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World File Search System数对
引用该文档Gulcemal，Tuba（2020）。人类发展指数对发展中国家GDP的影响：小组数据Anaysis。 Econo杂志
抽象目的 - 本研究的主要目的是测试人力和物理资本对GDP的影响。这项研究旨在通过使用总固定资本形成作为物理资本指标和教育支出，出生时的预期寿命作为人力资本指标来实现这一目标 - 本研究旨在通过使用16个发展中国家的16个发展中国家在1990年期内使用16个发展中国家的GDP的长期影响，以确定物理和人类资本对GDP的长期影响。在既定模型中，增长（GDP）是因变量，人类发展指数（HDI），通货膨胀（INF），政府资本，ODA被代理为官方发展助理，投资（INV）作为外国直接投资和劳动力（LAB）作为独立和控制变量。采用随机和固定效应估计技术来分析和评估经济增长与人类发展指数之间的重要性关系。发现 - 根据测试结果，人类发展支持经济增长。可以注意到，通货膨胀是显着的，并且与我们的样本和时期的经济增长和发展具有负相关关系。可以记录到，劳动（实验室）具有重要意义，并且与经济增长呈正相关。政府资本（GC）被认为与增长（GDP）呈正相关，并且也很重要。结论 - 研究的主要发现和结果表明，人类发展对发展中国家经济增长和发展的积极和重大影响。JEL代码：0150，0160，047这项研究采用人类发展指数作为关注的主要变量，GDP被认为是通货膨胀，资本总额，外国直接投资和劳动力作为控制变量的因变量。这项研究还提出了这样的发现，即劳动与大多数研究人员所记录的那样，劳动与增长有积极而显着的关系。应该为人力资本的发展做出更多的政府努力。在预期寿命领域，政府应为每个公民提供良好，更好的医疗保健政策和设施，健康保险。关键词：人类发展指数，经济增长，发展中国家，随机效应，固定效应。
不同处理参数对
选择性激光熔化（SLM）是添加剂制造技术之一，可以使用3D CAD软件逐层构建复杂的结构模型。但是，更高的研究成本几乎无法通过传统方法进行，解决问题的最佳方法是使用仿真软件。本文旨在通过剪辑加成式（SA）软件找到具有最小失真和最低残留应力的样品的最佳处理参数组合。在最佳处理参数下的仿真结果，导致失真和残留应力的最小值是扫描功率与300W，扫描速度为1.3m/s的组合，扫描速度，扫描间隔，一个点直径（0.12mm）（0.12mm）（0.12mm）（0.12mm）和热处理持有时间为4H。此外，计算结果还提供了一种新的研究方法，以验证不同加工参数对SLM制造的Inconel 718合金的影响。
克努森数对非线性声谱的影响...
我们对气体稀薄对共振平面非线性声波能量动力学的影响进行了数值研究。问题设置是一个充满气体的绝热管，一端由以管的基本共振频率振动的活塞激发，另一端封闭；非线性波逐渐陡化，直到达到极限环，在足够高的密度下形成激波。克努森数（这里定义为特征分子碰撞时间尺度与共振周期之比）通过改变气体的基准密度在 Kn = 10 − 1 − 10 − 5 范围内变化，从稀薄状态到密集状态。工作流体为氩气。用 Bhatnagar-Gross-Krook (BGK) 模型封闭的玻尔兹曼方程的数值解用于模拟 Kn ≥ 0.01 的情况。对于 Kn < 0 . 01 ，使用完全可压缩的一维 Navier-Stokes 方程和自适应网格细化 (AMR) 来解析共振弱冲击波，波马赫数高达 1.01 。非线性波陡化和冲击波形成与波数-频率域中声能的频谱展宽有关；后者是根据 Gupta 和 Scalo 在 Phys. Rev. E 98, 033117 (2018) 中得出的二阶非线性声学的精确能量推论定义的，代表系统的 Lyapunov 函数。