免责声明:1- 为改进产品特性,本文档提供的信息(包括规格和尺寸)如有变更,恕不另行通知。订购前,建议购买者联系 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司销售部,获取最新版本的数据表。2- 在需要极高可靠性的情况下(例如用于核电控制、航空航天、交通设备、医疗设备和安全设备),应使用具有安全保证的半导体器件或通过用户的故障安全预防措施或其他安排来确保安全。3- 在任何情况下,SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司均不对用户根据数据表操作设备期间因事故或其他原因造成的任何损害负责。 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司对任何知识产权索赔或因应用数据表中描述的信息、产品或电路而导致的任何其他问题不承担任何责任。4- 在任何情况下,SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司均不对因使用超过绝对最大额定值的数值而导致的任何半导体设备故障或任何二次损坏负责。 5- 本数据表不授予任何第三方或 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司的任何专利或其他权利。6- 未经 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司书面许可,不得以任何形式复制或复印本数据表的全部或部分。7- 本数据表中描述的产品(技术)不得提供给任何其应用目的会妨碍维护国际和平与安全的一方,其直接购买者或任何第三方也不得将其用于此目的。出口这些产品(技术)时,应根据相关法律法规办理必要的手续。
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该模块的前面板上有一个 USB 2.0 端口,可连接到计算机。使用免费的 Rainbow Plus 程序,可以实时监控所有整流器并执行程序参数设置。参数设置可以手动执行,也可以从预编程文件中下载,以方便操作。参数也可以上传到计算机以备将来使用。
摘要:与基于可分离的复杂希尔伯特空间的“经典”量子力学相比,该论文研究了量子信息后量子不可分性的理解。相应地“可区分性 /无法区分性”和“古典 /量子”的两个反对意义在量子不可区分性的概念中隐含可用,可以解释为两个经典信息的两个“缺失”位,这些信息将在量子信息传递后添加,以恢复初始状态。对量子不可区分性的新理解与古典(Maxwell-Boltzmann)与量子(Fermi-Dirac或Bose-Einstein)统计的区别有关。后者可以推广到波函数类(“空”量子量),并在希尔伯特算术中详尽地表示,因此可以与数学基础相连,更确切地与命题逻辑和设置理论的相互关系相互关联,共享了布尔代数和两种抗发码的结构。关键词:Bose-Einstein统计,Fermi-Dirac统计,Hilbert Arithmetic,Maxwell-Boltzmann统计,Qubit Hilbert Space,量子不可区分性,量子信息保存,Teleportation
摘要 — 超宽带隙氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 器件最近已成为电力电子领域的有希望的候选者;然而,Ga 2 O 3 的低热导率 (k T ) 引起了人们对其电热稳定性的严重担忧。这项工作首次实验演示了采用底部冷却和双面冷却配置封装的大面积 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD),并首次表征了这些封装 Ga 2 O 3 SBD 的浪涌电流能力。与普遍看法相反,采用适当封装的 Ga 2 O 3 SBD 表现出很高的浪涌电流能力。具有 3×3 mm 2 肖特基接触面积的双面冷却 Ga 2 O 3 SBD 可以承受超过 60 A 的峰值浪涌电流,峰值浪涌电流与额定电流之比优于同等额定值的商用 SiC SBD。这种高浪涌电流的关键促成机制是导通电阻的温度依赖性小,这大大降低了热失控,以及双面冷却封装,其中热量直接从肖特基结提取,不需要通过低 k T 块状 Ga 2 O 3 芯片。这些结果消除了有关 Ga 2 O 3 功率器件电热耐用性的一些关键担忧,并体现了其芯片级热管理的重要性。1
摘要 — 本文介绍了一种用于毫米波应用的 K 波段微带技术的简单双二极管整流电路。设计的整流电路具有特殊的结构,可以将整流波的直流分量与数据相关的 IF 信道分离。讨论了二极管特性以提高效率,这涉及精确的系统模拟。执行优化程序以最大限度地提高 RF-DC 转换效率。对于设计的电路,在 35 mW 输入功率下实现了 40% 的测量效率,与以前的工作相比,效率有所提高。该电路在用于无线电力传输和能量收集的集成微波和毫米波系统的设计中具有潜在的应用价值。
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4 这些作者贡献相同 *通信地址:muhaoran@sslab.org.cn (HM);linshenghuang@sslab.org.cn (SL) 收稿日期:2024 年 9 月 11 日;接受日期:2024 年 12 月 16 日;在线发表日期:2024 年 12 月 23 日;https://doi.org/10.59717/j.xinn-mater.2024.100113 © 2025 作者。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。引用:Wang P.、Mu H.、Yun T. 等人 (2025)。1D-2D 横向范德华异质结中的高整流和栅极可调光响应。创新材料 3:100113。自钝化表面和减少的隧穿漏电流使得在范德华 (vdW) 半导体异质结中创建理想的肖特基接触成为可能。然而,同时实现高整流比、低反向漏电流和快速光响应仍然具有挑战性。在这里,我们提出了一种一维 (1D)/二维 (2D) 混合维异质结构光电二极管来解决这些挑战。该结构中显著的价带偏移和最小的电子亲和能差异确保了高整流比和高效的电荷收集。此外,1D 和 2D 材料之间的尺寸差异,其特点是接触面积较小和厚度差异显著,导致低反向漏电流和高电流开关比。此外,它能够实现栅极可调的能带结构转变。我们的器件在室温下表现出 4.7 × 10 7 的出色整流比和 5 × 10 7 的高开关比(V ds = 2 V 和 V g = 30 V)。在 20 V 的栅极电压下,光电二极管实现了 4.9 × 10 14 Jones 的比探测率 (D * )、14 μs 的快速响应时间和接近 1550 nm 的扩展工作波长。混合维度设计和能带工程的战略组合产生了具有出色灵敏度、可重复性和快速响应的 1D-2D pn 异质结光电二极管,凸显了 vdW 半导体在先进光电应用方面的潜力。
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