摘要 本研究研究了单晶碲化镉半导体与气体放电等离子体接触时的物理特性。结果表明,等离子体中的载流子与入射红外辐射一起有助于增强气体放电室中的光电流。在气体放电室中电压足够高(超过 2.5 kV)时,可以观察到与等离子体对半导体表面的影响相关的正反馈。理论计算结果和实验经验的结果非常吻合,由此确定了比例系数的物理意义,同时考虑了等离子体对光电探测器光电导的影响。双等离子体接触的使用有助于抑制气体放电室中光电流的空间不稳定性,从而允许在器件输入端使用低电阻光电探测器。首次在单晶碲化镉的基础上在室温下获得了类似的结果。关键词:气体放电电池、碲镉、气体放电等离子体、光电导率、光电滞后、红外摄影。 PACS 编号:95.85.Bh、72.20.-i 收到: 修订: 接受: 发布:2024 年 9 月 16 日 2024 年 10 月 18 日 2024 年 10 月 22 日 2024 年 12 月 26 日 1. 简介
• 快流、高功率辉光放电室 - 高溅射率缩短分析时间 - 卓越的灵敏度 • 先进的双聚焦质谱仪 - 高离子传输率和低背景噪声带来无与伦比的信噪比,实现亚 ppb 级检测限 - 高质量分辨率带来最高选择性和准确度:获得无可争议的分析结果的先决条件 • 超过 12 个数量级的自动检测系统 - 由于全自动检测器的线性动态范围超过 12 个数量级,因此可以在一次扫描内测定超痕量和基质元素 - 直接测定 IBR(离子束比)定量的基质元素 • 先进的软件套件,提高工作效率和易用性 - 所有参数的全计算机控制 - 全自动调谐、分析和数据评估 - LIMS 连接,具有自动数据传输 - 远程控制和诊断 - Microsoft ® Windows ® XP 操作系统
(DC-GDPAU)是一个直流辉光放电等离子体实验,由艾因夏姆斯大学(埃及)物理系设计、建立和运行。该实验的目的是通过将印刷电路板(PCB)暴露于等离子体来研究和改善它的某些特性。该装置由圆柱形放电室组成,其中固定有可移动的平行圆形铜电极(阴极和阳极)。它们之间的距离为12厘米。该等离子体实验在氩气的低压范围(0.15 - 0.70 Torr)下工作,最大直流电源为200 W。在两个电极之间每厘米处测量和计算了等离子体的帕申曲线和电等离子体参数(电流、伏特、功率、电阻)。此外,使用双朗缪尔探针获得了不同径向距离下的电子温度和离子密度。电子温度(KT e )保持稳定在6.58至10.44 eV范围内;而离子密度(ni )范围为0.91×10 10 cm −3 至1.79×10 10 cm −3 。采用数字光学显微镜(800倍)比较等离子体暴露前后对电路布局成形的影响。实验结果表明,等离子体暴露后电导率增加,铜箔表面的粘附力也有所改善。电导率的显著增加与样品表面的位置以及暴露时间直接相关。这表明所获得的结果对于开发用于不同微电子设备(如航天器上的设备)的PCB制造非常重要。