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World File Search System散热器
适用于专业应用的数字音频放大器 - Powersoft
所有 DIGAM 放大器均安装在标准 19 英寸机架中。提供四个前面板安装孔。您的 DIGAM 放大器使用从前到后的强制风冷系统来保持较低且均匀的工作温度。空气由内部风扇吸入，流经前面板上的插槽并穿过组件。DIGAM 系列放大器具有“智能”变速直流风扇，该风扇由散热器温度传感电路控制：只有当任一散热器的温度需要时，风扇速度才会增加，从而将风扇噪音降至最低并有助于减少内部灰尘堆积。在极端热负荷下，风扇将迫使大量空气通过散热器。如果任一散热器过热，其传感电路将降低输出增益。如果放大器过热，另一个传感电路会关闭其电路以切断电源，直到其冷却到安全温度。排气冷却空气被迫通过底盘后部排出，因此请确保放大器侧面有足够的空间让空气逸出。如果是机架安装，请确保排气可以无阻力流动。如果您使用的是背面封闭的机架，则每四个放大器在机架前部必须至少有一个标准机架空间开口。放大器可以直接堆叠在一起（单元之间不需要空间），从机架底部开始。
CS9N90 AKRD-G Silicon N-Channel Power MOSFET
europroup的Rohs。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS16N65F A9H硅N通道功率MOSFET
Europroup的Rohs。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS4N65F A9R
Europroup的Rohs。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
CS150N03 A8
europroup的Rohs。警告1。超过设备在性能中的最大评级可能会损坏设备，甚至可能影响机器的可靠性。建议使用设备最大等级的80％使用。2。安装散热器时，请注意扭转时刻和散热器的平稳性。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。
专业应用的数字音频放大器 - Powersoft
所有 DIGAM 放大器均安装在标准 19 英寸机架中。提供四个前面板安装孔。您的 DIGAM 放大器使用从前到后的强制风冷系统来保持较低且均匀的工作温度。空气由内部风扇吸入，流经前面板上的插槽并穿过组件。DIGAM 系列放大器具有“智能”变速直流风扇，该风扇由散热器温度传感电路控制：只有当任一散热器的温度需要时，风扇速度才会增加，从而将风扇噪音降至最低并有助于减少内部灰尘堆积。在极端热负荷下，风扇将迫使大量空气通过散热器。如果任一散热器过热，其传感电路将降低输出增益。如果放大器过热，另一个传感电路会关闭其电路以切断电源，直到其冷却到安全温度。排气冷却空气被迫通过底盘后部排出，因此请确保放大器侧面有足够的空间让空气逸出。如果是机架安装，请确保排气可以无阻力流动。如果您使用的是背面封闭的机架，则每四个放大器在机架前部必须至少有一个标准机架空间开口。放大器可以直接堆叠在一起（设备之间不需要空间），从机架底部开始。操作注意事项
用于热能收集特性的加热岛测试台
电子邮件：bouraa@fel.cvut.cz 注释：本文介绍了热电发电机（TEG）的特性测试台。它本质上是一个加热岛，由恒定电源供电，并利用热电发电机将能量回收至有用负载。该测试模拟了 TEG 的实际应用，即收集某些设备的废弃能量并将其用于为传感器节点供电。冷侧被认为处于室温，可以使用不同的散热器进行测试。摘要：本文介绍了一种用于热电发电机（TEG）特性测试的测试台。它本质上是一个由恒定功率供电的加热岛，并使用热电发电机将能量收集回到有用负载中。该测试模拟了 TEG 的实际应用，即收集设备产生的废弃能量并将其用于供电等。物联网节点。热电发电机的冷侧使用散热器维持在室温下，散热器可根据预期用途进行选择。
CS150N04 A8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS1404 A8 硅 N 沟道功率 MOSFET - prom.st
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。