DNV根据ISO/IEC 17021:2011应用自己的管理标准和合规性政策,以进行质量控制 - 对机构的合格评估要求提供了对管理系统的审计和认证的身体,并保持了质量控制的全面体系,包括有关符合道德要求的有记录的政策和程序,符合道德要求的法律要求和专业人士,专业和规范,规范和规范,适用性,适用性,适用性,适用性,适用性,适用性。我们遵守了评估期间的DNV行为守则1,并在相关道德要求的要求下保持独立性。这项参与工作是由一个独立的可持续性保证专业人员团队进行的。dnv不参与框架中包含的语句或数据的准备,除了本语句。DNV对在评估过程中接受采访的利益相关者保持完全公正。
* 通讯作者:陈洪生、李世龙、钱浩良,浙江大学信息与电子工程学院量子信息交叉学科中心、现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027,浙江大学;浙江大学-杭州全球科技创新中心、浙江省先进微纳电子器件与智能系统重点实验室,杭州 310027,浙江大学;浙江大学 ZJU-UIUC 学院国际联合创新中心,海宁 314400,浙江大学,电子邮箱:hansomchen@zju.edu.cn (H. Chen)、shilong.li@zju.edu.cn (S. Li)、haoliangqian@zju.edu.cn (H. Qian)。https://orcid.org/0000-0002-5735-9781 (H. Chen)。 https://orcid.org/0000-0003-4200-9479 (H. Qian) 王海腾、牛俊如、陈巧璐、邵华和杨逸浩,浙江大学信息与电子工程学院现代光学仪器国家重点实验室量子信息交叉学科中心,杭州 310027,中国;浙江大学-杭州全球科技创新中心、浙江省先进微纳电子器件与智能系统重点实验室,杭州 310027,中国;浙江大学 ZJU-UIUC 学院国际联合创新中心,海宁 314400,中国 赵思涵,浙江大学物理学院量子信息交叉学科中心、硅与先进半导体材料国家重点实验室、浙江省量子技术与器件重点实验室,杭州 310058,中国。 https://orcid.org/0000-0003-2162-734X
实现误差修正的逻辑量子比特及其之间的操作是进行有用量子计算的关键。离子振动模式系统是实现逻辑量子比特的良好候选。利用受激拉曼跃迁实现集体振动声子模式之间的分束器相互作用,从而实现声子模式之间的量子纠缠是实现逻辑量子比特之间操作的重要步骤。这种对多模式和压缩态的纠缠操作可用于生成连续变量簇态。此外,通过制备玻色子码作为离子振动态并利用上述分束器相互作用,可以实现跨多模式的门操作。
桑迪亚国家实验室的线性离子阱芯片采用金属 MEMS 工艺进行微加工。平面金属阱电极(W 表面涂有 Au)和穿过 Si 基板的孔定义了捕获区域,并允许激光以 3D 光学方式访问在孔上纵向延伸的 RF 引线之间捕获的离子。孔边缘的控制电极定义了七个捕获段。空气桥接金属引线减少了电容和 RF 耗散到基板。捕获离子图像来自上面显示的 ITC。
我们描述了一种灵活的微波合成系统,该系统由一个超低相位噪声低温蓝宝石振荡器 (CSO) 设计,可用作镱离子 (Yb+) 量子比特的主时钟。我们报告称,使用该合成系统,量子比特相干时间从 0.9 秒提高到 8.7 秒,提高了 10 倍,单量子比特量子门的误差为 1.6e-6。使用滤波函数方法 [1],我们发现证据表明,0.9 秒的宝贵相干性受到精密级商用现成微波合成器 [1] 的相位噪声的限制。此外,我们还利用微波合成系统的灵活性来演示贝叶斯学习算法,该算法可以自主设计信息优化的控制脉冲来识别和校准定量动力学模型,以表征囚禁离子系统。我们通过实验证明,新算法在少量样本的情况下超过了传统校准方法的精度 [2]。
1 美国国家标准与技术研究所 (NIST),美国马里兰州盖瑟斯堡 20899 2 特拉华大学,美国特拉华州纽瓦克 19716 3 克莱姆森大学,美国南卡罗来纳州克莱姆森 29634 4 马里兰大学,美国马里兰州帕克分校 20742 将离子限制在离子阱中有许多有趣的应用,包括精密光谱学、量子计量学以及强耦合单组分等离子体中的集体行为。在大多数情况下,单电荷离子或几次电离的物质是在离子阱内原位产生的。但是,某些应用需要专用的外部离子源。例如,将离子束注入线性射频 (RF) 阱中,形成以空间电荷为主的非中性等离子体,用于模拟强带电粒子束传播的实验,例如重离子聚变反应堆、散裂中子源和高能物理中的粒子束。强空间电荷效应使高电荷离子 (HCI) 的隔离更加复杂,该效应与电荷状态的平方成正比。在这项工作中,我们报告了在双曲线 RF 阱中捕获 ~500 Ne 10+ 离子。高电荷离子从 NIST 的电子束离子源/阱 (EBIS/T) 中提取,随后由 7 米长的光束线引导至离子阱装置;嵌套在静电光束线光学器件中的电荷质量分析仪用于选择要在 RF 阱中重新捕获的单个电荷状态 (Ne 10+)。我们讨论了实验优化,并将结果与计算机模拟进行了比较。实验捕获效率达到了 ~20%,在双曲线 RF 阱中捕获了 ~500 个 Ne 10+ 离子,与单元 Penning 阱中达到的捕获效率相当 [1]。RF 阱中可用的更大光学通道有利于改进光谱实验。由于 RF 驱动的微运动加热并且没有任何冷却机制,观察到的存储在 RF 阱中的 Ne 10+ 离子的存储寿命为 69 毫秒,短于单元 Penning 阱中相应的存储寿命。尽管如此,这对于各种光谱实验都很有用,包括许多电荷状态的原子状态寿命测量。探索了增加捕获离子数量和存储寿命的可能改进方法。参考文献
