杂剂的结果。所有计算均使用程序套件高斯16进行。使用高斯09.在嵌入式群集的情况下，应用了MP2电子相关水平的嵌入式聚类方法的方法。在NBO种群分析中揭示了两个主要特征：电荷密度转移从自旋密度转移的独立性，以及具有元素密度但没有旋转密度的轨道的存在。这类似于安德森（Anderson）的无旋转，并证实我们在先前出版物中的结论，即超导性的可能机制可以是安德森（Anderson）对高层callates高的T C超导性产生的RVB机制。
聚合物纳米线的可逆掺杂和光图案化
掺杂剂诱导溶解度控制 (DISC) 聚合物半导体图案化技术的最新进展已使聚-3-己基噻吩 (P3HT) 的直接写入光学图案化成为可能，且分辨率达到衍射极限。在这里，我们将光学 DISC 图案化技术应用于最简单的电路元件——导线。我们展示了 P3HT 和掺杂有分子掺杂剂 2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷 (F4TCNQ) 导线的 P3HT 的光学图案化，尺寸为厚度 20-70 nm、宽度 200-900 nm 和长度 40 µ m。此外，我们还展示了“L”形弯曲和“T”形结等导线图案的光学图案化，而无需改变结处导线的直径或厚度。经过连续掺杂后，导线本身的电导率高达 0.034 S/cm。我们还证明了 P3HT 纳米线可以在溶液中掺杂、去掺杂和再掺杂，而不会改变导线的尺寸。光学图案化和可逆掺杂聚合物半导体的综合能力代表了一套完整的图案化步骤，相当于无机半导体的光刻技术。
加州大学戴维斯分校
掺杂剂诱导溶解度控制 (DISC) 聚合物半导体图案化技术的最新进展已使聚-3-己基噻吩 (P3HT) 的直接写入光学图案化成为可能，且分辨率达到衍射极限。在这里，我们将光学 DISC 图案化技术应用于最简单的电路元件——导线。我们展示了 P3HT 和掺杂有分子掺杂剂 2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷 (F4TCNQ) 导线的 P3HT 的光学图案化，尺寸为厚度 20-70 nm、宽度 200-900 nm 和长度 40 µ m。此外，我们还展示了“L”形弯曲和“T”形结等导线图案的光学图案化，而无需改变结处导线的直径或厚度。经过连续掺杂后，导线本身的电导率高达 0.034 S/cm。我们还证明了 P3HT 纳米线可以在溶液中掺杂、去掺杂和再掺杂，而不会改变导线的尺寸。光学图案化和可逆掺杂聚合物半导体的综合能力代表了一套完整的图案化步骤，相当于无机半导体的光刻技术。
将掺杂效果纳入金属等离子尺尺...
近包装组件中的抽象等离子体纳米晶体表现出集体光学的分辨和由于耦合而引起的强烈浓缩电场。从分离的纳米晶体的局部表面等离子体共振（LSPR）到组件的光谱红移反映了耦合强度，这取决于纳米晶体特征和组装结构。将这些转移与纳米晶体间距相关的缩放定律可用于系统地描述等离激子耦合，可用于预先峰值移动材料设计。在这里，我们建立了一种统一的缩放关系，该关系可以考虑到掺杂剂不仅对LSPR频率而且对纳米晶体内游离电子的分布的影响来说明金属氧化等离子纳米晶体的独特特性。，我们提出了一个重新固定的等离子体标尺，并针对存在掺杂剂的耗竭层进行了调整，以描述当组装成近距离填充的超晶格时，胶体依赖性二氧化物氧化物氧化物氧化物纳米晶体的特性移位。该框架可用于指导等离子材料的设计，以根据纳米晶体构建块的合成属性实现特定的光学特性。
VaporSorb™ TRK 化学空气过滤器
VaporSorb ™ TRK 化学空气过滤器可完全抵御各种分子气相酸（强酸和弱酸）、碱和可冷凝有机物。VaporSorb TRK 过滤器符合赛道 OEM 规格，并采用正在申请专利的聚合物介质，这些介质完全不含掺杂剂且不会排气。这些高性能过滤器可去除空气中的胺、无机酸、弱酸（包括乙酸、亚硝酸和甲酸）和浓度低于十亿分之一的有机物。
红移的Cherenkov辐射，用于快速定时检测器
基于闪烁体的伽马射线检测器中时间响应的增强对于诸如飞行时间正电子发射断层扫描（TOF-PET）以及实验核和粒子物理等应用至关重要。实现这一改进的一种有希望的方法是利用Cherenkov辐射，与传统闪烁光相比，它几乎瞬间发出。然而，基于Cherenkov的检测的主要局限性是可检测光子的低收率，因为大多数紫外线（UV）范围内发出，许多材料表现出很高的吸收和透明度降低。为了克服这一限制，我们建议使用红移的Cherenkov散热器（RCR）。通过将荧光掺杂剂引入液体溶剂中，Cherenkov光子从紫外线转移到可见的光谱，在紫外线上，材料更透明，常规的光电探测器具有更高的效率。这种技术旨在增加检测到的Cherenkov光子的数量，最终导致辐射探测器的时机分辨率得到改善。为了评估这种方法的可行性，我们测试了不同的液体溶剂，包括八度（ODE），氯仿（CHCL₃）和二甲基亚氧化二甲基亚氧化物（DMSO），并以Popop为波长转移掺杂剂。uv-ab-吸附分析证实，ODE在紫外线范围内表现出最高的透明度，并且在检测到的Cherenkov光子中，Popop的掺入导致了17％至56％的增加，如图1左图所示，这比较了与波长偏移的不同溶剂的相对检测率。
公共密钥密码学 - 数据安全-MSI
▶每个用户生成一对开关，用于消息传递和解密消息。▶每个用户将两个键之一放在松树注册或其他可访问的文件中。这是松钥匙。保存的保存是私人的。用户可能具有其他用途的Pi -pi-掺杂剂的钥匙。▶如果鲍勃想向爱丽丝发送私人消息，他会使用爱丽丝的欺骗钥匙来理解该消息。▶当爱丽丝收到信息时，她使用私钥破译了她。
通过抑制掺杂诱导无序来增强共轭聚合物的热电性能
掺杂是提升各种有机电子器件性能的重要策略。然而，在许多情况下，共轭聚合物中掺杂剂的随机分布会导致聚合物微结构的破坏，严重限制了电子器件的可实现性能。本文表明，通过离子交换掺杂聚噻吩基 P[(3HT) 1-x -stat-(T) x ]（x = 0（P1）、0.12（P2）、0.24（P3）和 0.36（P4）），无规共聚物 P3 实现了 > 400 S cm − 1 的极高电导率和 > 16 μ W m − 1 K − 2 的功率因数，使其成为有史以来报道的基于未排列的 P3HT 薄膜中最高的电导率之一，明显高于 P1（< 40 S cm − 1 、< 4 μ W m − 1 K − 2）。尽管两种聚合物在原始状态下都表现出相当的场效应晶体管空穴迁移率≈0.1 cm 2 V − 1 s − 1，但掺杂后，霍尔效应测量表明 P3 表现出高达 1.2 cm 2 V − 1 s − 1 的霍尔迁移率，明显优于 P1（0.06 cm 2 V − 1 s − 1）。GIWAXS 测量确定掺杂 P3 的平面内𝝅 – 𝝅堆叠距离为 3.44 Å，明显短于掺杂 P1（3.68 Å）。这些发现有助于解决 P3HT 中长期存在的掺杂剂诱导无序问题，并作为在高掺杂聚合物中实现快速电荷传输以实现高效电子器件的典范。