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World File Search System整流器
旧电源整流器的新生 - 安德里茨集团
将交流电 (ac) 转换为电化学电池所需的直流电 (dc) 的基本元件是二极管。二极管的工作原理与单向止回阀非常相似。它只允许电流朝一个方向流动。事实上，在北美以外，用于整流的半导体被称为“阀门”。半导体开发通常始于通信和其他低功率应用中使用的小信号设备。因此，在开发出相对大功率的二极管之前，二极管已经使用了十多年。第一个用于电化学生产的二极管整流器出现在 20 世纪 60 年代中期。这些早期的机器需要大量并联二极管才能获得所需的数万安培电流。通常整流器
光伏辅助自Vth取消CMOS整流器...
摘要 开发了一种用于射频能量收集的高效 CMOS 整流器（采用 0.18 µ m CMOS 技术）。为了在极低输入功率条件下也能高效运行，采用自 Vth 抵消 (SVC) 和光伏 (PV) 辅助技术的有效组合实现了基于倍压器的整流器。在该整流器中，二极管连接 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 由直流偏置电压补偿，该偏置电压不仅由片上 PV 电池产生，还由整流器本身的输出电压产生。因此，即使在低输入功率条件下，整流器也能高效运行。此外，采用了使用简单 pn 二极管的偏置电压限制器来有效调节过度的 Vth 补偿，并在宽功率范围内实现整流器的高运行效率。在输入功率为 − 15 dBm、频率为 1 GHz、输出负载电阻为 10 k Ω 和光照度为 10 mW/m 2 的情况下，射频到直流功率转换效率 (PCE) 达到 30.8%。关键词：能量收集、无线电波、光伏、功率转换效率、整流器分类：能量收集设备、电路和模块
硅Schottky整流器模具 - RX电子有限公司
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NetSure™控制单元（NCU）改造套件
注意！如果多湾植物配备了48（48）多个整流器插槽（对于1R483200或1R483200E的整流器）或60（60）以上的整流器插槽（用于1R483500E的整流器）（用于1R483500E 1R483200或1R483200E整流器）或带61个插槽的海湾（用于1R483500E整流器）。CAN1来自Main Bay的CAN1必须连接到所有补充Bays SM_CAN，并将用于RECT_CAN，直到使用了最大整流器为止。 CAN2仅在48（48）个整流器插槽（用于1R483200或1R483200E整流器）或60（60）整流器插槽（用于1R483500E的1R483200E）之后，仅用于RECT_CAN。 图2.1显示了一个湾到湾的一个示例，可以连接前3个海湾不超过允许在CAN 1的最大整流器数量。CAN1来自Main Bay的CAN1必须连接到所有补充Bays SM_CAN，并将用于RECT_CAN，直到使用了最大整流器为止。CAN2仅在48（48）个整流器插槽（用于1R483200或1R483200E整流器）或60（60）整流器插槽（用于1R483500E的1R483200E）之后，仅用于RECT_CAN。图2.1显示了一个湾到湾的一个示例，可以连接前3个海湾不超过允许在CAN 1的最大整流器数量。
低热阻（0.5 K/W）Ga2O3 肖特基整流器...
摘要 — Ga 2 O 3 的低热导率可以说是 Ga 2 O 3 功率和射频器件最严重的问题。尽管进行了许多模拟研究，但是还没有关于大面积封装 Ga 2 O 3 器件热阻的实验报告。这项工作通过展示 15-A 双面封装 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD) 并测量其在底部和结侧冷却配置下的结到外壳热阻 (R θ JC) 来填补这一空白。R θ JC 特性基于瞬态双界面法，即 JEDEC 51-14 标准。结冷和底部冷却的 Ga 2 O 3 SBD 的 R θ JC 分别为 0.5 K/W 和 1.43 K/W，前者的 R θ JC 低于同等额定值的商用 SiC SBD。这种低 R θ JC 归因于直接从肖特基结而不是通过 Ga 2 O 3 芯片进行散热。R θ JC 低于商用 SiC 器件，证明了 Ga 2 O 3 器件在高功率应用中的可行性，并表明了适当封装对其热管理的重要性。索引术语 — 超宽带隙、氧化镓、封装、肖特基势垒二极管、热阻。
整流模块 - 用户手册
整流器在正常工作条件下提供负载功率、电池浮充电流和电池充电电流。整流器采用恒功率设计。整流器的额定输出功率为最大。这意味着，在正常工作环境温度范围和输入电压范围内，最大可用输出功率为恒定的 500W 或 1000W（取决于整流器型号）。在这些范围内，整流器根据负载需求以三种模式之一运行。模式之间的转换是完全自动的。如果环境温度高于或输入电压低于可接受值，整流器将继续运行，但输出功率会降低。
课程与教学大纲（自 2023 年起适用...
先决条件：无 总讲座课时：39 课程成果： CO1：分析和设计二极管整流器和滤波电路 CO2：设计和实施各种类型的可控整流器 CO3：解释用于 2 级 DC-AC 转换器的各种 PWM 技术 CO4：评估和设计具有先进 PWM 技术的逆变器 CO5：设计电流控制电压源逆变器 线频不受控和受控整流器 单相整流器：带 R、RL、RLE 负载和续流二极管的半波控制整流器。 带各种类型负载的全波控制整流器。 带无源和有源负载的半控桥和全控桥 - 输入线电流谐波和功率因数 - 逆变器工作模式。 三相整流器：带 RL 负载的半波控制整流器、带 RL 负载的半控桥、带 RL 负载的全控桥。 输入侧电流谐波和功率因数 - 双转换器。环流模式和非环流模式。
超快软恢复整流器二极管...bes lite系列
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封装的 Ga2O3 肖特基整流器，具有超过 60 A 的浪涌电流能力
摘要 — 超宽带隙氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 器件最近已成为电力电子领域的有希望的候选者；然而，Ga 2 O 3 的低热导率 (k T ) 引起了人们对其电热稳定性的严重担忧。这项工作首次实验演示了采用底部冷却和双面冷却配置封装的大面积 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD)，并首次表征了这些封装 Ga 2 O 3 SBD 的浪涌电流能力。与普遍看法相反，采用适当封装的 Ga 2 O 3 SBD 表现出很高的浪涌电流能力。具有 3×3 mm 2 肖特基接触面积的双面冷却 Ga 2 O 3 SBD 可以承受超过 60 A 的峰值浪涌电流，峰值浪涌电流与额定电流之比优于同等额定值的商用 SiC SBD。这种高浪涌电流的关键促成机制是导通电阻的温度依赖性小，这大大降低了热失控，以及双面冷却封装，其中热量直接从肖特基结提取，不需要通过低 k T 块状 Ga 2 O 3 芯片。这些结果消除了有关 Ga 2 O 3 功率器件电热耐用性的一些关键担忧，并体现了其芯片级热管理的重要性。1
标题：基于全喷墨印刷有机二极管的 13.56 MHz 整流器
FA Viola 博士、B. Brigante、P. Colpani、G. Dell'Erba 博士、Dario Natali 教授、M. Caironi 博士，意大利理工学院纳米科学与技术中心@PoliMi，地址：via Pascoli 70/3，邮编 20133 米兰，意大利。电子邮件：mario.caironi@iit.it Dr. V. Mattoli 微型生物机器人中心，意大利理工学院，viale Rinaldo Piaggio 34, 50125 Pontedera (PI), 意大利 Prof. D. Natali 米兰理工大学电子、信息和生物工程系，via Ponzio 34/5, 20133 米兰，意大利 关键词：印刷电子、RFID、二极管、整流器、有机半导体