绝对最大额定值 如果需要军用、航空航天专用器件,请联系美国国家半导体销售办事处、分销商,了解供货情况和规格。 LM2900、LM3900 LM3301 电源电压 32 V DC 28 V DC g 16 V DC g 14 V DC 功耗 (T A e 25 � C)(注 1) 模压 DIP 1080 mW 1080 mW S�O� 封装 765 mW 输入电流 � I IN a 或 I IN b 20 mA DC 20 mA DC 输出短路持续时间 � 一个放大器 连续 连续 T A e 25 � C(参见应用提示) 工作温度范围 b 40 � C 至 a 85 � C LM2900 b 40 � C 至 a 85 � C LM3900 0 � C 至 a 70 � C 存储温度范围 b 65 � C 至 a 150 � C b 65 � C 至 a 150 � C 引线温度(焊接 10 秒) 260 � C 260 � C 焊接信息 双列直插式封装焊接(10 秒) 260 � C 260 � C 小型封装气相(60 秒) 215 � C 215 � C 红外线(15 秒) 220 � C 220 � C 有关焊接表面贴装设备的其他方法,请参阅 AN-450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”。 ESD 耐受性(注释 7) 2000V 2000V
出于您的人身安全、产品寿命和产品责任的考虑,我们想强调以下几点的重要性。请勿在潮湿的地方或附近使用放大器 请勿将放大器存放在潮湿的地方 请勿在放大器后面板指定电压以外的电压下操作放大器。请勿打开放大器的面板。里面没有用户可维修的部件。您的 Einstein 在非常高的内部电压下运行,在放大器关闭并断开连接一段时间后,这些电压可能仍然存在。请勿将放大器用于其设计用途以外的任何用途:放大电吉他信号 请勿使用放大器专用和指定的保险丝以外的保险丝 请勿为此设备使用 2 芯延长线或 3 极接地插座以外的任何设备。您的生命可能取决于它!
图形符号说明...................................... 2 图形符号说明 Erklärung der Bildsymbole Explicación de símbolos 目录 ..... .. ................................................. 3 目录 Inhaltsverzeichnis Tabla de las materias符合性声明 ................................................ 4 符合性声明 Konformitätserklärung Declaración de Conformidad介绍 ................................................. .. 5–8 前言 简介 前面板 .................................................................. ......................7 前面板 Vorderseite 前面板 后面板 .................................. ................................................ 8 后面板 Rückseite 面板后部功能和设置..................................................9– 16 特征及其用途 AUSSTATTUNG & EINSTELLUNGEN调整和特性 削波限制 ................................................ ......................9 削波限制器 削波限制器 Limitador de picos 输入滤波器 ....................... . ...................................................... 10 滤波器输入 Eingangsfilter 输入滤波器并行输入模式....................................................... ..11 并行输入模式 Eingangsparallelschaltung 并行输入模式 桥接单声道模式 .................................................. .. ..............13 单声道桥接模式 Monobrückenbetrieb Modo puenteado en mono 立体声、并行输入和桥接单声道模式之间有什么区别?........................................ . ...................15 立体声、并行和桥接模式有何区别?Unterschiede zwischen 立体声、并行和单声道模式 立体声、并行输入和桥接单声道模式之间有什么区别?
