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World File Search System插入损耗
105°C 温度下的合格 MPO 连接器可支持 OBO、NPO 和 CPO 应用
受高温环境影响。而如果环氧树脂达到玻璃化转变温度，光纤高度可能会在高温下发生变化。这种现象称为光纤拔出。据报道，在热老化和热循环过程中，配对连接器的光纤高度变化最为显著 [4, 5]。光纤拔出可能会影响连接器的光学性能，例如 IL 和 RL。对 IL、RL 和光纤高度的监测对于本研究至关重要。光纤高度的通过/未通过区分基于 IEC 61755-3-32（见表 1）。在 0 度和 90 度负载下测量了 TWAL 插入损耗。由于测试跳线以裸带端接，因此在 0 度和 90 度均施加了 0.49 lbf。在测试跳线老化 2,000 小时后，使用如下图（图 1）的设置完成 TWAL。
1 GHz 偏置网络的分析与设计...
由于无线设备的各种应用，无线通信的带宽不断增加。射频功率放大器 (RFPA) 是收发器的关键组件之一。因此，为了满足带宽要求，需要宽带 RFPA。RFPA 不仅需要宽带匹配网络，而且更重要的是偏置网络。对于下一代通信系统，需要宽带偏置网络在宽 GHz 带宽范围内运行。本文使用四分之一波长传输线和蝶形短截线设计了功率放大器的宽带偏置网络，适用于 3.3 GHz 至 4.3 GHz 的频带。Roger 的 RO3006 用作偏置网络设计的基板。设计的网络在所需的频率范围内表现良好。偏置网络的性能显示回波损耗为 9 dB 至 19 dB，射频 (RF) 隔离度超过 35 dB，插入损耗为 0 dB 至 1.5 dB。该宽带偏置网络可用于下一代通信系统。
抛物面介质反射器，用于宽带宽的极端片上光斑尺寸转换
光斑转换器是实现不同尺寸波导间光高效耦合的关键。虽然绝热锥形非常适合小尺寸差异，但当扩展因子达到 × 100 左右时，它们会变得太长，这在耦合集成波导和自由空间光束时通常需要。在这种情况下可以使用衰减耦合器和布拉格偏转器，但它们的操作本质上受到带宽的限制。这里，我们提出了一种基于抛物面电介质界面的解决方案，该界面将光从 0.5 µ m 宽的波导耦合到 285 µ m 宽的波导，即扩展因子为 × 570 。我们通过实验证明了前所未有的超过 380 nm 的带宽，插入损耗低于 0.35 dB 。此外，我们提供了针对任意扩展因子设计此类抛物面光斑转换器的解析表达式。
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特性：1. 符合 IEEE 802.3 和 ANSI X.3.263 标准，包括 350uH OCL 和 8mA 偏压 2. 设计用于 230 ± 5 o C 温度下的回流焊接 3. 体积小巧，适用于空间最受限的应用 4. 匝数比公差：± 5% 5. 工作温度：-40 o C 至 +85 o C 电气规格 @25 o C：1. OCL：350uH 最小 100KHz，0.1Vrms，8mA 引脚（1-3），引脚（6-8） 2. 匝数比公差：± 3%，引脚（1-3）：（16-14），引脚（6-8）：（11-9） 3. 原始 DCR：0.9 Ω 最大引脚（9-11），引脚（14-16）4. LL：0.4uH 最大值。引脚（1-3），引脚（6-8）1MHz，1Vrms 5. Cw/w：35pF 最大值。Pri. 至 Sec. 1MHz，1Vrms 6. 插入损耗：-1.1dB 最大值 @ 0.10--100MHz
测试与测量应用与设计指南
在 CarlisleIT，还使用 VNA 和/或 PNA 测试电缆组件在弯曲和屈曲过程中的相位、损耗和阻抗变化。使用几种尺寸的心轴缠绕柔性组件并重新测试相位变化。使用双心轴屈曲夹具上的 1 英寸心轴进行高应力屈曲循环测试。调整张紧器以获得 1 磅的等效拉力，或在电缆的一端连接 1 磅重的重物，然后将待测电缆安装在测试夹具上。电缆在心轴周围屈曲 500 次 +/- 90 度。然后将电缆从夹具中取出并测量插入损耗、VSWR 和相位。结果发现在规定的限度内。以 500 为增量重复上述过程，直至 2,000 次循环，然后以 1,000 为增量重复，直至总共 10,000 次循环，前提是 AUT 的电气性能没有明显下降（500、1000、1500、2000、3000、4000、5000、10000）。
