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地穴居住在林奇综合征小鼠模型
图1肿瘤的发病率和大肠肿瘤多样性。dko的小肠（SB）和大肠（lb）中的肿瘤数量（n常规外壳= 9; n spf = 19），msh2 loxploxp vil-cre（n常规住房= 12; n spf = 9; n spf = 9）和IL-10- / iL-10- / sss spf = 12 n-s spf = 10 n = 10 n mm = 10 = 10 10; 32-34周龄。 a，肿瘤的发病率是SB和/或LB肿瘤的小鼠数量。 b，LB肿瘤的发病率，近端和/或远端的LB肿瘤。 C，LB的癌发病率。 在Lb中的肿瘤多重性（d），（e）在近端结肠中和远端结肠中的（f）。 g，来自不同住房条件的H＆E染色的小鼠的染色的组织学切片（比例尺：低放大图像500μm；高放大图像：100μm）的腺瘤（顶部面板）和癌（底面板）的代表性图像。 统计分析：Pearson的发病率测试；独立样品Mann-Whitney U检验比较两组之间的肿瘤多样性； * p <.05，** p <.01，*** p <.001dko的小肠（SB）和大肠（lb）中的肿瘤数量（n常规外壳= 9; n spf = 19），msh2 loxploxp vil-cre（n常规住房= 12; n spf = 9; n spf = 9）和IL-10- / iL-10- / sss spf = 12 n-s spf = 10 n = 10 n mm = 10 = 10 10; 32-34周龄。a，肿瘤的发病率是SB和/或LB肿瘤的小鼠数量。b，LB肿瘤的发病率，近端和/或远端的LB肿瘤。C，LB的癌发病率。 在Lb中的肿瘤多重性（d），（e）在近端结肠中和远端结肠中的（f）。 g，来自不同住房条件的H＆E染色的小鼠的染色的组织学切片（比例尺：低放大图像500μm；高放大图像：100μm）的腺瘤（顶部面板）和癌（底面板）的代表性图像。 统计分析：Pearson的发病率测试；独立样品Mann-Whitney U检验比较两组之间的肿瘤多样性； * p <.05，** p <.01，*** p <.001C，LB的癌发病率。在Lb中的肿瘤多重性（d），（e）在近端结肠中和远端结肠中的（f）。g，来自不同住房条件的H＆E染色的小鼠的染色的组织学切片（比例尺：低放大图像500μm；高放大图像：100μm）的腺瘤（顶部面板）和癌（底面板）的代表性图像。统计分析：Pearson的发病率测试；独立样品Mann-Whitney U检验比较两组之间的肿瘤多样性； * p <.05，** p <.01，*** p <.001
放大后诊断：模仿医生阅读习惯的多标签分类模型来诊断脑部疾病
图 1：有些疾病很容易误诊，这需要观察和考虑相邻的图像。在这张 CT 扫描中，我们需要观察相邻的图像来区分出血点或钙化。如果不放大图像，很容易忽略硬膜下出血。
电沉积金属有机框架，朝着离子液体中的出色氢传感
图3。（a）XRD和（b）扫描电子显微镜（SEM）图像在GC电极上进行电沉积的Hkust -1，在施加-1.4 V与AG/AGCL的恒定电势持续7200 s时。倒角立方体的平均直径为855±65 nm。图（b）显示了稍微放大的图像，图（C-D）显示了电极上不同位置的放大图像。
电沉积金属有机骨架在离子液体中实现优异的氢传感
图 3. (a) XRD 和 (b) 扫描电子显微镜 (SEM) 图像，在 GC 电极上电沉积 HKUST-1，施加 -1.4 V 的恒定电位（相对于 Ag/AgCl）7200 秒。倒角立方体的平均直径为 855 ± 65 nm。图 (b) 显示略微缩小的图像，图 (cd) 显示电极上不同位置的放大图像。