Tekbox提供了一个完整的解决方案,用于负担得起的预定率进行免疫测试:耦合解耦网络以及合适的校准适配器和150欧姆过渡; BCI探针,合适的调制宽带功率放大器和Emcview Pro软件。带有跟踪生成器的第三方频谱分析仪用作信号源。TBMDA-BCI25调制放大器提供了必要的带宽和调制,用于使用ISO 11452-4在1 MHz至400 MHz的频率范围内使用BCI探针进行的免疫测试。它的设计是由信号发生器或跟踪频谱分析仪的发电机驱动的。在1 MHz至400 MHz的频率范围内,具有1 dB压缩点的1 dB压缩点,它可以将测试水平生成至II级的测试水平,并使用AM和IV级使用CW。内置的AM / PM-调制器允许使用跟踪生成器作为信号源。TBMDA-BCI25具有足够的增益,可以使用Spectrum Analyzer跟踪生成器提供的0 dBM实现最大输出功率。除了1 kHz,80%AM外,TBMDA-BCI25还提供了内置的调制能力,以产生1 kHz,50%占空比PM信号。在PM模式下,TBMDA-BCI25还可以生成217 Hz信号,其占空比为12.5%,以模拟手机TDMA噪声。
所有 DIGAM 放大器均安装在标准 19 英寸机架中。提供四个前面板安装孔。您的 DIGAM 放大器使用从前到后的强制风冷系统来保持较低且均匀的工作温度。空气由内部风扇吸入,流经前面板上的插槽并穿过组件。DIGAM 系列放大器具有“智能”变速直流风扇,该风扇由散热器温度传感电路控制:只有当任一散热器的温度需要时,风扇速度才会增加,从而将风扇噪音降至最低并有助于减少内部灰尘堆积。在极端热负荷下,风扇将迫使大量空气通过散热器。如果任一散热器过热,其传感电路将降低输出增益。如果放大器过热,另一个传感电路会关闭其电路以切断电源,直到其冷却到安全温度。排气冷却空气被迫通过底盘后部排出,因此请确保放大器侧面有足够的空间让空气逸出。如果是机架安装,请确保排气可以无阻力流动。如果您使用的是背面封闭的机架,则每四个放大器在机架前部必须至少有一个标准机架空间开口。放大器可以直接堆叠在一起(设备之间不需要空间),从机架底部开始。操作注意事项
本微波频率半导体放大器和振荡器数据表格由美国国家标准局电子器件数据服务处编制。该服务处成立于 1948 年,旨在向该局工作人员提供电子管技术数据,后来服务范围扩大到政府和工业界的其他科学家和工程师。在此项目实施过程中,大量有关电子管和半导体器件的信息被积累在穿孔卡片上。为了使这些信息更容易获得,设计了一个系统,能自动将数据制成手册。目前的表格包括《微波管数据表格》,NBS 手册 104(1967 年);《接收管数据表格》,NBS 手册 103(1967 年);《东欧电子器件数据表格》,NBS 报告 9925(1968 年);以及《截至 1967 年 10 月苏联电子设备已出版数据汇总》,NBS 技术说明 441,目前正在更新。
在图4,M1和M2的电路中是N型MOS晶体管,M3和M4是P型MOS晶体管。这些晶体管在CMOS拓扑中配置差分放大器,以最大程度地减少功率消耗[6]。偏置电路是由编程电流(I Ref)控制的镜电路(M5和M6),可为差分和通用源放大器提供适当的偏置电流。补偿电路涉及频率补偿的技术,其中使用这些技术的目的是避免产生正面反馈的意外创建,从而导致Op-Amp输出中的振荡并控制对单位步骤功能的响应[7]。频率补偿技术包括磨坊主补偿技术,无效电阻技术以及电压缓冲液或电流缓冲技术。
摘要:本文介绍了为对全差分放大器(FDDA)原型芯片样品进行实验评估而开发的测量电路和测试板。被测设备(DUT)是采用130nm CMOS技术设计和制造的超低压、高性能集成FDDA。FDDA的电源电压为400mV。在带有制造的FDDA芯片的测试板上实现了测量电路,以评估其主要参数和特性。在本文中,我们重点评估以下参数:输入失调电压、共模抑制比和电源抑制比。开发并验证了测试板。测得的测试板误差为38.73mV。FDDA的失调电压为-0.66mV。测得的FDDA增益和增益带宽分别为48dB和550kHz。除了测量板外,还开发了一个图形用户界面,以简化测量期间对被测设备的控制。