在极限环处，声能谱表现出惯性范围内斜率为 −2 的平衡能量级联，同一作者在自由衰减的非线性声波中也观察到了这种现象。在本系统中，能量在低波数/频率时通过活塞从外部引入，在高波数/频率时由热粘性耗散平衡，导致系统基准温度升高。热粘性耗散率在基于最大速度振幅的固定雷诺数下按 Kn 2 缩放，即随流动稀疏程度而增加；一致地，极限环处陡峭波的最小长度尺度（对应于冲击波（存在时）的厚度）也随 Kn 而增加。对于给定的固定活塞速度振幅，光谱能量级联的惯性范围的带宽随克努森数的增加而减小，导致系统的共振响应降低。通过利用柯尔莫哥洛夫流体动力学湍流理论中的无量纲缩放定律，结果表明，基于域内最大声速幅，可以预期声学雷诺数 Re U max > 100 的谱能量传递惯性范围。
直接能量沉积工艺参数对718合金单道沉积层的影响
摘要：研究了激光功率、扫描速度和激光间距三个重要工艺参数对直接能量沉积 718 合金试件沉积层几何形状、微观结构和偏析特性的影响。研究发现，激光功率和激光间距显著影响沉积层的宽度和深度，而扫描速度影响沉积层高度。比能条件的增加（在 0.5 J/mm 2 和 1.0 J/mm 2 之间）增加了沉积层的总面积，产生了不同的晶粒形貌和析出行为，并对其进行了全面分析。沉积层包含三个不同的区域，即顶部、中部和底部区域，根据局部凝固条件变化而形成的不同微观结构特征进行分类。富铌共晶优先偏析在沉积物顶部区域（面积分数为 5.4–9.6%，A f ），该区域主要由等轴晶粒结构组成，而中部区域（面积分数为 1.5–5.7%，A f ）和底部区域（面积分数为 2.6–4.5%，A f ）则观察到柱状枝晶形态。高扫描速度更有效地降低沉积物顶部和中部区域的富铌相面积分数。观察到<100>晶体方向是柱状晶粒的首选生长方向，而等轴晶粒具有随机取向。
使用 EEG 和大规模在线研究测量音乐参数对音频通知的认知和行为反应的影响
先前的研究已经评估了各种音频通知设计。然而，对此类通知如何工作（特别是在用户认知状态层面）的更深入研究的呼声一直没有得到回应；而且，评估多种环境中大量参与者的音频通知的研究也很少。本研究进行了一项脑电图研究（N=20）和一项在线研究（N=967），以加强对三个音乐参数——旋律（简单、复杂）、音高（高、低）和节奏（快、慢）——如何影响用户的认知和行为的理解。有八种不同的通知，这些参数的组合不同。在线研究分析了用户特定信息和环境信息对用户收听这些通知时行为的影响。结果表明，节奏和音高对用户认知和行为的速度和强度（准确性）有主要影响。用户的特征和环境影响这些音乐参数的效果。
研究3D打印参数对... -dr -ntu
摘要：本文旨在确定3D打印参数的影响，例如填充密度，挤出温度，栅格角度和层厚度，对机械性能，即在果酸酸（PLA）的情况下，即在破裂的情况下，即在破裂的情况下，即最终的拉伸强度，屈服强度，弹性和伸长率。另一个目的是研究PLA的吸水，其目标是通过涂层剂最小化。使用方差分析（ANOVA）评估每个印刷参数对每个机械性能的影响。关键字：（ 3D打印，PLA，机械性能，吸水，打印参数）近年来，3D打印机的使用量显着增加，并且可以预期这种趋势的延续。3D打印机现在通常用于制造各种产品，范围从休闲物品到医疗组件（Gibson等人2015a）。从所有3D打印技术中，由于大量开发和销售这种打印机及其相对低成本的公司，公众更容易获得的公众访问的技术（FDM）（Gibson等人。2015b）。为了使用FDM技术打印对象，需要定义一定数量的打印参数。由于最终产品的质量受这些参数的大多数影响，因此知道其中哪种是最有影响力的（Sood等人。2012; Anitha等。2001; Wang等。 2007; Tymrak等。 