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《光电子学与先进材料杂志》第 24 卷，第 1-2 期，2022 年 1 月 - 2 月，第 69-73 页研究
光电子学与先进材料杂志 第 24 卷，第 1-2 期，2022 年 1 月 - 2 月，第 69-73 页 传统固相法合成的 Zn 掺杂钛酸钡陶瓷的结构和电学性能研究 EHSAN UL HAQ 1、MUHAMMAD RAMZAN ABDUL KARIM 2,*、KHURRAM IMRAN KHAN 2,*、WASEEM AKRAM 1、SYED SHABBAR HASSAN 1、FAHAD KASHIF 1 1 巴基斯坦拉合尔工程技术大学冶金与材料工程系，邮编 54890 2 巴基斯坦托皮-23640 GIK 工程科学与技术研究所材料与化学工程学院 钛酸钡 (BaTiO 3 ) 是一种具有压电和铁电性能的突出陶瓷材料。尽管在执行器、光电子器件和电容器中有着广泛的应用，但 BaTiO 3 的高响应时间和介电损耗限制了它的有效利用。氧化锌 (ZnO) 已成为多项研究中控制压电材料晶粒生长行为和介电性能的首选掺杂剂。在本研究中，通过常规固态方法将 0.02 wt.% 至 0.08 wt.% 的各种 ZnO 浓度添加到钛酸钡 (BaTiO 3 ) 中，然后在 1150 o C 下烧结 2 小时。在 X 射线衍射 (XRD) 分析中，所有掺杂剂浓度均未检测到第二相，表明所有添加的 ZnO 都已融入 BaTiO 3 中形成化学配方为 BaZn x Ti 1-
使用高效 Mg/S 共掺杂 TiO2 纳米粒子增强亚甲蓝染料的可见光光催化降解
(VB) 移至导带 (CB)，在 VB 中产生空穴 (h +)。Mg 和 S 掺杂剂产生窄带隙，使得在相似能量下更容易区分光诱导电荷载流子。因此，在相似能量下更容易分离光诱导电荷载流子 (Singaram et al., 2017)。Mg 和 S 离子既充当电子受体又充当供体，将成功抑制电荷复合并产生更具反应性的物种以促进 MB 降解。由于
材料进展 - RSC 出版
半导体 CNT 制成的场效应晶体管 (FET) 的特性。使用等离子体辐射故意向 CNT 中添加缺陷，并通过拉曼光谱确认缺陷（主要是空位）的存在。添加缺陷的 CNT-FET 对 NO 2 的化学电阻响应比具有基线缺陷水平的 CNT-FET 大得多，再次表明缺陷会改善化学电阻响应。大量 CNT 研究调查了晶格缺陷，这里指的是结构缺陷和与 sp 2 键合碳原子完美网络的取代偏差。在 CNT 生长过程中，当一个或多个碳原子被其他元素的原子取代时，可能会发生取代“掺杂”。氮 21,22 和硼 23,24 是最常研究的取代掺杂剂。由于掺杂这两种元素的CNT在电池中表现出良好的储能性能，因此已经开发出可控工艺来按需应用此类掺杂剂。掺杂元素会在CNT结构中产生局部变化25，从而增强纳米管26的表面反应性，因此也可能改善气体传感性能。在已发表的实验中，硼和氮掺杂的双壁和多壁CNT对NH 3 和NO 2 检测表现出了改进的化学电阻灵敏度。26–28结构晶格缺陷（例如空位、双空位和Stone-Wales缺陷）也可能出现在CNT生产过程中29–31，并且已知会改变纳米管的电子特性32,33它们对化学电阻气体传感的灵敏度和选择性影响已被研究19,34，并被发现可以提高CNT在NH 3 、NO 2 和H 2 检测中的性能。
表面和接口
官能化石墨烯的有前途的方法之一是将杂原子掺入碳SP2晶格中，因为事实证明，它是一种可控制地调整石墨烯化学的有效且通用的方法。我们提出了与B掺杂剂选择性掺杂石墨烯的独特无污染方法，在标准的CVD生长过程中，它们从大部分Ni（111）单晶体中创建的储层中掺入一层，从而导致清洁，多功能和有效的方法用于创建B-poped Chapeene。我们结合了实验性（STM，XPS）和Theo Retical（DFT，模拟的STM）研究，以了解替代性B DOP蚂蚁的结构和化学性质。与先前报道的FCC位点中的替代B一起，我们首次观察到另外两个缺陷，即在顶部位点中替代B，而在八面体地下位点中的间隙B。广泛的STM在遗迹中证实存在于经过准备的B掺杂的Gra Phene中B掺杂剂的低浓度区域的存在，表明硼龙掺入不均匀。在两个替代部位之间，在低浓度的B掺杂区域中没有观察到偏好，而在高B浓度区域中，优先选择了Sublattices之一，以及缺陷的对准。这将在生长的B掺杂石墨烯中产生不对称的sublattice掺杂，从理论上讲，这将导致显着的带隙。
碳和硅杂质缺陷
