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World File Search System插入损耗
SPIE 会议纪要
在集总元件 (LE) 配置中驱动电光调制器可实现较小的占用空间、降低功耗并提高高速性能。传统直线 LE 调制器的主要缺点是需要较高的驱动电压，这是由于其移相器较短所致。为了解决这个问题，我们引入了一种具有蛇形移相器的 Mach-Zehnder 调制器 (M-MZM)，它可以在 LE 配置中驱动，同时保持光学移相器长度与行波调制器 (TW-MZM) 相同的数量级。需要考虑的设计限制是设备的光学传输时间，它限制了整体电光带宽。首先，我们回顾了与 TW-MZM 相比 LE 调制器的整体功耗改进以及带宽增强，同时还考虑了驱动器输出阻抗和线或凸块键合的寄生效应。然后，我们报告了使用标准 CMOS 兼容工艺在绝缘体上硅 (SOI) 晶片上制造的基于载流子耗尽的 M-MZM 的设计、实现和实验特性。制造的 M-MZM 具有低掺杂 (W1)、中掺杂 (W2) 和高掺杂 (W3) 结，需要 9.2 V pp、5.5 V pp 和 3.7 V pp 才能完全消光，光插入损耗分别为 5 dB、6.3 dB 和 9.1 dB。对于所有三个 M-MZM，使用 50 Ω 驱动器和终端电阻以 25 Gb/s 记录睁眼图。对于无终端电阻的 M-MZM，可以实现更高的数据速率，前提是将低输出阻抗驱动器通过引线或凸块键合到调制器上。最后，我们将 M-MZM 与 TW-MZM 的功耗进行比较，结果显示 M-MZM 在 25 Gb/s 时功耗降低了 4 倍。
传动和传动系统中的元素间耦合分析
图 7 - 单个元件的模拟增益与近似增益比较 .............................................................................. 16 图 8：3x3 阵列中的单个元件 .............................................................................................. 16 图 9：3x3 阵列中元件的增益模式，其余元件开路 ............................................................. 17 图 10：3x3 阵列中元件的增益，其余元件端接至 50Ω ............................................................. 18 图 11：5x5 阵列中的单个元件 ............................................................................................. 19 图 12：5x5 阵列中元件的增益模式，其余元件开路 20 图 13：5x5 阵列中元件的增益，其余元件端接至 50Ω ............................................................. 21 图 14：发送和接收元件模拟 ............................................................................................. 22 图 15：单个 Tx 和 Rx 元件的返回和插入损耗模拟 ............................................................................. 22 图16：全阵列几何结构 ................................................................................................ 23 图 17：Tx 和 Rx 元件的 S 参数，其他元件开路 ........................................ 24 图 18：Tx 和 Rx 元件的 S 参数，其他元件端接至 50Ω ........................................ 25 图 19：MatLab 程序的嵌套 FOR 循环片段 ............................................................. 27 图 20：回波损耗，中心频率 8.14 GHz ............................................................................. 33 图 21：Z-Smith 图，Z 1 =(50.42-0.08j)Ω ............................................................................. 33 图 22：回波损耗，中心频率 8.16 GHz ............................................................................. 34 图 23：Z-Smith 图，Z 1 =(51.67-3.92j)Ω ............................................................................. 34 图 24：回波损耗损耗，中心频率 8.15 GHz .............................................................................. 35 图 25：所有 S 参数 .......................................................................................................... 35 图 26：Z-Smith 图，Z 1 =(50.46-0.14j)Ω ...................................................................... 36 图 27：回波损耗，中心频率 8.16 GHz ............................................................................. 37 图 28：Z-Smith 图，Z 1 =(51.51-4.11j)Ω ............................................................................. 37 图 29：回波损耗，中心频率 8.15 GHz ............................................................................. 38 图 30：所有 S 参数 ............................................................................................................. 38 图 31：Z-Smith 图，Z 1 =(50.30+0.18j)Ω ............................................................................. 40