计算机在太空探索中的作用
计算机借助大型望远镜，可以捕捉行星、地球、月球、小行星、恒星、彗星、星系、其他天体以及宇宙中未知物质的高质量图像。数码摄影改变了天文学的方式，因为我们可以改变图像和颜色，使用滤镜和卫星信息来更清晰地查看图像。我们可以放大图像，看到比肉眼更多的内容。著名的哈勃太空望远镜由美国宇航局于 1990 年发射，在计算机的帮助下，它继续向地球传输数以千计的宇宙图像。如果计算的话，我们每周从哈勃望远镜获得的数据有 120 千兆字节。
用于运动的响应式光子纳米机器人群
在静磁场（H）下将 Fe 3 O 4 @PVP NPs 与吸收的单体一起混合形成纳米粒子链；（iii）紫外线引发单体凝胶化并在纳米粒子链上形成响应性水凝胶壳。bg pH-RPNR 的表征。Fe 3 O 4 @poly(AA-co-HEA) pH-RPNR 的光学显微镜（b、c）、SEM（d）和 TEM（e）图像、FT-IR 光谱（f）和磁滞回线（g）。b、d 和 e 中的插图描绘了相应的高度放大图像。c 中的插图给出链长分布的直方图。
科学活动：细菌使我恶心！
1。使用眼睛震荡，让每个学生在安全别针的底部环上放一滴水。这种膨胀的水滴充当镜头。2。将此镜头非常接近图片，它将放大图像（即构成杂志图片的点）。如果它与图片更远（或中间的水滴比边缘更薄），则滴将使图像看起来更小。要获得最佳效果，请直视最大的水凸起。有益的细菌关键词：细菌，有益，酸奶，培养概念：某些细菌是有益的。许多细菌是有益的。一个例子是酸奶，它是细菌生长产生的食物 - 保加利亚乳酸乳杆菌和嗜热链球菌。为了制作酸奶，需要活跃的培养物。材料：普通酸奶（确保其包含活性酸奶培养的容器状态），牛奶，牛奶，温度计，热量源，夸脱罐，带紧密密封的夸脱罐：div>
支持信息纳米级横向 p–n ...
图 S1。石墨烯/ -RuCl 3 器件制造。(A) 石墨烯/ - RuCl 3 器件组装的四个步骤图。在第一步中，使用 PC 涂层玻璃载玻片拾取 SiO 2 /Si 基板上剥离的 - RuCl 3。在第二步中，使用 -RuCl 3 /PC 转移载玻片拾取剥离的石墨烯。在第三步中，翻转转移载玻片并将 PC 从玻璃载玻片上分层并放置在 SiO 2 /Si 芯片上。在最后一步中，使用微焊接方法将铟触点沉积在器件上。1 (B) 石墨烯/ - RuCl 3 器件的光学图像，其中石墨烯以红色勾勒出轮廓， -RuCl 3 以绿色勾勒出轮廓。(C) (B) 中所示堆栈的高对比度放大图像。 （D）沉积铟触点后的石墨烯/-RuCl 3 器件的光学图像。
罗伯特·科赫（Robert Koch）是德国医师和微生物学家。
原理：复合显微镜具有透镜的组合，可以增强放大力和分辨能力。要检查的样品或物体通常安装在透明的载玻片上，并位于冷凝器镜头和客观镜头之间的试样阶段。从底座上的一束可见光束由冷凝器透镜聚焦到样品上。物镜镜头拾取样品传递的光，并创建了称为主管内主图像的样品的放大图像。此图像再次被眼镜镜头或目镜放大。当需要更高的放大倍率时，低功率聚焦后旋转鼻子，以使较高功率（通常为45倍）的目标与幻灯片的照明部分保持一致。偶尔需要很高的放大倍数（例如观察细菌细胞）。在这种情况下，采用了油浸入物镜（通常为100倍）。公共光显微镜也称为明亮场显微镜，因为在明亮的磁场中产生了图像。图像看起来更暗，因为标本或物体比周围环境更密集并且有些不透明。通过或物体的光的一部分被吸收。应用：复合显微镜在各个领域广泛用于一系列应用，因为它们可以放大小样品以仔细观察。化合物显微镜的一些最常见的应用是：
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)