摘要：硝酸盐（GAN）中的缺陷单光子发射器（SPE）近年来由于其提供的优势而引起了人们的关注，包括在室温下操作，狭窄的排放线宽和高亮度。尽管如此，由于可能在GAN中形成的许多潜在缺陷，单光子发射机制的确切性质仍然不确定。在这项工作中，我们对从头算计算进行的系统研究表明，碳和硅作为氮化碳中的常见掺杂剂可以与GAN中的固有缺陷相互作用，并形成新的高速缺陷单光子来源。我们的发现确定了三元缺陷n ga v n c n，其寿命短于1 ns，而小零光子线（ZPL）为864 nm。换句话说，此缺陷可以用作短波长窗口中的高速单光子源进行纤维通信。在尖锐的对比度中，Si支持的缺陷N GA V n Si N具有较高的无占缺陷能水平，该缺陷能水平进入传导带，因此不适合单个光子发射。已经对潜在的缺陷，热稳定性和单光子发射特性进行了系统的研究。分别采用了perdew-burke-ernzerhof交换相关功能和HEYD-SCUSERIA-ERNZERHOF交换相关功能的放松计算和自洽计算。这些发现表明了通过碳或硅掺杂剂的高性能单光子来源的潜力。
退火对铁、钴离子掺杂硅表面晶体结构的影响
摘要：本文报告了应用卢瑟福背散射光谱 (RBS) 研究硅中植入的铁和钴原子的分布曲线随辐射剂量和退火温度变化的结果。研究了热退火对铁、钴，特别是氧的分布的影响。作者强烈建议，在某些热处理条件下，通过施加特定的辐射剂量，所谓的外延硅化物将在单晶表面形成，这些硅化物可以起到导电层或金属层的作用。可以考虑使用 RBS 方法来分析掺杂剂的拓扑分布和杂质的相互作用。关键词：杂质、分布、影响、热退火、植入原子、薄层、深度、辐射剂量、结构、薄膜 ________________________________________________________________________________________ 1. 简介
碳覆盖材料在高温退火过程中对
关键词：离子注入、SiC、封盖、碳、退火。摘要本研究报告了一项广泛的研究，研究了离子注入 SiC 材料高温退火过程中使用的封盖材料对表面粗糙度和质量、掺杂剂分布和扩散以及晶体缺陷的影响。本研究调查了化学气相沉积 (CVD)、物理气相沉积 (PVD) 和热解光刻胶 (PR) 碳封盖材料。CVD 碳层（也称为高级图案化膜 (APF®)）是使用 Applied Producer® 沉积的。引言 在加工碳化硅 (SiC) 晶片以制造功率 MOSFET 和二极管 [1] 等微电子器件的过程中，离子注入后在衬底晶片顶部沉积一层保护层，以防止 Si 升华和台阶聚束形成以及其他表面缺陷的出现 [2, 3, 4]，从而保持表面质量，这些缺陷发生在激活 SiC 中掺杂剂所需的高温退火步骤中 [5]。这项工作研究了在这种高温退火过程中使用的保护性覆盖材料对表面和块体材料质量的影响。实验细节 在高温 (500 ˚C) 下用铝离子注入样品，铝离子以 180 keV 和 2.5E15 离子/cm2 的剂量加速，以便在约 0.2 微米深度处实现约 2E20 离子/cm3 的峰值浓度。然后用不同的碳基材料覆盖样品，然后在 1800˚C 下退火 30 分钟。然后用 O2 灰分去除保护盖，随后进行清洁和擦洗，然后进行原子力显微镜 (AFM)、在 SICA 工具上实现的表面和体光致发光 (PL) 以及二次离子质谱 (SIMS)。结果我们报告了模拟和 SIMS 显示的铝注入后轮廓之间的出色一致性
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●一些减少危害的专业人员和PWUD表示需要公众更好地理解有毒的不受管制的药物供应，以帮助将与二甲苯相关的危害背景下。由于不受管制的市场没有质量控制，因此新的掺假剂的引入是恒定的，快速且不可预测的。18,19这使甲基嗪成为增加对PWUD风险和危害的众多物质之一，并且可能会随着时间的推移将其他污染物代替。这也使减少伤害服务很难保持或领先新的掺假剂。提高人们对这些更广泛的动态的认识可以帮助发展对木嗪和未来掺杂剂的周到反应。摘要和含义
缩回：盐度水平对布哈拉地区灌溉土壤中某些微生物的某些生理群的影响
属于属于生理组的微生物具有相似的功能并参与特定活动。重要的土壤微生物是参与氮固定，植物残留降解，硝化，氨化和硝化过程的微生物。它们主要属于细菌的分类类别。它们是在具有选择性进食的特定设置中找到的。，氨磷酸盐占据了最重要的占主导地位。氨餐剂确保通过参与氨化过程来保留氮的有机分子形成铵。肉肽琼脂用于培养和量化氨掺杂剂。此外，还进行了培养基中所有微生物的普查。因此，在上一章中，还以牺牲细菌为代价考虑了氨云母。