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World File Search System旋转状态
发现锂离子电池的铅喹酮阴极材料
fe（ii）自旋跨界（SCO）复合物是分子，其中Fe原子周围的八面体配体场的强度在该领域中，即使温度1-5或磁场的变化，也可以在这些分子中触发旋转状态过渡。9–15在低温下，当T 2G和E G轨道之间的八面体配体场分裂（D OCT）很高时，SCO综合体占据了Diamagnetic（S = 0）低旋转状态（LS）。但是，在温度高于临界过渡温度t c的温度下，当t 2g和e g轨道之间的D OCT降低时，这些分子占据了顺磁性（s = 2）高旋转状态（HS）。14,16–20由于在Fe（II）的SCO复合物以及这些旋转状态的双态性中可以实现此类自旋状态过渡的方便，因此9,21,22这些分子可以使室温旋转的旋转特性构成很好的候选（因为触发了旋转状态过渡的室温，因此很大程度上是可触发旋转状态的过渡，而不是很大程度上是可实现的），并且不可能实现23-25，并且VER且VERIOL无效），并且V-25和23-25。26–28室温磁的存在
a-ordy-semi-supervised-variational-autoencoder and-...
深层生成模型（DGM）在具有化学明智结构和优化特性的有机分子和无机材料的产生中表现出了巨大的希望。然而，尽管这些复合物在细小的化学合成，商品生产和光学应用中很重要，但由于其灵活的协调环境，多个可访问的氧化和旋转状态，由于其灵活的协调环境，多个可访问的氧化和旋转状态，由于其灵活的协调环境，多个可访问的氧化和自旋状态，因此缺乏应用于过渡金属（TM）复合物的应用。在本文中，我们提出了一个联合半监督连接树变异自动编码器（SSVAE）和人工神经网络（ANN）分类器模型，该模型被认为是livetransform（配体变分自动编码器和过渡金属复合物的转移学习），用于Octhahephathephepition Metal Complecyes）。livetransform允许设计建立TM复合物的配体和组装络合物的自旋状态的预测。我们表明，与无监督VAE相比，SSVAE的潜在变量用作ANN模型的输入时，分类器的准确性得到提高。使用三个分子轴的输入增加也提高了分类器的准确性。58个具有预测自旋状态的复合物由livetrandform产生，其自旋状态标签的准确性通过密度功能理论方法验证。还引入了两种设计策略，即单个突变和种子生成，以允许父络合物的定向演变朝着理想的旋转状态和具有相似自旋状态的种子复合物的局部修饰。
通过纠缠保持更好的时间。
晶格陷阱将ytterbium原子固定在微柯文温度下，以实现纠缠增强的光原子时钟。（p。38）两个原子水平是|g⟩和|e⟩，n两级系统在广义的bloch球上表示为有效的总自旋。BLOCH球体上的顶部中间和顶部分布分别代表独立原子和挤压旋转状态的未进入状态。最终测量的投影噪声，或等效地，Heisenberg的角动量不确定性规则，在总旋转方向上施加了不确定性。使用纠缠原子挤压的自旋状态在相位方向上具有较低的量子噪声，即实现更好的频率分辨率。（左侧第39页）实验设置。（第39页，在右上，根据[7]改编）时钟不确定性（Allan差异）与平均时间，分别使用AS输入状态比较一个时钟，分别是输入状态，分别是未进入的状态（蓝色）和挤压的旋转状态（RED）。纠缠状态优于4.4 dB的标准量子限制。信用：vuletićgroup
解决选定问题的解决方案-CERN库目录
.2KT = MC 2 / LN 2 D 5.6 10 7 Hz; M D M C C 2M O D 44 M P D 7：3 10 26千克; M P D质子质量。21。g th v d 1; V D 0：7; G t d 1:43; g th d exp - th 2l]; ˛th d ln .g th /= 2l d 0:18 m 1。.n 2 n 1 / th d th = 21 D 1：8 10 20 m 3。r th d .n 2 n 1 / th = rel d 4：5 10 19 m 3 s 1; p d ra 1 a 2 lh; R D P = A 1 A 2 LH / D 3 10 25 m 3 S 1; r 10 6 r;泵速度大约是阈值泵速度的10个6倍。（b）由于在自发发射方面的上激光水平的寿命极长，因此一旦人口差超过.n 2 n 1 / th，振荡就会累积。更强的抽水会导致激光辐射的产生。通过CO 2分子相互碰撞，维持激发态的不同旋转水平的种群的验分布，并将泵的能量转换为激光辐射（以及松弛的能量）。（c）为简单起见，我们将CO 2气体视为理想气体。在273 K和正常压力下，理想气体（摩尔体积22.4 L）包含6 10 23分子。这对应于大约3 10 25 m 3。我们在室温和正常压力（1 bar）下将此数字用于CO 2。在10 mbar的压力下，可用CO 2分子的密度为3 10 22 m 3。在室温下，激发的CO 2分子在不同的旋转状态。约有1％的分子处于特定的旋转状态。因此，大约3 10 21个分子每m 3可用于激光跃迁。假设一半的分子处于激发态，我们发现振动旋转状态的分子密度为1.5 10 21 m 3。这将导致˛8th 1：4 m 1，并且单个路径增益为g 1 d exp.˛l/ d 4。（d）对于碰撞线，增益横截面为21 d C 2 A 21 = .8 2 / g。越来越大的压力 /宽度为21 = .8 2/2 = c / d。遵循的是，0 /与大约10 mbar的压力无关。在这种压力下，2 C D，我们计算的增益系数是茶和高压CO 2激光器的最大增益系数。
开发用于铁路飞轮储能系统的可承受大负载的超导磁轴承
山梨县的米仓山光伏电站已经演示了使用高温超导磁轴承 (SMB) 的飞轮储能系统 (FESS) 的应用。为了将 FESS 作为一种能够防止取消再生制动的系统应用于铁路，必须增加其储能容量。因此，进行了高达 158 kN 的悬浮力试验和确定悬浮力蠕变特性的试验，以验证 SMB 悬浮力的裕度。此外，为了评估 SMB 悬浮和旋转特性在转速反复变化下的长期可靠性和耐久性，正在开发能够同时测试 SMB 悬浮和旋转状态的新型 SMB 测试设备。
通过电流测量进行纠缠检测......