FS-6T
扬声器应采用双向表面贴装设计，带有内部无源分频器和 60W 低插入损耗 70/100V 变压器，用于恒压分布式线路。 6 英寸矿物填充聚丙烯低音扬声器，带丁基橡胶环绕和 1 英寸 (25 毫米) 钛圆顶，带磁流体冷却钕磁铁系统，应安装在专有注塑 ABS、防紫外线褪色外壳中。外壳的防尘防溅等级应超过 IEC60529 IP-65，防盐防潮等级应超过 Mil STD 810G。内置密封输入面板盖和粉末涂层铝格栅。扬声器颜色应为 RAL 9016（白色）或 RAL 9017（黑色）。设备应附带防滑 U 型支架，该支架的粉末涂层与外壳颜色相同。扬声器应具有可选的滚花球形接头云台安装系统，并带有快速连接/拆卸机制。扬声器应符合以下安全标准：CE。扬声器应满足以下性能规格：轴上系统频率范围应为 57 Hz 至 20 kHz （-10 dB）。在建议使用高通保护的全空间环境中，宽带灵敏度应为 89 dB（1m 处为 2.83 V）SPL。长期功率处理额定值为 EIA-426B 中定义的 80W。最大连续输出应为 108 dB SPL，最大峰值输出应为 114 dB SPL。标称覆盖模式应为 100 度锥形。变压器应具有 60W、30W、15W、7.5W（3.8W 70V）的功率抽头，外加 8 欧姆旁路，可使用机箱背面的滑动开关进行选择。扬声器 Euroblock 输入连接应允许直接连接到 70 伏、100 伏或低阻抗放大器。扬声器外形尺寸为 13.90" x 7.73" x 8.66" (353mm x 196mm x 220mm)，单位净重为 12.02lbs (5.45kg)，保修期为 5 年。扬声器为 Atlas + Fyne FS-6T 表面安装扬声器。
新闻稿
新系列增强了电信、军事和射频测试与测量客户可用的切换选项。加利福尼亚州霍桑市 – 2022 年 2 月 8 日 – Teledyne Relays 今天宣布推出新的宽温度范围、工作频率高达 18 GHz 的密封继电器。新的 RF131 和 GRF131 单刀双掷 (SPDT) 型号是非闩锁的，提供故障安全功能。新产品扩展了主要射频测试和电信市场可用的坚固选项。RF131 和 GRF131 非闩锁型号是对 Teledyne Relays 广受推崇的等效通孔 RF121 和表面贴装 GRF121 磁锁继电器的补充。新的机电开关的工作温度范围为 -55 至 +85 °C，整个密封为玻璃-金属密封，可为最具挑战性的环境提供高达 18 GHz 和 40 Gbps 数据速率的故障安全功能。 RF131 和 GRF131 均采用扩展的 Centigrid ® 封装，继承了 Teledyne Relay 微型 RF 继电器的传统，在接触系统的内部结构中融入精密传输线结构，以确保最佳 RF 性能、最小插入损耗和信号路径之间的高隔离度。每个继电器都可以配备 5 或 12 V 额定线圈，并具有防尘防污设计，预期寿命长达 200 万次。RF131 是通孔安装版本，可以切换高达 12 GHz 的频率并具有 20 Gbps 的信号完整性。RF131 配备标准镀金 .75 英寸引线，也可以订购焊接或符合 RoHS 标准的浸焊引线。与通孔解决方案相比，GRF131 具有独特的接地屏蔽，便于表面安装并扩展频率范围。这将 RF 能力提高到 18 GHz，信号完整性提高到 40 Gbps。 Teledyne Relays 全球销售与营销总监 Michael Palakian 表示：“这些继电器专为 RF 衰减器、RF 开关矩阵、高频扩频无线电、ATE 以及其他需要可靠高频信号保真度和性能的应用而设计。低功耗使其成为功率预算受限应用的理想选择。” 新产品现已接受订购。更多信息请访问我们的网站：RF 和信号完整性 (teledynedefenseelectronics.com)
将 MEMS 集成到硅光子学中
Niels Quack 副教授 航空机械与机电一体化工程学院微系统与纳米系统 悉尼大学 电子邮件：niels.quack@sydney.edu.au 摘要：光子集成电路利用单个芯片上大量光学元件的紧密集成。随着技术的成熟，大规模集成有望释放可编程集成光学、光子加速器、神经形态计算或量子光子集成电路等新兴概念的潜力。这种多功能光子集成电路从可扩展的单个相位和幅度控制单元数量中受益匪浅，此外还有用于光谱滤波、光电检测、高速调制、低损耗光学路由和耦合以及电气路由和接口的高性能组件。在光子集成电路的材料平台中，硅脱颖而出，因为它可以利用微电子行业的优化生态系统和高性能。在光子信号控制的物理效应中，纳米力学脱颖而出，因为它具有低光损耗、低功耗、紧凑的体积和同时在宽光谱范围内运行的特点。然而，虽然微机电系统 (MEMS) 通常用于消费电子产品，但它们在光子学中的大规模集成迄今为止仍被证明具有挑战性。在本次演讲中，我将概述在将硅光子 MEMS 扩展到大型电路方面取得的最新成就。我将总结基于 IMEC 先进的标准化硅光子 iSiPP50G 平台的 MEMS 集成，该平台是我们在欧洲 H2020 项目 morphic 中开发的。我们的晶圆级技术平台包括通过后处理实现的 MEMS 发布、通过晶圆键合实现的晶圆级密封以及通过倒装芯片键合和光纤连接实现的电气和光学接口。我将介绍使用 MEMS 可调环形谐振器的 MEMS 可调耦合器、开关、移相器和光谱控制的实验结果，并概述我们如何通过集成纳米机电压电执行器进一步扩展可编程光子学。我们的设备工作时驱动电压通常低于 30V，占用面积小于 100 x 100 μm2，插入损耗低至 < 0.3 dB，每台设备的电耗低至 1 nW，响应时间为 μs。我们在标准硅光子学中同时进行了低损耗、紧凑占用面积、宽带响应、低功耗和快速 MEMS 的里程碑式实验演示，使我们的技术特别适合需要超大规模光子集成的新兴应用，例如光子学计算或可编程光子学。