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World File Search System整流器
第 6 部分 电气设备和控制系统... - KR e-class
第 1 节 总则 ·· ... ·· ... ·· ...断路器和电磁接触器· ...电源整流器·································································· 42 第 13 节 蓄电池···································
字母自动多-PZTS能量收获界面基于可扩展的PSSHI纠正，并使用功率区域优化技术Guozhu Che
摘要本文提出了一种基于对电感器（PSSHI）的可扩展平行同步开关收集的自动多重压电（多PZTS）能量收集界面，该开关收获了功率区域优化技术。可扩展的PSSHI整流器可以接受任意阶段的多PZTS电压输入，从而解决了电荷冲突问题。功率区域优化器可以帮助整流器在高输出功率区域内运行。同时，电路中的所有活动设备均由收获的能量提供动力。最后，实验结果表明，电路的平均充电能力为559.8°W，能量转换效率为80.7％。与没有功率区域优化的可扩展的PSSHI整流器相比，该电路中的平均充电功率增加了94％。此外，实验测试表明，接口电路可以完全实现冷启动和自动供应。关键词：多个压电能量收获，可扩展的平行同步开关收获（PSSHI），功率区域优化分类：能量收集设备，电路和模块
偏置场环对垂直几何 β-Ga2O3 整流器中重离子撞击后电荷去除的影响
本研究通过 TCAD 研究了重离子撞击对具有偏置场环的 beta-Ga 2 O 3 肖特基二极管的响应以及由此产生的单事件烧毁。使用实验电流-电压 (IV) 曲线验证了用于模拟高反向偏置下器件的模型。器件的场环配置表明，在模拟重离子撞击后，电荷去除效果有所改善。如果电荷去除的时间尺度比单事件烧毁更快，则这可能是一种有效的减少单离子撞击影响的机制。本研究探讨了终端结构的各种配置，并展示了不同设计参数对离子撞击后瞬态响应的影响。© 2023 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款发布（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，只要对原始作品进行适当的引用。[DOI：10.1149/2162-8777/acbcf1]
CMOS 射频能量收集器 (RFEH) 带有全片上可调升压器，可提高宽带灵敏度
摘要：射频能量收集 (RFEH) 是目前广受欢迎的一种可再生能源收集形式，因为许多无线电子设备可以通过 RFEH 协调其通信，尤其是在 CMOS 技术中。对于 RFEH，检测低功率环境 RF 信号的灵敏度是重中之重。通常采用 RFEH 输入端的升压机制来增强其灵敏度。然而，保持其灵敏度的带宽非常差。这项工作在 3 级交叉耦合差分驱动整流器 (CCDD) 中完全在片上实现了可调升压 (TVB) 机制。TVB 采用交错变压器架构设计，其中初级绕组实现到整流器，而次级绕组连接到 MOSFET 开关，用于调节网络的电感。 TVB 使整流器的灵敏度保持在 1V 直流输出电压下，在 3 至 6 GHz 的 5G 新无线电频率 (5GNR) 频段的宽带宽内最小偏差为 − 2 dBm。在 − 23 dBm 输入功率下，直流输出电压为 1 V，峰值 PCE 在 3 GHz 下为 83%。借助 TVB，可以在 1 V 灵敏度点处保持 50% 以上的 PCE。提出的 CCDD-TVB 机制使 CMOS RFEH 能够以最佳灵敏度、直流输出电压和效率运行于宽带应用。
基础电子学的目标
单元 1：组件 14 小时 组件简介 – 无源组件和有源组件 – 电阻器、标准化、颜色编码技术、电阻器类型 – 电容器、电容器类型 – 电感器、电感器类型、特性和规格、变压器、变压器类型。 二极管 - 原子理论 – 硅和锗的结构 – 导体、半导体、绝缘体的能带图 – 本征和非本征半导体 – PN 结二极管 – 正向和反向偏置 PN 结的特性。 单元 2：特殊二极管及其应用 8 小时 特殊二极管 – 齐纳二极管 – 发光二极管 (LED) – 光敏二极管 (LDR)。 整流器 – 半波和全波（桥式和中心抽头）整流器 – 纹波系数 – 整流器的效率和滤波电路。第 3 单元：晶体管和偏置方法 17 小时 双极结型晶体管 – 晶体管结构 – PNP 和 NPN 晶体管 – 工作模式 – 共基极配置 (CB)、共发射极配置 (CE)、共集电极配置 (CC) – 晶体管参数 – α 和 β 之间的关系 – 偏置方法 – 固定偏置 – 集电极-基极偏置 – 发射极偏置场效应晶体管 – FET 的分类 – BJT 和 JFET 的比较研究 – FET 的优点和缺点 – JFET 的结构 – JFET 特性 – MOSFET（增强和耗尽）
选择高或低、高和低、平均值或总和、6 AI
SIA07A/F//4/10V/10V/S - SIA07A 带全波桥式整流器，无辅助电源，四 (4) 个 0 至 10V DC 输入信号，与直接作用的 0 至 10V DC 输出信号相加。SIA07A/F//6/MA/mA/H - SIAO7A 带全波桥式整流器，无辅助电源，六 (6) 个 4 至 20mA 输入信号，高选择，与直接作用的 4 至 20mA 输出信号相加。SIA07A/H//2/1-5V/5V/HL - SIA07A 带半波整流器，无辅助电源，两 (2) 个 1 至 5V DC 输入信号，高和低选择，与直接作用的 0 至 5V DC 输出信号相加。 SIA07A/H/5V/3/RTD-1K/5V/A - SIA07A 带半波整流器、5V 辅助电源、三 (3) 个带上拉电阻的独立 1000 Ω RTD 传感器输入，平均直接作用 0 至 5V DC 输出信号。SIA07A/H//2/SCS-T30/5V/A/R - SIA07A 带半波整流器，无辅助电源，两 (2) 个 Staefa T-30 传感器电压，平均反向作用 0 至 5V DC 输出信号。SIA07A/F//5/CVI/CVO/H - SIA07A 带全波桥式整流器，无辅助电源，五 (5) 个自定义电压输入信号，高选择直接作用自定义 DC 电压输出信号。