量子纠缠状态是量子算法的重要成分。可以使用各种物理系统来获得此类状态并操纵它们。但是，凝结物理学的实现似乎是最有前途的，因为在这些系统中可以实现[1]。我们调查了两个量子点，这些量子点与超导电极和金属电极或铁磁检测器相连[2，3]，如图1。在这样的系统中，超导电极可以用作自然存在的状态库珀对的来源，该库珀对处于单重旋转状态。电子对能够隧道隧道并占据单独的量子点，而它们的两个旋转都可以纠缠。由于使用纠缠方法，只有使用铁磁检测器直接测量自旋极化电流，才可以通过直接测量自旋偏振电流进行纠缠。
流程
天体物理环境中分子光谱的准确建模需要详细了解碰撞能量转移过程，由于量子机械计算的计算复杂性，对于较大的分子，较重的弹丸和较高的碰撞能量，这仍然是一个重大挑战。本论文通过开发和应用混合量子/经典理论（MQCT）来应对这一挑战，这是一种混合方法，结合了内部分子运动的量子机械处理与自由转化程度的经典描述。首先通过详细研究ND 3 + D 2系统中的旋转能量转移来验证该方法，这表明了与完全量子结果的极好的一致性，同时提供了显着的计算优势。在新版本的MQCT代码中制定并实现了计算状态到国家过渡矩阵的替代方法，从而提高了复杂散射计算的计算效率。mqct扩展到天文学重要的H 2 O + H 2系统，迄今为止最全面的计算，包括200个水的旋转状态和H 2的旋转状态至𝑗= 10，以达到12,000 cm -1的碰撞能量。这项工作大大扩展了现有的碰撞数据库，并对高度激发的H 2分子进行了首次详细分析。结果表明，H 2 O中旋转过渡的速率系数随着H 2的旋转激发而增加，通常超过地面值的速度，在高温天体物理环境中对水进行建模的至关重要信息。系统分析方法来表征碰撞能量转移，这表明横截面的值不仅与能量差距δ𝐸相关，而且与量子数δ𝑗和δ𝜏的变化相关。这项工作中为H 2 O + H 2生成的状态转型速率系数的数据库是对天体物理群落使用的分子数据集的重要贡献。这项工作促进了MQCT作为一种功能强大且具有计算有效的工具，用于研究复杂的分子碰撞系统，这些工具具有完整的量子方法，可以促进在不同天体物理环境中建模分子碰撞的能力。
dyco5，co32fe68和gd27fe73薄膜从直流到40 thz
将电子自旋纳入电子设备是旋转的核心思想。[1]这个不断增长的研究领域最终旨在在Terahertz（THZ）速率上产生，控制和检测自旋电流。[2]要实现这种高速自旋操作，旋转轨道相互作用（SOI），尽管很弱，但它起着关键作用，因为它将电子的运动与旋转状态相结合。[3]从经典的角度来看，SOI可以理解为旋转依赖性的有效磁场，该磁场会在相反的方向上偏转转移旋转和旋转传导电子（见图1 A）。SOI的重要后果是旋转厅效应（SHA）[4]及其磁反部分，即异常效果（AHE）。[5,6]在带有SOI的金属中，她将电荷电流转换为横向纯自旋
工程胶体半导体纳米晶体用于量子信息处理
量子信息处理（依赖于自旋缺陷或单光子发射）显示了原则证明实验中的量子优势，包括电磁场的显微成像，电磁场的应变和温度，从电池研究到神经科学。然而，关键差距仍然存在于更广泛的应用的路径上，包括需要改善功能化，确定性放置，大小同质性和更大的多功能性能可编程性。胶体半导体纳米晶体可以在多年的合成和功能化进步之后，在许多应用领域弥合这些差距。在这篇综述中，我们专门关注三个关键主题：与长寿命旋转状态的光学接口，确定性的放置和传递，以超过标准量子极限，以及对多功能胶体量子电路的扩展。