2015）。2001; Wang等。2007; Tymrak等。 2015）。2007; Tymrak等。2015）。2014; Lanzotti等。2015a; Wittbrodt等。研究人员使用了实验方法的设计（DOE），以计划实验室工作，以使结果值得信赖。DOE中有三个主要方面：因素，水平和响应。设计矩阵，这些是具有不同因素之间所有级别组合的表（Anderson等人。2016; Lanzotti等。2015a）。作为FDM定向沉积的材料，结果是具有各向异性行为的分层标本。，由于过程的方法，空气口袋形式，会影响机械性能
键合过程参数对储存期间在200°C
电线粘结仍然是微电子包装中的主要互连技术。在过去的三年中，显而易见的是，从AU和Cu线粘合到Cu键合的显着趋势变得显而易见。这是由于一般努力降低诸如AU之类的原材料的制造成本和价格上涨所致。尽管在最近几十年中已经进行了许多研究，但大多数都集中在Au Ball/楔形上。这项研究的结果表明，键合参数，键合质量和可靠性密切相互联系。然而，与AU相比，Cu的不同材料特性（例如对氧化和硬度的依从性）意味着这些见解不能直接传递到Cu键合过程中。因此，有必要进一步研究。本文讨论了在各种键合参数下的键合界面形成的研究。Cu线在AlsICU0.5金属化上键合，并进行了键合参数优化以识别有用的参数组合。根据这种优化，使用低，中和高的美国功率和粘合力的参数组合组装不同的样品。通过剪切测试和HNO 3蚀刻进行了界面分析。在200 c退火168 h和1000 h的设备的横截面上分析了金属相生长。在剪切测试期间，与低键合力和高美国势力的接触倾向于围墙。 粘合力被证明对金属间的形成产生显着影响，而我们的功率仅施加了较小的影响。金属相生长。在剪切测试期间，与低键合力和高美国势力的接触倾向于围墙。粘合力被证明对金属间的形成产生显着影响，而我们的功率仅施加了较小的影响。使用EDX分析退火样品的金属间相形成，并根据相形成动力学进行解释。确定了三个主要的金属间相。2010 Elsevier Ltd.保留所有权利。
MOSFET物理参数对阈值电压Milaim Zabeli，Nebi Caka，Myzafere Limani，Qamil Kabashi Electrical An
摘要：本文的目的是研究表征MOSFET晶体管结构对阈值电压值的物理参数的影响。还可以分析底物（身体效应）对阈值电压的作用。MOSFET阈值电压值将在设备的动态和静态工作状态（模式）中产生影响。基于获得的结果，我们可以进一步看到每个物理参数对阈值电压总值的影响。我们可以看到这些参数中的哪个将对阈值电压产生重大且小的影响。因此，考虑到我们可以调整MOSFET物理参数的值以达到所接受的阈值电压。关键词：MOSFET参数，阈值电压，身体效应，增强型NMO，掺杂密度，短通道，窄通道。1简介特征MOSFET晶体管的重要值是阈值电压的值。根据MOSFET类型，阈值电压的值可能为正值和负值。在MOSFET晶体管的制造过程中，可以控制此值。N通道增强型MOSFET（或NMO）的物理结构如图1所示。由于增强型NMO比其他类型的MOSFET晶体管具有优势，因此在遵循时，我们将分析此。MOSFET晶体管的末端用S（源），D（drain），G（Gate）和B（身体）表示。创建（诱导）导电通道（导致表面反转）所需的栅极到源电压V GS的值称为阈值电压，并用V t或V t表示[1、2、3、4]。阈值电压的值取决于某些特征MOSFET结构的物理参数，例如：栅极材料，氧化物层T ox的厚度，T OX的厚度，底物掺杂浓度（密度）N A，氧化物 - 接口固定电荷浓度（密度）N OX，N OX，n ox，n ox，通道长度l，通道宽和偏置Voltage V sb v sb [2，5]。