DAC8811 是一款单通道电流输出、16 位数模转换器 (DAC)。其架构如图 18 所示,是一种 R-2R 梯形配置,其中三个 MSB 分段。梯形的每个 2R 支路均可切换到 GND 或 I OUT 端子。通过使用外部 I/V 转换器运算放大器,DAC 的 I OUT 端子保持在虚拟 GND 电位。R-2R 梯形连接到外部参考输入 V REF,该输入决定 DAC 满量程电流。R-2R 梯形为 5k Ω ±25% 的外部参考提供与代码无关的负载阻抗。外部参考电压可在 -15 V 至 15 V 范围内变化,从而提供双极 I OUT 电流操作。通过使用外部 I/V 转换器和 DAC8811 R FB 电阻器,可以生成 -V REF 至 V REF 的输出电压范围。
DAC8811 是一款单通道电流输出、16 位数模转换器 (DAC)。其架构如图 18 所示,是一种 R-2R 梯形配置,其中三个 MSB 分段。梯形的每个 2R 支路均可切换到 GND 或 I OUT 端子。通过使用外部 I/V 转换器运算放大器,DAC 的 I OUT 端子保持在虚拟 GND 电位。R-2R 梯形连接到外部参考输入 V REF,该输入决定 DAC 满量程电流。R-2R 梯形为 5k Ω ±25% 的外部参考提供与代码无关的负载阻抗。外部参考电压可在 -15 V 至 15 V 范围内变化,从而提供双极 I OUT 电流操作。通过使用外部 I/V 转换器和 DAC8811 R FB 电阻器,可以生成 -V REF 至 V REF 的输出电压范围。
DAC8811 是单通道电流输出、16 位数模转换器 (DAC)。图 18 所示的架构是一种 R-2R 梯形配置,其中三个 MSB 分段。梯形的每个 2R 支路都可以切换到 GND 或 I OUT 端子。通过使用外部 I/V 转换器运算放大器,DAC 的 I OUT 端子保持在虚拟 GND 电位。R-2R 梯形连接到外部参考输入 V REF,该输入决定 DAC 满量程电流。R-2R 梯形对外部参考呈现 5k Ω ±25% 的代码独立负载阻抗。外部参考电压可以在 -15 V 至 15 V 的范围内变化,从而提供双极 I OUT 电流操作。通过使用外部 I/V 转换器和 DAC8811 R FB 电阻器,可以生成 -V REF 至 V REF 的输出电压范围。
电源电压(V DD – GND)7 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 参考输入电压范围,V ID GND – 0.3 V 至 V DD + 0.3 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . 工作自然通风温度范围,T A :TLC5620C 0 ° C 至 70 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TLC5620I –40 ° C 至 85 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . 存储温度范围,T stg –50 ° C 至 150 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 距外壳 1.6 毫米 (1/16 英寸) 处的引线温度 10 秒内为 260 ° C . . . . . . . . . . . . ....... ....... ....... ....... .......
(使用本设备前请务必阅读这些注意事项。) 使用本产品前,请仔细阅读本手册及本手册中介绍的相关手册,并充分注意安全以正确操作产品。本手册中给出的注意事项仅适用于本产品。有关可编程控制器系统的安全注意事项,请参阅所用 CPU 模块的用户手册。在本手册中,安全注意事项分为两个级别:“警告”和“注意”。 表示操作不当可能导致危险情况,从而导致死亡或严重伤害。 表示操作不当可能导致危险情况,从而导致轻度或中度伤害或财产损失。在某些情况下,不遵守“注意”下给出的注意事项可能会导致严重后果。遵守两个级别的注意事项,因为它们对人身和系统安全都很重要。确保最终用户阅读本手册,然后将手册保存在安全的地方以供将来参考。[设计注意事项]
I. 引言基于有机薄膜晶体管 (OTFT) 的集成电路近年来呈现出快速发展势头,向着更高集成度和更高性能发展。与无机晶体管相比,OTFT 因其成本低、温度低、制造速度快,尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而前景看好 [1]。因此,OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用,如电子纸和平板显示器 [2]。此外,近期 OTFT 的低压工作能力为集成大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3],也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备,如射频识别 (RFID) 标签 [4]。最后,由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用,OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些
I. 引言基于有机薄膜晶体管 (OTFT) 的集成电路近年来呈现出快速发展势头,向着更高集成度和更高性能发展。与无机晶体管相比,OTFT 因其成本低、温度低、制造速度快,尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而前景看好 [1]。因此,OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用,如电子纸和平板显示器 [2]。此外,近期 OTFT 的低压工作能力为集成大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3],也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备,如射频识别 (RFID) 标签 [4]。最后,由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用,OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些
I. 引言基于有机薄膜晶体管 (OTFT) 的集成电路近年来呈现出快速发展势头,向着更高集成度和更高性能发展。与无机晶体管相比,OTFT 因其成本低、温度低、制造速度快,尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而前景看好 [1]。因此,OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用,如电子纸和平板显示器 [2]。此外,近期 OTFT 的低压工作能力为集成大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3],也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备,如射频识别 (RFID) 标签 [4]。最后,由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用,OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些
I. 引言基于有机薄膜晶体管(OTFT)的集成电路最近显示出向更高集成度和更好性能的快速发展。与无机晶体管相比,OTFT 因其成本低、温度低、可快速制造,尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而备受期待 [1]。因此,OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用,例如电子纸和平板显示器 [2]。此外,最近的 OTFT 的低压操作能力为集成结合大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3],也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备,例如射频识别(RFID)标签 [4]。最后,由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用,OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些
I. 引言基于有机薄膜晶体管(OTFT)的集成电路最近显示出向更高集成度和更好性能的快速发展。与无机晶体管相比,OTFT 因其成本低、温度低、可快速制造,尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而备受期待 [1]。因此,OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用,例如电子纸和平板显示器 [2]。此外,最近的 OTFT 的低压操作能力为集成结合大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3],也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备,例如射频识别(RFID)标签 [4]。最后,由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用,OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些