Edinger , P. , Takabayashi , A Y. , Errando-Herranz , C. , Khan , U. , Sattari , H. 等人。 (2021) 用于 SC 的硅光子微机电移相器
可编程光子集成电路正成为量子信息处理和人工神经网络等应用的一个有吸引力的平台。然而，由于商业代工厂缺乏低功耗和低损耗的移相器，目前的可编程电路在可扩展性方面受到限制。在这里，我们在硅光子代工平台 (IMEC 的 iSiPP50G) 上展示了一种带有低功耗光子微机电系统 (MEMS) 驱动的紧凑型移相器。该设备在 1550 nm 处实现 (2.9 π ± π) 相移，插入损耗为 (0.33 + 0.15 − 0.10) dB，V π 为 (10.7 + 2.2 − 1.4) V，L π 为 (17.2 + 8.8 − 4.3) µ m。我们还测量了空气中的 1.03MHz 的驱动带宽 f − 3 dB。我们相信，我们在硅光子代工厂兼容技术中实现的低损耗和低功耗光子 MEMS 移相器的演示消除了可编程光子集成电路规模化的主要障碍。© 2021 美国光学学会
集成在硫属化物玻璃波导中的石墨烯基偏振无关中红外电吸收调制器
摘要 提出了一种偏振不敏感的石墨烯基中红外光调制器，由SiO 2 /Ge 23 Sb 7 S 70 组成，其中嵌入了两层石墨烯，采用半椭圆布局，以支持具有相同吸收率的横磁 (TM) 和横电 (TE) 偏振模式。偏振无关调制器的关键性能指标是偏振灵敏度损耗 (PSL)。我们器件的波导只支持基本的 TE 和 TM 模式，两种模式之间的 PSL < 0.24 dB。该模型可以提供大于 16 dB 的消光比 (ER) 和小于 1 dB 的插入损耗。工作光谱范围为 2 至 2.4 μm，光学带宽为 400 nm。根据理论计算，3 dB 调制带宽高达 136 GHz。关键词：硫属玻璃，石墨烯，中红外，光调制器，偏振不敏感
紧凑型宽带悬浮硅光子定向耦合器
定向耦合器广泛用于光子集成电路，作为高效片上光子信号路由的基本元件。传统上，定向耦合器完全封装在该技术的波导包层材料中。在本文中，我们展示了一种紧凑的宽带定向耦合器，它完全悬浮在空气中，并在交叉状态下表现出高效的功率耦合。该耦合器是基于 IMEC 的 iSiPP50G 标准平台设计和制造的，基于水氟 (HF) 蒸汽蚀刻的后处理允许释放独立组件。实验证实了 λ = 1560 nm 时的低插入损耗 0.5 dB 和 λ = 1550 nm 时的 1 dB 带宽 35 nm。该定向耦合器体积小巧，仅为 20 µ m × 30 µ m，机械稳定性高，可作为大规模硅光子微机电系统 (MEMS) 电路的基本构建模块。© 2020 美国光学学会
基于 TSV 的发夹带通滤波器，适用于 6G 移动...
摘要 针对第六代（6G）移动通信应用，提出了三种新型五阶超紧凑发夹带通滤波器。发夹单元的臂采用三维集成技术（TSV）实现，部分发夹单元由四个臂组成。本文介绍了这三种滤波器的设计方法，并通过基于有限元法的工业级仿真器HFSS验证了滤波特性。结果表明:所设计的三个滤波器的中心频率分别为0.405 THz、0.3915 THz、0.3955 THz,带宽分别为0.1 THz、0.077 THz、0.063 THz,插入损耗为2.0 dB,回波损耗分别为12.4 dB、13.4 dB、14 dB。所设计的三个滤波器的尺寸均为0.284×0.0325 mm2(1.29×0.148λg2)。关键词:第六代(6G)移动通信、太赫兹(THz)频段、发夹带通滤波器、硅通孔(TSV)分类:电子器件、电路和模块(硅、化合物半导体、有机和新材料)
硅光子微电力机电相位变速器可扩展可编程光子学
可编程的光子集成电路正在成为量子信息处理和人工神经网络等应用的有吸引力的平台。但是，由于商业铸造厂缺乏低功率和低损耗相变的速度，当前可编程电路的尺度能力受到限制。在这里，我们在硅光子铸造厂平台（IMEC的ISIPP50G）上演示了具有低功率光子微电体系统（MEMS）的紧凑相位变速器。该设备在1550 nm处达到（2.9π±π）相移，插入损耗为（0.33 + 0.15 - 0.10）dB，AVπ为（10.7 + 2.2 - 1.4）V，和（17.2 + 8.8-4.3）的Lπ。我们还测量了空气中1.03 MHz的致动带f -3 dB。我们认为，我们对硅光子铸造型兼容技术实现的低损坏和低功率光子磁化相位变速杆的证明将主要的障碍提升到可编程光子集成电路的规模上。©2021美国光学协会根据OSA开放访问出版协议的条款