我们建议使用二维 Penning 阱阵列作为量子模拟和量子计算的可扩展平台,以捕获原子离子。这种方法涉及将定义静态电四极子位置的微结构电极阵列放置在磁场中,每个位置捕获单个离子并通过库仑相互作用与相邻离子耦合。我们求解此类阵列中离子运动的正常模式,并推导出即使在存在陷阱缺陷的情况下也能实现稳定运动的广义多离子不变定理。我们使用这些技术来研究在固定离子晶格中进行量子模拟和量子计算的可行性。在均匀阵列中,我们表明可以实现足够密集的阵列,轴向、磁控管和回旋加速器运动表现出离子间偶极耦合,其速率明显高于预期的退相干。通过添加激光场,这些可以实现可调范围的相互作用自旋汉密尔顿量。我们还展示了局部电位控制如何隔离固定阵列中的少量离子,并可用于实现高保真门。使用静态捕获场意味着我们的方法不受系统尺寸增加时的功率要求限制,从而消除了标准射频陷阱中存在的重大缩放挑战。因此,这里提供的架构和方法似乎为捕获离子量子计算开辟了一条道路,以实现容错规模的设备。
量子比特相干时间是离子阱量子网络节点中的关键参数。然而,用于将量子比特编码为离子的状态之间的能量差波动可能是退相干的重要来源。为了增加任意单量子比特状态的相干时间,可以将状态编码为由两个物理量子比特的联合状态形成的无退相干子空间 (DFS),在我们的例子中,这两个物理量子比特是两个共同捕获的离子。因此,离子量子比特的相干性被动地受到保护,免受对两个物理量子比特产生同等影响的波动的影响。这篇硕士论文介绍了在我们的实验装置中实现无退相干量子存储器的实验结果。为了实现量子存储器,需要一个受控非门 (CNOT)。为了实现 CNOT 门,我们实验装置中的本机门被扩展以完成一组通用量子门。在这篇硕士论文之前,多离子串和纠缠门内的离子量子比特全局旋转已经可用。为了完成一组通用的量子门,将单离子聚焦相位旋转添加到本机门中。然后使用 CNOT 门从双量子比特 DFS 存储和检索单量子比特状态。在 DFS 中存储和检索量子比特的过程完全由量子过程层析成像表征,存储时间为 500 毫秒,过程保真度为 94(6)%。与我们之前在离子阱系统中实现的相比,使用 DFS 编码可以将量子比特的相干时间提高至少一个数量级。
1. 报名的首要条件是,你必须符合“招募范围”。 招聘范围 I、II 和 III 针对现有基础员工,而 IV 针对外部申请人。 首先,检查哪个职位空缺类别适合您,然后按照职位空缺广告中的说明进行申请。 2. 每周三更新。此外,如果申请有中间截止日期,我们可能会在最终截止日期之前撤回该申请。 3. 基地内所有电话均为屏蔽号码。 此外,如果无法确认目的地电话号码,您将无法连接到 IP 电话。 请在职位空缺申请表中填写白天可以在基地内联系的电话号码,以便安排面试、录用通知等事宜。 4. 进入基地进行面试或其他检查时,您需要出示政府或地方政府颁发的有效带照片身份证明。 如果您是日本国民并申请在厚木空军基地工作,您必须具备以下条件之一: 1) 护照 2) 居民基本登记卡 (附有照片) 3) 个人编号卡 (附有照片) 4) 驾驶执照 + 打印证明书或者最近 3 个月内获得的、列有登记住址的居民登记卡 ※三泽空军基地:不需要居民登记卡 除上述以外,在三泽空军基地还可以使用以下材料。 5) 健康保险卡(如果您没有上面 1-4 中列出的带照片的身份证件) 6) 护照和居留卡(如果您是外国人,申请通行证时需要填写表格)如果您是外国人,您需要出示您的居留卡(如果您的申请正在等待审理,则无效)。 均在有效期内。 如果您有来自其他基地的 CAC,您可以用它作为身份证明,但如果没有护送您将无法进入。与其他人一样,您需要在通行证室领取宾客通行证。 不接受学生证、员工证等。 请注意,如果您在面试当天因缺少或不具备所需的身份证明而无法进入基地,您将错过面试机会,并且可能被视为失败。 请务必在所申请职位空缺广告的截止日期(或临时截止日期)前准备好相关证明。 有关居民基本登记卡的更多信息,请联系您所在的城市/区政府或行政中心。 5.前军人必须在工作申请中提交/附上 DD-214 的副本。退役美国军人必须提交“退役美国军人”中所示的所需文件(情况说明书:如何申请 MLC/IHA 工作,请访问 http://www.cnic.navy.mil/regions/cnrj/om/human_resources/fact_sheets.html 了解详情)